超微粒SnO2薄膜元件气敏特性研究

用射频磁控反应溅射法在Si基片上沉积SnO2超微粒薄膜,借集成电路技术制成气敏元件,并用RQ—1型气敏特性测试仪在动态配气系统中测试其气敏特性。结果表明:烧结体SnO2元件的气敏效应出现在300℃以上,而该元件的气敏效应则出现在90℃以下,有利于降低功耗;在80~90℃时,该元件对H2的灵敏度比C2H5OH和CH4高出2~3个数量级,对CO和LPG几乎不敏感。因此可用作在低温条件下工作的薄膜化、集成化、高性能的H2传感器。     

磁控溅射法制备SnO2-CuO薄膜及其气敏特性研究

用直流磁控溅射法分别在Si及陶瓷管上制备掺有CuO的SnO2纳米薄膜,并用马弗炉进行500 ℃和700 ℃的退火处理.利用气敏测试系统对各样品进行气敏特性测试,500 ℃退火的样品对几种被测气体基本都有较高的灵敏度,且随着工作温度的提升,气敏特性下降.700 ℃退火的样品对乙醇具有很好的选择性,表现较好的灵敏度,当最佳工作电压为6.5 V时,在乙醇气体小注入条件下,对样品的测试体现了样品良好的气敏特性.     

Cu/Sb掺杂SnO2纳米晶薄膜的H2S气敏特性

以SnCl2·2H2O、CuCl2·2H2O、SbCl3和无水乙醇为原料,采用sol-gel浸渍提拉法(sol-geldip-coatingmethod,SGDC)制备了纳米晶气敏薄膜。在多个工作温度和气体浓度下测试了薄膜对H2S的气敏特性。结果表明:r(Cu:Sb:Sn)为1:5:100,工作温度为140℃时,薄膜对H2S有很好的灵敏度和选择性,敏感浓度下限可达0.7×10–6。     

纳米晶SnO2气敏薄膜的制备与表征

以Sn(OH)4水合胶体为原料,采用溶胶-凝胶方法在Si片上制备了SnO2纳米晶薄膜,利用差热、热重、X光衍射以及原子力显微镜对薄膜的合成以及特性进行了分析,结果表明:在600°C条件下烧结结晶的纳米晶薄膜表面平整,具有金红石结构,平均粒度在10nm左右.以该薄膜为敏感体采用平面工艺制成的FET式气敏元件在常温下对乙醇蒸汽具有非常好的选择性.     

Ta2O5薄膜MOS型湿敏元件的机理研究

使用直流磁控反应溅射的工艺方法制备了Ｔａ２Ｏ５薄膜ＭＯＳ型湿敏元件，提出了元件的结构模型，并对其感湿机理进行了讨论。     

低温制备透明SnO2:F薄膜的光电性研究

SnO2：F透明导电薄膜是一种广泛用于显示技术和能量转换技术的重要材料。本文在超声喷雾热解成膜技术基础上,对沉积装置进行了改进,同时对反应液配方进行了优化,在较低温度制备出透明SnO2：F导电薄膜。用XRD、UV／Vis、SEM、原子力显微镜分析测试方法对沉积薄膜的结构、形貌和光学、电学性质进行了研究。结果表明,在360℃积温度下制备的SnO2：F薄膜,其方块电阻为4．7Ω,(200)面择优取向明显,薄膜晶粒均匀,表面形貌有所改善,透明度有所提高。     

液相生长热氧化法制备SnO2气体敏感薄膜

在不同的热氧化温度下,用液相生长热氧化法(RGTO)制备了SnO2薄膜。探讨了热氧化温度对SnO2薄膜结构和成分的影响,并进一步研究了不同热氧化温度下制备的SnO2薄膜的气敏性能。测试结果表明:260℃工作温度下,600℃热氧化制备的SnO2薄膜气敏元件,对氢气的灵敏度最佳。在100～1 000 mg.kg–1的氢气浓度范围内,灵敏度由47递增至70。     

SnO2薄膜的脉冲激光沉积

采用脉冲激光沉积技术制备了ＳｎＯ２薄膜。Ｘ射线衍射结构分析表明薄膜为非晶态。在６００℃温度下退火后，由非晶薄膜转变为多晶薄膜。研究了多晶ＳｎＯ２薄膜的光电特性。在４００ｎｍ至７００ｎｍ的可见光范围内，其透过率保持在７０％到９０％。电阻率为１．９×１０－１Ωｃｍ。     

基片温度对SnO_2超微粒薄膜气敏特性的影响

在基片温度180℃溅射淀积的SnO_2超微粒薄膜,内应力较小,含有很多微孔,对乙醇有很高的灵敏度。     

超声雾化气相沉积法制备ZnO薄膜

采用超声雾化气相沉积工艺,以醋酸锌水溶液为前驱体溶液,在SiO2/Si衬底上成功的制备出ZnO薄膜。通过X-射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)对所得ZnO薄膜的晶体结构和微观形貌进行分析,发现随着衬底温度升高,ZnO薄膜c轴取向趋势增强,表面趋于光滑平整。研究表明,在前驱体溶液浓度为0.1 mol/L,衬底温度为320℃,载气流量为0.1 L/min,喷口到衬底的距离为60 cm、沉积30 min的实验条件下,生长出的ZnO薄膜为六方纤锌矿结构,且具有的高度c轴取向。     

磁控反应溅射SnO2薄膜的气敏特性研究

为研究SnO2薄膜的气敏特性,采用直流磁控反应溅射法制备了SnO2薄膜。探讨和分析了SnO2薄膜气敏元件的敏感机理。对SnO2薄膜的电阻和灵敏度的测试以及对实验结果的分析表明:SnO2薄膜厚度在150~400nm为宜,一般膜厚在250nm时较为敏感。在SnO2薄膜中掺入Pd、Pt、Ag等微量杂质可大大提高SnO2薄膜气敏元件的灵敏度,且使灵敏度的峰值向低温方向移动,增强了对H2、CO和C2H5OH等可燃气体的选择性、响应时间由3min缩短到0.5s以下。     

CdWO4膜的制备及发光特性的研究

利用一种软化学合成方法——喷雾热解法,在玻璃基底上制备了钨酸镉(CdWO4)发光膜,研究了其结构、吸收光谱、光致发光及较低电压下的阴极射线发光特性。由吸收光谱估算出CdWO4膜的禁带宽度约为3.70 eV。当基底温度在350℃以上时,生成的CdWO4膜在紫外光及阴极射线激发下发出蓝绿光,其光谱为一宽蓝绿发光带。利用高斯函数进行拟合,发现此发光由3个发光带组成:一个峰值位于495 nm(2.51 eV)的主发光带,另外两个分别位于444 nm(2.80 eV)和545 nm(2.28 eV)的发光带。证实了峰值位于495 nm(2.51 eV)的主发光带和氧空位无关,是由阴离子络合物WO66-的发光引起的。研究了退火温度对CdWO4膜发光特性的影响。随着退火温度的升高,发光亮度和效率增大。样品的亮度随外加电压的增加而增大,没有观察到亮度饱和现象。经600℃下退火的CdWO4膜,在电子束电压为5 kV,电流密度为57μA/cm2的条件下,其阴极射线发光亮度可达420 cd/m2,效率达1.9 lm/W。研究结果表明,CdWO4发光膜有可能用在以玻璃为基底的平板显示器件中。     

超声喷雾热解法制备 TiO2 薄膜

成功地利用超声喷雾热解法在玻璃衬底上制备了TiO2薄膜。Ti（SO4）2作为钛源,甲醇作为溶剂。利用超声波的雾化作用将反应物形成细小的雾滴,并喷射到预热的玻璃衬底上分解而形成稳定的TiO2薄膜。为获得致密均匀的薄膜,优化了反应物浓度、温度、沉积时间等参数。利用X射线衍射与原子力显微镜表征了薄膜的晶体结构与表面形貌。X射线结果表明薄膜为多晶锐钛矿结构TiO2薄膜,并在（101）方向呈现出择优趋势。     

雾化热解法制备ZnO薄膜及其光电性能

采用超声雾化技术,以醋酸锌水溶液为源物质,在加热的玻璃衬底上生长了ZnO薄膜,并研究了衬底温度等因素对薄膜结构及其光、电性能的影响.结果表明其为六方晶体(纤锌矿)结构,在适当的条件下,可以生长出具有较强c轴取向的ZnO薄膜,所得到的ZnO薄膜具有低达7.68×1010cm-3的载流子浓度,这对实现ZnO的p型掺杂具有重要意义.     

SnO2纳米薄膜的自组装制备及表征

利用自组装单层膜法,在单晶硅基底上生长有机硅烷单分子膜层,并在硅烷的功能性基团上,诱导生成二氧化锡纳米薄膜,通过XPS、AFM、SEM及XRD等手段对膜材料的表面形貌和结构进行了分析。结果表明:自组装单层法制备的SnO2薄膜为晶态膜,膜层致密、均一,厚度约为20 nm,结构为金红石结构。     

制备工艺对厚膜SnO_2气敏元件性能的影响

采用平面丝网印刷技术制备不同厚度的 Sn O2 厚膜气敏试样 ,在不同温度下进行热处理后 ,测量试样对乙醇气体的灵敏度 ,研究热处理温度及敏感膜厚度等对元件性能的影响。结果表明 ,热处理温度和膜厚的均匀性会影响元件的电阻值和灵敏度 ,准确控制热处理温度和膜厚能显著改善元件的灵敏度和一致性。     

掺锑二氧化锡薄膜的喷雾热解法制备与热处理

以SnCl4·5H2O和SbCl3为原料,采用喷雾热解法在玻璃基片上制备了掺锑二氧化锡(SnO2∶Sb)透明导电薄膜.用X光电子能谱分析仪(XPS)、X射线衍射仪(XRD)和紫外-可见光吸收谱仪分别对样品进行了表征,且对其结构、电学和光学特性作了研究.实验结果表明:薄膜仍为金红石型结构,在Sb的掺杂量为(1.0～1.5)wt%(质量百分比)和基片温度为500℃时,薄膜方阻为0.8～3.5Ω/□,可见光透过率达80%,红外光反射率达到80%.样品在O2,N2中进行热处理,其电导率呈有规律的变化趋势,热处理温度为550℃时,两种样品的电导率变化曲线上同时出现拐点.     

溶胶–凝胶法制备BaTiO3薄膜的研究

以醋酸钡和钛酸丁酯为原料,应用溶胶–凝胶法在 Al2O3基片上制备了 BaTiO3薄膜。具体分析了原料、溶剂、催化剂、溶液的 pH 值、螯合剂和表面活性剂对溶胶–凝胶体系的影响,以及加水量、乙二醇加入量和醋酸对溶胶–凝胶黏度的影响。并且可以把掺杂离子加入到溶胶–凝胶中,为调节 BaTiO3薄膜的性能打下了良好的基础。