电真空器件中陶瓷-金属封接应力分析

本文针对电真空器件中常采用的平封、夹封、套封以及针封四种陶瓷-金属封接结构进行了热力学仿真分析,得到了不同封接结构的热应力分布情况,归纳了四种结构的封接特点,对某些封接工艺提出了一些有效的工艺实现方法,给出了陶瓷-金属封接设计中应注意的问题.     

电真空器件用陶瓷金属化和釉化工艺的改进

随着电力设施的迅速增长和发展 ,城乡电网的全面改造 ,真空开关管 ,特别是陶瓷外壳的真空开关管 ,以其特有的优势在电力行业的应用得到空前的发展。同时 ,推动我国陶瓷金属化、施釉及陶瓷 金属封接技术的进步。新一代的电力、电子器件的高速发展将对陶瓷管壳金属化封接技术以及陶瓷管外观提出更高的要求 ,陶瓷管壳施釉提高了电真空器件的质量 ,使其外观更美观、光亮 ,且不易吸湿和被污染 ,电性能明显改善。但电真空器件用陶瓷管壳需要经过金属化、釉化及陶瓷 金属封接、装配等多道工序 ,它们都是在高温和强还原气氛下进行 ,加上人和环境因素…     

陶瓷-金属封接件高温热应力测定

测定电真空器件上常用的陶瓷——金属封接件的热应力一直是个难题。本文作者们采用激光全息干涉术成功地解决了这一课题。     

新书预告

陶瓷一金属封接技术是一门多学科交叉的技术领域，是一种实用性、工艺性都很强的基础技术。它要求陶瓷一金属封接组件必须具有高的结合强度、好的气密性以及优良的耐热循环等性能。封接的稳定性对器件和整机的质量及系统的可靠性影响极大，一旦发生问题，甚至产生灾难性的后果。这一点，已被多年来，多次质量事故所证实。微波管向毫米波大功率发展，对陶瓷一金属封接技术提出了更高的要求；新兴的真空开关管和电力电子器件中要求的部分性能比其它真空电子器件要求更高、更严；     

影响陶瓷—金属封接强度的主要因素

一、前言 陶瓷-金属封接是微波半导体器件的主要封装形式,随着器件可靠性的不断提高,要求陶瓷-金属的封接强度越高越好。影响陶瓷-金属封接强度的因素很多,择其要者,有以下四点: (1)、陶瓷与金属化配方的适应性。 (2)、金属化工艺规范——金属化烧结温度和保温时间。 (3)、金属化涂膏层的厚度。 (4)、焊料量。 本文就上述四因素对陶瓷-金属封接强度的影响,作一些初浅的探讨。 二、实验 1、样品 为接近实际使用情况,采用图1所示的样     

活性法陶瓷-金属封接工艺的新进展

综述了活性法陶瓷-金属封接工艺的新进展，强调指出：返烧经研磨的瓷件，用活性法同样可以得到高质量的陶瓷-金属封接件。     

陶瓷-金属封接的化学镀镍工艺

讨论了陶瓷-金属封接中化学镀镍与电镀镍工艺及相互之间的区别。     

氮化铝与可伐封接件有限元应力分析

陶瓷金属封接件内残余应力主要是由热膨胀系数不匹配造成的,受各种因素的影响．其应力大小、分布影响着封接件的可靠性。对微波管内复杂氮化铝陶瓷-可伐金属结构运用有限元法计算封接件的应力。计算的结果表明,实际断裂方式与有限元分析相吻合。在此基础上,优化了封接结构,提出改进工艺,取得成功。     

电子器件用高导热陶瓷介质材料

引言陶瓷与金属的封接是近代电子器件研制的关键工艺之一。近代电子器件的发展对陶瓷-金属封接工艺提出新的要求,而陶瓷-金属封接工艺的发展又进一步推动了电子器件的发展。近代电子器件正向着超高频、大功率、宽     

电真空器件用陶瓷——金属封接件的质量保障与检测方法

本文针对陶瓷－－金属封接工作中经常遇到的一些质量问题，特别是针对电真空器件对其要求的极好密封性及高度可靠性等，结合我单位工作，向大家介绍并推荐一些保障质量的做法及一些检测质量的方法。     

微波管用陶瓷材料的微晶化

论述了微波管用陶瓷材料的基本要求和发展方向,并从材料微观结构和制备技术角度阐述了陶瓷微晶化在微波管制造中的意义及其对相应的陶瓷金属封接质量的影响。     

陶瓷与金属对封结构的推广应用

目前,超高频管一般用玻璃与金属封接。用陶瓷与金属封接的管子,一般没用对封结构,而是套封和平封结构。这种结构有很大的局限性,要有一定的工艺条件,应用范围窄。大部分玻璃与金属结构管子的技术性能提不高,一般由于真空度不高。为了提高真空度,必须提高烘烤温度,使管子除气彻底。因为玻璃的熔点低,烘烤温度只能加到450℃。温度再加高玻璃要软化,造成管子报废;同时玻璃大量放气,排气时间就要加长。如果把玻璃改成陶瓷,就能达到提高烘烤温度的目的,可是用陶瓷与金属的套封和平封结构,必须改变超高频管的原来设计结构,才能把玻璃改成陶瓷。这样改,     

陶瓷-金属封接用钛银铜合金焊料含钛量及其封接工艺的研究

正 (一) 前言 几十年来电真空器件一直采用钼锰金属化或涂钛粉的陶瓷金属封接工艺。该工艺比较复杂,同时封接质量又不易保证。我们研究了用钛银铜(Ti-Ag-Cu)活性合金焊料直接封接的工艺;试验了合金焊料中活性元素钛含量和封接温度等参量对封接质量的影响;给出了合金焊料的合适合钛量和封接的工艺规范。实验表明,钛银铜合金焊料直接封接工艺,方法简单,质量稳定,是值得推广应用的     

溅散金属化的陶瓷——金属封接

本文谈到用溅散工艺把金属化层敷到陶瓷上的方法。采用该工艺的陶瓷-金属封接,可用于任何等级和种类的陶瓷,并能获得牢固而气密的封接。     

蒸发金属化压力扩散封接工艺

一.引言以气相沉积方式(包括蒸发、溅射、离子涂敷、化学气相沉积等)对陶瓷进行金属化来达到与金属封接的工艺是六十年代末,七十年代初出现的陶瓷-金属封接的最新工艺之一。由于这种金属化具有与瓷粘结牢固、金属化温度低、对各种介质适应性强、金属化层很薄、对瓷无渗透、无过渡层等特点。它与金属封接形成了一种低高频损耗(特别是当频率>4千兆赫时)、高热传导、高强度的气密封接工艺。目前在低高频损耗、高热传导、高强度方面是其它陶瓷-金属封接工艺所无法取代和     

活性合金封接中的新钎料

随着新的电子仪器的发展,陶瓷—金属封接件在仪器制造业中获得了广泛的应用。要求发展能提高产品质量,简化封接工艺,降低生产成本的新钎料,以满足仪器迅速发展的需要。由于用真空电弧冶炼法制成的钛—银—铜合金钎料,比用其他冶金法制成的合金成     

利用Ti-Ag-Cu活性金属化法直接针封95Al_2O_3瓷

在通常所采用的陶瓷 金属封接结构中 ,平封和套封结构成品率相当高 ,直接针封成品率偏低 ,而直接针封通常采用Ｍｏ Ｍｎ金属化法进行封接 ,在保证瓷孔内涂膏均匀且尽量减小封接应力的情况下能够得到较高的成品率。而在陶瓷 -金属封接中采用的活性金属化法与Ｍｏ Ｍｎ金属化法相比较具有工序少、工艺简单的优点 ,在平封结构中广泛使用。利用活性金属法直接针封 95Ａｌ2 Ｏ3瓷尚未采用 ,曾有人做过此方面的试验 ,均因成品率太低而放弃。通常不用此方法是因为活性金属粉末涂于瓷孔内 ,金属粉与陶瓷粘接不牢固 ,装架时易碰掉金属粉 ,造成瓷孔内…     

国外陶瓷与金属封接工艺的最新进展

近年来,随着科学技术的发展,国外陶瓷与金属封接工艺也有了一些新的进展,并广泛地应用于各个科学领域。例如,高压室或真空系统的引线和接线柱密封;半导体、集成电路的封装;激光器、高压钠灯、金属卤化物灯     

陶瓷金属封接应力的分析与测试

陶瓷-金属封接过程中容易产生残余应力,将影响到封接强度和产品的可靠性.应用理论公式和ANSYS有限元分析软件对典型结构的应力分布进行了计算,同时应用X射线衍射法对该结构的应力进行了测试.结果表明计算与测试结果一致,ANSYS完全可以应用于陶瓷/金属封接的应力计算,同时X射线衍射法是一种测试陶瓷金属封接应力的可行方法.     

浅谈陶瓷-金属封接强度的评估

本文对几种常用陶瓷-金属封接强度的测试方法进行了理论分析和测试实验,并且进行数据的统计,评价陶瓷-金属封接件的强度大小和离散性,分析了各种测试方法的优缺点,以期给陶瓷-金属封接技术的研究提供以一定的参考。