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基于ARM9内核Processor对外部NAND FLASH的控制实现 总被引:2,自引:0,他引:2
目前流行的ARM9 CPU中,没有集成NAND FLASH的控制器,可以通过使用NOR FLASH的控制器或者VLIO的控制器,实现对外部NAND FLASH的控制。实测结果显示,用8bI/O的NAND FLASH,在文件系统下读/写的速度为3MB/s,擦除的速度为65MB/s,满足现在流行手持设备对Memory的要求。 相似文献
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根据目前嵌入式终端设备程序升级技术及闪存技术,以MSP430系列单片机程序的在线升级方案为例,介绍了嵌入式终端设备在线升级中两阶段引导技术,采用片内FLASH与片外FLASH相结合的方式,设计并验证了一种基于两阶段引导技术的软件升级维护方案,突破了设备意外掉电导致升级失败的风险避免关键技术。方案在实际项目中得到大量应用,极大的提高了嵌入式终端设备软件升级的效率。 相似文献
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为了使不同型号的NOR FLASH都可以高效率地与PLB总线交互,提出了一种软硬件相结合的方法实现接口控制器.仿真结果表明,该控制器可以正确高效地实现NOR FLASH的各种功能.整个控制器最后在Xilinx ml507评估平台上通过了验证,实现了对NOR FLASH的正确操作. 相似文献
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《电子与封装》2017,(9):10-14
NOR型FLASH存储器因其技术显著的高可靠性、能长久存储代码数据的非易失性(Non-Volatile)特点,在关注可靠性胜过性价比的军工和航空航天领域应用十分广泛。但由于此类器件在线编程及擦除操作较繁琐,从而使得利用自动测试系统对其进行测试具有较高难度。因此,探索NOR型FLASH存储器的测试技术,并开发此类器件的测试平台具有十分重要的意义。首先以MICRON公司的PC28F00AM29EW为例,介绍了NOR型FLASH存储器的基本工作原理,接着详细阐述了一种采用J750EX测试系统的DSIO模块结合FLASH分块操作的测试方法,从而能够更简便、高效地对NOR型FLASH存储器的功能进行评价。 相似文献
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针对综合化电子系统硬件模块国产化和小型化后加载方法通用性差的问题,提出了一种基于虚拟并行NOR FLASH技术的嵌入式处理器程序远程加载通用方法.该方法利用板级管理FPGA通过SRIO将远程待加载程序存储到外挂DDR中,并通过双口RAM和虚拟并行NOR FLASH接口将存储在DDR的程序组织成与并行NOR FLASH数... 相似文献
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本文介绍利用TMS320VC5402 片内的Bootloader 并行引导程序,将烧写在FLASH 快闪存储器中的应
用程序引导到DSP 片内独立运行。提供具体电路设计和实现软件。 相似文献
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传统NOR FLASH并行地址和数据总线的引脚过多,使电路设计的复杂性增大,同时也会增加电路板布线空间。为了解决这一弊端,部分微控制器支持SPI eXecute in Place(XIP)接口,SPI NOR-FLASH应运而生。基于此,文中提出一种嵌入式软件设计方案。该方案充分发挥XIP FLASH片上执行代码的关键属性,利用GNU编译器的工作原理,通过链接器的链接脚本将嵌入式软件程序存储在XIP FLASH中,运行时代码段和只读数据段存放在XIP FLASH中,只需将数据段及操作XIP FLASH的关键代码搬运至RAM中运行。此外,对嵌入式软件的执行流程进行设计与说明。所提方案简单、易操作,已在单相和三相表载波通信单元、Ⅰ型采集器通信单元、Ⅱ型采集器、集中器载波通信单元得到充分验证,可广泛应用于用电信息采集系统、输配电系统的本地通信等领域。 相似文献
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《电子与封装》2016,(3)
NOR型FLASH存储器因其能够长久地保持数据的非易失性(Non-Volatile)特点,被广泛用作各类便携型数字设备的存储介质,但由于此类器件的编程及擦写均需写入特定指令,以启动内置编程/擦除算法,从而使得采用自动测试系统对其进行测试也具有较高难度。因此,研究NOR型FLASH存储器的测试技术,并开发此类器件的测试平台具有十分重要的意义。首先以AMD公司的AM29LV160DT为例,介绍了NOR型FLASH存储器的基本工作原理,接着详细阐述了一种采用J750EX系统的DSIO模块动态生成测试矢量的方法,从而能够更为简便、高效地对NOR型FLASH存储器的功能进行评价。 相似文献
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本文介绍利用TMS320VC5402片内的Bootloader并行引导程序,将烧写在FLASH快闪存储器中的应用程序引导到DSP片内独立运行。提供具体电路设计和实现软件。 相似文献
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《卫星电视与宽带多媒体》2014,(2):40-46
DM800se机器采用NAND FLASH芯片存储系统固件,也是目前多媒体高清机顶盒常用的一种FLASH芯片,它和另外一款常用的NOR FLASH芯片相比较, 相似文献
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针对目前DSP系统程序容量有限、烧写流程复杂的弊端,提出了一种面向大容量程序上电自举的方法,采用外扩大容量RAM和FLASH作为程序运行和加载的硬件平台,该自举方法无需特殊程序设计,在程序调试模式下自动完成快速烧写大容量FLASH。而且该方法可以由开发人员根据自己的需求通过配置相应的链接命令文件完成程序片内RAM和片外RAM的地址空间自举设定。该自举程序在多个项目中进行了设计应用,无需文件格式转换,简单灵活、稳定可靠,模块层次清晰,能够很好地移植到其他DSP平台上。 相似文献
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数字信号处理器TMS320F2812的片内FLASH应用程序设计 总被引:1,自引:0,他引:1
在对TMS320F2812片内FLASH进行应用分析的基础上,介绍了DSP片内FLASH基本用法、链接命令文件的编写、以及FLASH烧写方法,同时给出了在内部RAM中运行FLASH中装载的程序,以及如何通过FLASH进行TMS320F2812自举的具体方法。 相似文献
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TMS320VC33并行自举的实现 总被引:1,自引:0,他引:1
为了实现DSP程序的高速运行,DSP利用自身对FLASH进行烧写,将程序写入FLASH中,在上电时将程序从低速的FLASH加载到高速片内SRAM里,然后在SRAM里高速运行,这个过程称为自举。介绍了TI新一代高性能32位浮点DSP芯片TMS320VC33外扩一片富士通公司的512 k×16位FLASH(MBM29DL800TA)并行自举的具体实现过程,着重阐述了自举系统的硬件设计、DSP对FLASH的烧写程序以及具体的操作步骤。 相似文献
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本文以ARM7内核的MCU LPC2458在片外FLASH上运行程序时,采用SWI软中断的方法实现同时写片外FLASH的例子,详细讲述ARM7内核的MCU如何设计SWI软中断程序的流程、方法和应用原理。 相似文献
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MC68HC908系列单片机片内FLASH在线编程 总被引:3,自引:0,他引:3
FLASH(闪速存储器)是一种兼有紫外线擦除EPROM和电擦除EEPROM两者优点的新型非易失大容量存储器件,擦写速度快,集成密度和制造成本与普通UVEPROM相近。在单片机内部集成FLASH,并不是Motorola首创的技术,在Microchip的PIC系列、Atmel的AT89C51系列等单片机中早已引入了片内FLASH技术。但单片机的片内FLASH较ROM或EPROM而言,可靠性和稳定性是最大的问题。Motorola在FLASH技术已相当成熟的时候才推出集成片内FLASH的8位单片机,在应用方便性和可靠性上均有不俗的表现。我们在使用MotorolaMC68HC908GP32开… 相似文献
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随着片内FLASH在MCU领域的广泛应用,ISP(In-system programmable)器件发展广泛。而受益于该技术,大量单片机系统在正常工作电压下,能通过软件更新程序存储空间,从而对系统进行升级。 相似文献