酸增殖剂及其应用

基于自催化酸解反应的酸增殖是新的提高成像灵敏度的方法。目前发现有实用价值的酸增殖剂绝大多数为磺酸酯类化合物。本文详细介绍了酸增殖机理和酸增殖剂的种类,比较了2-甲基-2-(对甲苯磺酰氧甲基)-3-酮-丁酸叔丁酯、环己二醇二甲苯磺酸酯、三聚羟基丙醛三对甲苯磺酸酯在化学增幅抗蚀剂体系中的应用性能,认为环己二醇二碳酸酯的灵敏度高,更具有实用价值。     

酸增殖剂研究进展

本综述了能有效提高化学增幅抗蚀剂体系感度的各种类型酸增殖剂及其酸增殖机理．对某些常用于光致抗蚀剂中的酸增殖剂的特性作了介绍．并对它们的应用前景、现存问题和改进方向进行了简单讨论和介绍．     

甲酚醛树脂—HMMM负性水型化学增幅抗蚀剂的研究

本文利用二苯碘盐为光敏产酸物,吩噻嗪为敏化剂,配制了一种甲酚醛树脂———六甲氧基甲基三聚氰胺（ＨＭＭＭ）负性水型紫外化学增抗蚀剂,并研究了光敏产酸物和增感剂对体系光敏性的影响及体系中存在的拉平效应,通过优化后的光刻工艺条件得到了分辨率为１．２４μｍ的光刻图形．     

化学增幅电子束抗蚀剂的研究概况

本文综述了近 10年来电子束化学增幅抗蚀剂的概况、主要组成、成像反应机理及电子束抗蚀剂的发展方向。     

一种自交联聚合物的合成及其在水显影化学增幅型负性抗 …

本文引入单体MAGME合成了具有自交联作用的MAGME、苯乙烯和N ( 4 羟基苯基 )马来酰亚胺的共聚物 ,并以该聚合物为基体树脂 ,研制了一种新型的水显影化学增幅型负性抗蚀剂 ,并初步研究了其光刻工艺条件 .     

印刷线路板用抗蚀剂

本文说明了印刷线路板用热固型、光固(uv)型抗蚀剂的主要性能指标,抗蚀剂的主要成份及作用。重点阐述了影响抗蚀剂产品质量的主要因素以及国外在研究抗蚀剂方面所取得的经验。有助于国内进一步开发抗蚀剂这一产品,尽快实现印刷线路板用抗蚀剂的国产化。     

面向21世纪的酸增殖辐射固化与成像技术

介绍了市村国宏教授率先在 20世纪 90年代末期提出的酸增殖 (Acid proliferation)、酸增殖源、酸增殖型光致抗蚀剂等新概念,列出了几种有用的酸增殖源及它们酸致产酸发生增殖反应的机理,讨论了酸增殖源在光致抗蚀剂 (特别是化学增幅抗蚀剂 )和计算机直接制版 (CTP)技术等方面的应用,说明这是一项在 21世纪有发展前景的成像技术——信息记录技术。     

一种新型酞菁类光蚀刻记录材料的光生酸性质研究

通过研究对甲苯磺酸酯空心酞菁的性质，发现该化合物在紫外光照射下可生酸，是一种光生酸剂．由于酞菁类化合物本身具有光催化氧化反应的性能，因此这类光生酸剂在光蚀刻技术中将有很好的应用潜能．     

纳米压印抗蚀剂研究进展

纳米压印是最有希望的下一代纳米成像技术之一.基于其机械压印原理,纳米压印技术可以实现的图形分辨率超越了在别的传统技术中由光衍射或粒子束散射造成的局限.本文介绍纳米压印技术的基本原理,回顾了近期纳米压印抗蚀剂的研究进展.对影响抗蚀剂性能的主要因素进行讨论,包括玻璃化转化温度/热稳定性、粘度/平均分子量、抗蚀性能等.分别介绍了热压印和紫外压印的常见抗蚀剂材料,这些抗蚀剂的主要部分包括聚甲基丙烯酸甲酯（PM-MA）、有机硅改性的聚（甲基）丙烯酸酯、聚酰胺酯、聚二甲基硅烷、聚乙烯基醚化合物、环氧树脂等,并给出这些抗蚀剂体系的优、缺点.本文还介绍了纳米压印抗蚀剂面临的主要问题,对纳米压印技术的优势和问题作了小结.     

水溶性光致抗蚀剂研究进展

本文按传统光化学反应型和化学增幅型两种类型对近10年水溶性光致抗蚀剂的发展状况做了分类总结，并重点介绍了成像反应原理和各体系的优缺点．     

248nm光致抗蚀剂成膜树脂研究进展

光致抗蚀剂(photoresist)是制造超大规模集成电路的关键性材料之一,随着集成电路集成度的不断增加,光致抗蚀剂由g线(436nm)胶、i线(365nm)胶,逐渐发展到深紫外(DUV)(248nmKrF与193 nm ArF)胶。成膜树脂作为光致抗蚀剂的主要成分之一,决定了抗蚀剂的主要性能,因此研究成膜树脂具有重要的意义。本文综述了248 nm KrF光致抗蚀剂成膜树脂的研究进展,重点介绍了聚对羟基苯乙烯及其衍生物,并简要介绍了其合成方法及成像机理。     

我国光刻胶的市场现状及发展趋势

现代微电子技术按照摩尔定律在不断发展．光刻技术也经历了从G线（436nm）,I线（365nm）,到深紫外248nm．及目前的193nm光刻的发展历程．相对应于各曝光波长的光刻胶也应运而生．光刻胶中的关键组分,如成膜树脂、感光剂、添加剂也随之发生变化．使光刻胶的综合性能能更好地满足集成工艺制程要求。目前集成电路制作中使用的主要光刻胶见表1。     

一种新型深紫外正型光致抗蚀剂材料的研究

通过松香酸和丙烯酸的Diels—Alder反应得到了一种二酸——丙烯海松酸．丙烯海松酸有大的脂环结构和良好的成膜性，在固体膜层中，它可以和二乙烯基醚，如1，3-二乙烯氧基乙氧基苯，在加热条件下（80℃以上）发生反应，产物在稀碱水中难溶．这样形成的产物在光产酸剂产生的强酸催化下，在温度高于100℃时，可以迅速分解，从而变成稀碱水易溶．因此，用此二酸、二乙烯基醚和产酸剂可组成一种正型的光致抗蚀剂，当用254nm的低压汞灯曝光时，其感度在30mJ／cm^2以下．     

用于浸没式工艺的光刻胶研究进展

浸没式光刻技术是在原干法光刻的基础上采用高折射率浸没液体取代原来空气的空间,从而提高光刻分辨率的一种先进技术.此项技术的实际应用,为当前IC产业的飞速发展起到了关键的作用.本文概述了浸没式光刻技术的发展历程和浸没式光刻胶遇到的挑战及要求;对浸没式光刻胶主体树脂、光致产酸剂及添加剂的研究进展进行了综述;最后对浸没式光刻胶的研究发展方向作了进一步的探讨及初步预测.     

一种新型紫外正型光刻胶成膜树脂的制备及光刻性能研究

本文合成了N-(p-羧基苯基)甲基丙烯酰胺单体,并将其与N-苯基马来酰亚胺共聚得到共聚物聚N-(p-羧基苯基)甲基丙烯酰胺共N-苯基马来酰亚胺(poly(NCMA-co-NPMI)).将此共聚物作为成膜树脂,与感光剂、溶剂等复配得到一种新型耐高温紫外正型光刻胶.本文探讨了该光刻胶的最佳配方组成和最佳光刻工艺.最佳配方组成为:15%—20%成膜树脂,4.5%—6%感光剂和70%—80%溶剂;最佳光刻工艺为:匀胶30 s(4000 rpm),前烘4 min(90℃),感度为30—35mJ/cm~2,在0.2%TMAH溶液显影10 s和后烘2 min(90℃).     

Characterization of Negative Tone Photoresist Based on Acid Catalyzed Dehydration Crosslinking of Novolac Resins Having Pendant Carboxyl Groups

Esterification of 4-hydroxyphenylacetic acid with various alcohols of (+)-borneol, (±)-borneol and ethylene glycol monobutyl ether were carried out. The ester compounds were then copolymerized with various comonomers of bisphenol-A, phenol and formaldehyde. Physical properties and molecular structures of such synthesized phenolic resins were investigated by using IR, NMR, DSC, and TGA. To introduce carboxyl groups onto the side chain of the polymers, they were further functionalized with succinic anhydride. Copolymers containing pendant carboxyl groups synthesized in this investigation could be used as a negative tone photoresist. The photoresist was comprised of alkali soluble polymer with pendant carboxyl groups and photoacid generator. From the exposure characteristic curves, the exposure energy of the photoresist appeared in a range of about 2001000 mJ/cm². It was found that adding a small amount of oxalic acid and ethylene glycol as crosslinking agents will increase the efficiency of crosslinking. In this case, the exposure energy was decreased to below 100 mJ/cm². We investigated the thermogravimetric properties of binder resin, exposure characteristics, sensitivity and the resolution of photoresists. We also investigated the effects of exposure conditions and the concentration of crosslinking agents on the exposure characteristics of photoresists.