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SIP封装技术现状与发展前景 总被引:3,自引:1,他引:3
SIP(System in Package),指系统级封装。特点是将不同功能的有源电子元器件加上无源或类似MEMS的光学器件集中于一个单一封装体内,构成一个类似系统的器件为系统或子系统提供多种功能。它与系统级芯片(SOC)互补,实现混合集成,具有设计灵活、周期短、成本低的特点。文章通过系统封装技术的研发历程,评价了封装的优越性、探讨了此种封装技术的产品架构和相关技术及其发展前景。 相似文献
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本文从技术和设备的角度出发,讨论了薄膜微波混合组件制造。薄膜电路制造技术,混合组装技术,混合集成技术和封装检漏技术是必须具备的几大基本技术,对基本技术所需要的关键设备也作了介绍。 相似文献
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<正> 1 引言 目前,在大容量光电子系统中需要大量的多通道光电模块,如光发射机、光接收机、光放大器和用于交叉连接的矩阵光开关等。对这些多通道光电模块的要求是微型化和低成本批量生产。混合光集成是满足这些要求的一种具有吸引力的技术。 在混合光集成中,可在一个平台上组装光芯片,该平台可将诸如平面光波回路(PLC)一类的波导与光纤组合在一起。混合集成光电模块封装的关 相似文献
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介绍了一款基于混合集成技术的DC/DC变换器模块设计方案。模块采用单端正激变换器技术,裸芯片组装,金属全密封封装,平行封焊工艺,计算机辅助设计制作而成,保证了产品的高可靠性。它具有体积小、重量轻、可靠性高、工作温度范围宽、耐冲击等优点。 相似文献
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介绍了一种新颖的Ka频段T/R组件立体混合集成封装.针对Ka频段T/R组件高频率和高密度的特点,提出了一种新颖的多层组装和双面密封的立体电路结构,采用软基片、FR-4等简单成熟工艺,实现了Ka频段M- MCM的混合集成.该封装具有集成度高、散热性好和可靠性高等特点,能够应用于Ka频段二维有源相控阵T/R子阵的工程研制. 相似文献
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三维集成技术的发展是技术与理念的革新过程,本文根据集成封装技术的的发展历程,提出三维集成的发展特点,阐述理念的突破如何引导技术发展,以此为主线,可以更有逻辑性的了解三维集成的发展历史与趋势.封装从器件级向系统级的发展促使了多种系统级封装概念的出现;垂直堆叠方式推动互连长度不断降低;与晶圆级封装的结合可以大幅度降低成本;从同质向异质的转变则集成了多种学科、材料与技术,是实现复杂的系统的基础. 相似文献
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目前主流的异质集成技术有单片异质外延生长、外延层转移和小芯片微米级组装。硅基异质集成主要是指以硅材料为衬底集成异质材料(器件)所形成的集成电路技术。它首先在军用微电子研究中得到重视,并逐渐在民用领域扩展。硅基异质集成技术正处于芯片级集成向晶体管级集成的发展初期,已有关于晶体管级和亚晶体管级集成的报道。本文重点研究了单片三维集成电路(3D SoC)、太赫兹SiGe HBT器件、超高速光互连封装级系统(SiP)、单片集成电磁微系统等硅基异质集成技术前沿,展现了硅基异质集成技术的发展趋势,及其在军用和民用通信、智能传感技术发展中所具有的重要意义。 相似文献
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系统级封装(Si P)及微系统技术能够在有限空间内实现更高密度、更多功能集成,是满足宇航、武器装备等高端领域电子器件小型化、高性能、高可靠需求的关键技术。重点阐述了基于硅通孔(TSV)转接板的倒装焊立体组装及其过程质量控制、基于键合工艺的芯片叠层、基于倒装焊的双通道散热封装等高密度模块涉及的组装及封装技术,同时对利用TSV转接板实现多芯片倒装焊的模组化、一体化集成方案进行了研究。基于以上技术实现了信息处理Si P模块的高密度、气密性封装,以及满足多倒装芯片散热与CMOS图像传感器(CIS)采光需求的双面三腔体微系统模块封装。 相似文献
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电子管的问世.宣告了将人类带入全新发展阶段的一个新兴行业的诞生:晶体管、集成电路的发明.不仅改变了人们的生活方式.也使人类由此步入了历史发展的快行道。在这个进程中.起着”承前启后”作用的电子组装——用封装好的元器件/IC来制造各类电子产品——技术,伴随着整个行业的发展也已经走过了四个阶段的发展历程(详见下表)。目前,集成无源元件(IPD)、晶圆级封装(WLP)和系统级封装(SIP)被越来越多地采用.这仅仅是表明第四代组装技术正在向纵深发展.还是意味着新一代组装技术正在向我们走来? 相似文献
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介绍了数模混合高速集成电路(IC)封装的特性以及该类封装协同设计的一般分析方法.合理有效的基板设计是实现可靠封装的重要保障,基于物理互连设计与电设计协同开展的思路,采用Cadence APD工具以及三维电磁场仿真工具实现了特定数模混合高速集成电路(一款探测器读出电路)的封装设计与仿真论证,芯片封装后组装测试,探测器系统性能良好,封装设计达到预期目标.封装电仿真主要包含:封装信号传输通道S参数提取、电源/地网络评估,探测器读出芯片封装体互连通道设计能满足信号带宽为350 MHz(或者信号上升时间大于1 ns)的高速信号的传输.封装基板布线设计与基板电设计协同分析是提高数模混合高速集成电路封装设计效率的有效途径. 相似文献
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在现代雷达系统中,相控阵雷达以其得天独厚的优势依然占据着强势的地位,其中作为核心器件的收发组件发挥重要的作用。伴随着组件高集成、小型化和轻量化的需求,系统级封装(SiP)的技术得以迅猛的发展。本文设计完成了一种基于陶瓷球栅阵列(CBGA)封装的集成S波段和P波段的四通道变频SiP模块,共集成4路S波段变频和1路P波段双向放大芯片,可切换4种工作模式。四通道的带内发射高、低增益值约为30 dB和14 dB,带内接收高、低增益值约为48 dB和35 dB,满足设计要求。此外,变频SiP通过CBGA方式组装在印刷电路板(PCB)上,器件通过100次-55~125℃的温度循环试验,板级可靠性较高。 相似文献
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《电子与封装》2015,(8):1-8
以硅通孔(TSV)为核心的三维集成技术是半导体工业界近几年的研发热点,特别是2.5D TSV转接板技术的出现,为实现低成本小尺寸芯片系统封装替代高成本系统芯片(So C)提供了解决方案。转接板作为中介层,实现芯片和芯片、芯片与基板之间的三维互连,降低了系统芯片制作成本和功耗。在基于TSV转接板的三维封装结构中,新型封装结构及封装材料的引入,大尺寸、高功率芯片和小尺寸、细节距微凸点的应用,都为转接板的微组装工艺及其可靠性带来了巨大挑战。综述了TSV转接板微组装的研究现状,及在转接板翘曲、芯片与转接板的精确对准、微组装相关材料、工艺选择等方面面临的关键问题和研究进展。 相似文献
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随着摩尔定律推进至纳米级节点,以硅通孔(TSV)、重布线层(RDL)、薄芯片堆叠键合等为支撑的三维集成被认为是延续摩尔定律的重要途径. Cu/SiO2混合键合可以持续缩小芯片间三维互连节距、增大三维互连密度,是芯片堆叠键合前沿技术. 近年来它在互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器(CIS)、Xtacking 3D NAND、 2.5D/3D集成等商业化应用突破,使之成为国内外领先半导体研究机构研究关注的热点话题. 本文将系统梳理混合键合技术的研究历史与产业应用现状,重点分析近年来国内外代表性研究工作的技术路线、研究方法、关键问题等, 在此基础上,对混合键合技术的未来发展方向进行展望. 相似文献