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《电子技术与软件工程》2019,(5)
本文介绍了霍尔传感器在应用过程中存在的测量精度误差原因,并且有针对性的提出了补偿方法。霍尔传感器的材料一般是半导体,因此容易受温度变化的干扰,且制造过程中由于霍尔电极位置影响,会产生温度误差和零位误差。为了保证测量的精度,使用霍尔传感器进行测量时一定要对温度误差和零位误差进行补偿。 相似文献
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为了解决霍尔传感器精确测量问题,必须克服温度漂移和零位误差,而这些误差是半导体材料自身特性决定的。针对霍尔传感器固有特性,对误差产生的原因、机理及影响进行了系统分类和逐一分析,表明这些误差是其自身所不能克服的,只有对其影响实施有效遏制才能保证测试的精度。通过对各类误差特点的全面剖析,依据各自的成因和影响,制定了相应的应对措施,针对不同类型的误差类型,提出了具体的电路补偿方案。各种补偿手段简单实用,易于实施,有效控制了温度漂移和零位误差对测试结果的影响,保证了霍尔传感器在较高测试精度要求下仍然能够正常工作,提高了霍尔传感器的环境适应能力。 相似文献
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霍尔传感器的应用探讨 总被引:3,自引:0,他引:3
简要介绍了霍尔元件的基本应用,对霍尔元件的选用原则进行了探讨,对霍尔元件实际应用过程所用到的典型放大电路进行了较为详尽的描述;还探讨了霍尔元件技术指标不等位电势的测量方法,并对霍尔元件直流激励情况下位移测量的方法进行了讨论,以霍尔元件实际应用的个例扩展到霍尔元件的广泛应用。 相似文献
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利用霍尔传感器,我设计出了一款时钟电路,而这款时钟电路不单单只是时钟那么简单,通过对它延伸和拓展,它还可以进行测量位移、速度、时间、以及定时和作开关的作用,通过举例对该设计稍加该进后测量布匹长度的例子,进一步让读者明确该时钟电路有别于普通的时钟电路. 相似文献
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针对无刷直流电机采用低分辨率霍尔传感器进行转子位置估计存在角度误差问题,提出基于反电势观测器和锁相环的误差补偿方法。根据霍尔传感器测量电角度原理,分析电角度固有安装误差和算法估算误差的原因,提出了结合反电势观测器重构角度误差,采用锁相环进行相位计算,实现对电角度误差进行补偿。在48V无刷直流电机上进行实验,通过对补偿后电角度和相电流响应比较,证明新方法能够有效的改善霍尔传感器角度误差问题,改善电流响应,实现对转矩脉动的抑制,能获得高效控制性能。 相似文献
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利用霍尔传感器,我设计出了一款时钟电路,而这款时钟电路不单单只是时钟那么简单,通过对它延伸和拓展,它还可以进行测量位移、速度、时间、以及定时和作开关的作用,通过举例对该设计稍加该进后测量布匹长度的例子,进一步让读者明确该时钟电路有别于普通的时钟电路。 相似文献
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介绍了LEM公司的大电流闭环霍尔传感器LF2005-S/SP6的使用背景和产品特点,给出了使用该传感器的设计思路。重点分析了以OP放大器为核心的信号调理电路在设计时要注意的问题和解决问题的方法。最后总结了系统设计过程PCB的布局布线策略。 相似文献
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为提高红外零位走动量测量精度,针对测量过程中相机姿态变化误差引起的图像定位精度不高问题,提出了一种CCD相机姿态小角度变化自适应补偿方法。通过理论分析,推导出相机姿态解算公式,建立了CCD相机姿态解算数学模型,然后基于某型红外瞄具零位走动量测量系统,分别针对三种相机姿态,对瞄具分划线在参考坐标系中的坐标进行了对比实验。结果表明,测量精度优于0.01 mil,能减小相机倾斜对红外瞄具零位走动量测量带来的误差,为提高零位走动量测量精度提供了一种相机姿态自适应补偿的新方法。 相似文献
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克服传统的通过硬件电路来对压力传感器进行温度误差补偿的缺点,介绍利用单片机进行压力传感器温度补偿的基本方法,论述如何利用软件进行温度误差补偿的方法,详细描述高精度温度补偿的软件算法原理,为实现通过软件进行温度补偿提供了理论依据。通过实验测试证明了采用高精度温度补偿算法的传感器输出精度有了显著的提高。 相似文献
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从原理上论述了温度对传感器性能的影响,包括零点漂移、灵敏度随温度的变化。介绍了温度补偿的方法,提出了利用单片机进行温度补偿,实验结果表明,该温度补偿是一种行之有效的方法。 相似文献
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本文介绍了基于霍尔传感器,采用单片机C8051F060控制的直流电机转速测量控制系统的工作原理及软硬件设计方法.通过7279实现在LED上直观地显示电机的转速值.此外,还可以根据需要调整控制电机的转速.测试结果表明,该转速测量系统满足设计要求,并且具有硬件结构简单,性价比较高,易于调节电机转速及系统性能稳定等优点. 相似文献
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D. Greguov P. Eli Z. Oszi R. Kúdela J. oltýs J. Fedor V. Cambel I. Kosti
《Microelectronics Journal》2006,37(12):1543-1546
Symmetrical four-sided 12-μm-high pyramids with 30°-tilted sides were revealed by the etching of semi-insulating (1 0 0) GaAs substrates in 1H3PO4:×H2O2:8H2O at 25 °C via sacrificial 0 0 1-oriented Ti/GaAs/AlAs (100/2000/100 nm) etching mask patterns. The pyramids, MOCVD overgrown with InGaP/AlGaAs/GaAs heterostructure pyramids, were used as the base for magnetic field vector sensors. Each sensor consisted of three Hall probes defined on the sides of a pyramid. The device processing was realized via AZ5214-E layers deposited conformally over the pyramids by draping from water surface. While the planar reference 5×5-μm2-sized Hall probes exhibited a sensitivity of 930 VA−1T−1 at 298 K, the sensitivity of those on the 30°-tilted facets was impossible to determine because they had a resistance of 100 kΩ at 298 K. Further work is necessary to optimize the InGaP/AlGaAs/GaAs heterostructure growth and dopant incorporation on the 30°-tilted pyramidal facets. 相似文献
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