基于光电混合集成的四通道外调电/光转换组件

由于单片级集成技术面临开发成本高、周期长等问题,提出一种基于光电混合集成封装的四通道外调电/光转换组件.该组件利用光电混合集成技术,采用空间光学透镜耦合代替原有光纤互连方式、传输微带代替传统电缆互连方式、金丝/金带代替传统低频导线方式以及微组装工艺实现多专业裸芯片一体化气密封装代替分离组件混合装配方式,从而达到大幅度压...     

SIP封装技术现状与发展前景

SIP（System in Package）,指系统级封装。特点是将不同功能的有源电子元器件加上无源或类似MEMS的光学器件集中于一个单一封装体内,构成一个类似系统的器件为系统或子系统提供多种功能。它与系统级芯片（SOC）互补,实现混合集成,具有设计灵活、周期短、成本低的特点。文章通过系统封装技术的研发历程,评价了封装的优越性、探讨了此种封装技术的产品架构和相关技术及其发展前景。     

薄膜微波混合集成组件制造

本文从技术和设备的角度出发，讨论了薄膜微波混合组件制造。薄膜电路制造技术，混合组装技术，混合集成技术和封装检漏技术是必须具备的几大基本技术，对基本技术所需要的关键设备也作了介绍。     

用于混合集成光模块的多芯片精确自对准组装技术

<正> 1 引言 目前,在大容量光电子系统中需要大量的多通道光电模块,如光发射机、光接收机、光放大器和用于交叉连接的矩阵光开关等。对这些多通道光电模块的要求是微型化和低成本批量生产。混合光集成是满足这些要求的一种具有吸引力的技术。 在混合光集成中,可在一个平台上组装光芯片,该平台可将诸如平面光波回路(PLC)一类的波导与光纤组合在一起。混合集成光电模块封装的关     

RF-MEMS的系统级封装

射频(RF)技术在现代通信领域正得到越来越广泛的应用,用MEMS方法制备的射频元件不仅尺寸小、成本低、功能强大,而且更利于系统集成.系统级封装(SIP)寄生效应小、集成度高的优点特别适合用来封装RF-MEMS系统.本文介绍了系统级封装的发展现状特别是在射频领域的应用,同时重点分析了在RF-MEMS系统级封装中封装结构、元件集成、互连及封装材料等几个关键问题.     

混合集成DC/DC变换器模块设计

介绍了一款基于混合集成技术的DC/DC变换器模块设计方案。模块采用单端正激变换器技术,裸芯片组装,金属全密封封装,平行封焊工艺,计算机辅助设计制作而成,保证了产品的高可靠性。它具有体积小、重量轻、可靠性高、工作温度范围宽、耐冲击等优点。     

一种新颖的Ka频段T/R组件立体混合集成封装

介绍了一种新颖的Ka频段T/R组件立体混合集成封装.针对Ka频段T/R组件高频率和高密度的特点,提出了一种新颖的多层组装和双面密封的立体电路结构,采用软基片、FR-4等简单成熟工艺,实现了Ka频段M- MCM的混合集成.该封装具有集成度高、散热性好和可靠性高等特点,能够应用于Ka频段二维有源相控阵T/R子阵的工程研制.     

3D集成的发展现状与趋势

三维集成技术的发展是技术与理念的革新过程,本文根据集成封装技术的的发展历程,提出三维集成的发展特点,阐述理念的突破如何引导技术发展,以此为主线,可以更有逻辑性的了解三维集成的发展历史与趋势.封装从器件级向系统级的发展促使了多种系统级封装概念的出现;垂直堆叠方式推动互连长度不断降低;与晶圆级封装的结合可以大幅度降低成本;从同质向异质的转变则集成了多种学科、材料与技术,是实现复杂的系统的基础.     

硅基异质集成技术发展趋势与进展

目前主流的异质集成技术有单片异质外延生长、外延层转移和小芯片微米级组装。硅基异质集成主要是指以硅材料为衬底集成异质材料(器件)所形成的集成电路技术。它首先在军用微电子研究中得到重视,并逐渐在民用领域扩展。硅基异质集成技术正处于芯片级集成向晶体管级集成的发展初期,已有关于晶体管级和亚晶体管级集成的报道。本文重点研究了单片三维集成电路(3D SoC)、太赫兹SiGe HBT器件、超高速光互连封装级系统(SiP)、单片集成电磁微系统等硅基异质集成技术前沿,展现了硅基异质集成技术的发展趋势,及其在军用和民用通信、智能传感技术发展中所具有的重要意义。     

基于TSV倒装焊与芯片叠层的高密度组装及封装技术

系统级封装（Si P）及微系统技术能够在有限空间内实现更高密度、更多功能集成,是满足宇航、武器装备等高端领域电子器件小型化、高性能、高可靠需求的关键技术。重点阐述了基于硅通孔（TSV）转接板的倒装焊立体组装及其过程质量控制、基于键合工艺的芯片叠层、基于倒装焊的双通道散热封装等高密度模块涉及的组装及封装技术,同时对利用TSV转接板实现多芯片倒装焊的模组化、一体化集成方案进行了研究。基于以上技术实现了信息处理Si P模块的高密度、气密性封装,以及满足多倒装芯片散热与CMOS图像传感器（CIS）采光需求的双面三腔体微系统模块封装。     

下一代组装技术正向我们走来

电子管的问世．宣告了将人类带入全新发展阶段的一个新兴行业的诞生：晶体管、集成电路的发明．不仅改变了人们的生活方式．也使人类由此步入了历史发展的快行道。在这个进程中．起着”承前启后”作用的电子组装——用封装好的元器件／IC来制造各类电子产品——技术，伴随着整个行业的发展也已经走过了四个阶段的发展历程(详见下表)。目前，集成无源元件(IPD)、晶圆级封装(WLP)和系统级封装(SIP)被越来越多地采用．这仅仅是表明第四代组装技术正在向纵深发展．还是意味着新一代组装技术正在向我们走来？     

高密度3-D封装技术的应用与发展趋势

高密度3-D封装技术是国内外近几年飞速发展的微电子封装技术。它在2-D平面基础上向立体化发展,实现了一种新的更高层次的混合集成,因而具有更高的组装密度、更强的功能、更优的性能、更小的体积、更低的功耗、更快的速度、更小的延迟等优势。该技术正在加速未来电子整机系统的微小型化。主要介绍了近年来3-D封装应用状况和一种新型的封装技术——系统上封装SOP(System-on-Package)。     

微电子组(封)装技术的新发展

微组装技术的基础是SMT,实现了IC器件封装和板级电路组装这两个电路组装阶层之间技术上的融合,其发展方向是器件封装、组装与SMT自动化设备的紧密结合。微电子封装技术的基础是集成电路IC封装技术,发展方向是三维立体封装技术和微机电封装技术。重点论述了三维(3D)立体封装技术的最新发展,并介绍IC集成电路制造技术虚拟培训系统。     

三级微电子封装技术

微电子封装一般可分为三级封装,即用封装外壳(金属、陶瓷、塑料等)封装成单芯片组件(SCM)和多芯片组件(MCM)的一级封装,常称芯片级封装;将一级封装和其它元器件一同组装到基板(PWB或其它基板)上的二级封装,又称板级封装;以及再将二级封装组装到母板上的三级封装,这一级也称为系统级封装.(而一、二级封装的关系更加密切,已达到技术上的融合).     

系统级封装（SIP）的优势以及在射频领域的应用

SIP（Systemin Package）,指系统级封装。它强调的是将一个尽可能完整的电子系统或子系统高密度地集成于一个封装体内。它与系统芯片（SOC）互补,实现一种新的更高层次的混合集成,具有设计灵活、相对成本低、周期短等优势,其优势使之更加适合于未来电子整机系统。文中分析了RFSIP在无源元件集成、高密度互连、微磁电结构和可靠性等方面的关键技术,介绍了SIP技术在射频领域的典型应用实例。     

数模混合高速集成电路封装基板协同设计与验证

介绍了数模混合高速集成电路(IC)封装的特性以及该类封装协同设计的一般分析方法.合理有效的基板设计是实现可靠封装的重要保障,基于物理互连设计与电设计协同开展的思路,采用Cadence APD工具以及三维电磁场仿真工具实现了特定数模混合高速集成电路(一款探测器读出电路)的封装设计与仿真论证,芯片封装后组装测试,探测器系统性能良好,封装设计达到预期目标.封装电仿真主要包含:封装信号传输通道S参数提取、电源/地网络评估,探测器读出芯片封装体互连通道设计能满足信号带宽为350 MHz(或者信号上升时间大于1 ns)的高速信号的传输.封装基板布线设计与基板电设计协同分析是提高数模混合高速集成电路封装设计效率的有效途径.     

基于CBGA技术的双频段四通道变频SiP

在现代雷达系统中,相控阵雷达以其得天独厚的优势依然占据着强势的地位,其中作为核心器件的收发组件发挥重要的作用。伴随着组件高集成、小型化和轻量化的需求,系统级封装(SiP)的技术得以迅猛的发展。本文设计完成了一种基于陶瓷球栅阵列(CBGA)封装的集成S波段和P波段的四通道变频SiP模块,共集成4路S波段变频和1路P波段双向放大芯片,可切换4种工作模式。四通道的带内发射高、低增益值约为30 dB和14 dB,带内接收高、低增益值约为48 dB和35 dB,满足设计要求。此外,变频SiP通过CBGA方式组装在印刷电路板(PCB)上,器件通过100次-55～125℃的温度循环试验,板级可靠性较高。     

硅通孔(TSV)转接板微组装技术研究进展

以硅通孔(TSV)为核心的三维集成技术是半导体工业界近几年的研发热点,特别是2.5D TSV转接板技术的出现,为实现低成本小尺寸芯片系统封装替代高成本系统芯片(So C)提供了解决方案。转接板作为中介层,实现芯片和芯片、芯片与基板之间的三维互连,降低了系统芯片制作成本和功耗。在基于TSV转接板的三维封装结构中,新型封装结构及封装材料的引入,大尺寸、高功率芯片和小尺寸、细节距微凸点的应用,都为转接板的微组装工艺及其可靠性带来了巨大挑战。综述了TSV转接板微组装的研究现状,及在转接板翘曲、芯片与转接板的精确对准、微组装相关材料、工艺选择等方面面临的关键问题和研究进展。     

基于LTCC 厚薄膜混合基板的Ka 波段T/ R 组件封装技术

收发组件的集成封装技术是毫米波二维有源相控阵领域应用研究的重点和难点。文中采用基于低温共烧陶瓷厚薄膜混合基板制造工艺技术,同时结合先进的微组装工艺,实现了Ka 波段八单元组件的高精度、高密度及气密封装;给出了收发组件的封装模型,通过仿真与实测对比着重分析了垂直互联、功率分配/ 合成网路及通道隔离的提升等关键技术,并测试了无源组件的微波性能。结果表明:该集成封装技术能够满足二维毫米波相控阵天线对T/ R 组件小型轻量化和高组装密度的技术要求。     

面向先进封装应用的混合键合技术研究进展

随着摩尔定律推进至纳米级节点,以硅通孔(TSV)、重布线层(RDL)、薄芯片堆叠键合等为支撑的三维集成被认为是延续摩尔定律的重要途径. Cu/SiO₂混合键合可以持续缩小芯片间三维互连节距、增大三维互连密度,是芯片堆叠键合前沿技术. 近年来它在互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器(CIS)、Xtacking 3D NAND、 2.5D/3D集成等商业化应用突破,使之成为国内外领先半导体研究机构研究关注的热点话题. 本文将系统梳理混合键合技术的研究历史与产业应用现状,重点分析近年来国内外代表性研究工作的技术路线、研究方法、关键问题等, 在此基础上,对混合键合技术的未来发展方向进行展望.