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针对精确制导的应用需求,设计了一种量程为100g"三明治"电容式加速度传感器,通过ANSYS仿真软件在100g及10 000g高过载条件下进行应力分析和模态分析,并通过Matlab分析、优化结构参数从而确定传感器敏感结构的具体尺寸。利用阻抗分析仪分析得到了传感器的静态电容为14.09 pF,结构输出灵敏度为0.281 8 pF/g,传感器的输出灵敏度为13.5μV/g。根据结构特性设计工艺流程并进行关键工艺加工:硅基质量块双面湿法腐蚀、ICP干法刻蚀及玻璃通孔电镀工艺。最终,通过实验验证电容式加速度传感器设计的可行性。 相似文献
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采用有限元方法,针对硅微加速度传感器的对称梁岛结构进行了力学特性分析,通过分析得出了该结构的尺寸对其位移量、谐振频率及模态振型的影响规律,为此类加速度传感器的设计提供参考。 相似文献
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针对加速度传感器在振动分析与故障诊断中的需 求,提出了一种基于椭圆铰链的光纤布拉格光栅加速度传感器,椭 圆铰链和质量块组成加速度传感器理论模型的弹簧质量系统。首先,根据传感器结构的力学 模型,推导出了传感器的灵 敏度和谐振频率的计算公式,进而分析了传感器的结构参数对灵敏度和谐振频率的影响;随 后,采用Lingo软件对传感 器参数进行了最优化分析;最后,基于优化结果设计制作了光纤布拉格光栅加速度传感器, 测试了该传感器的灵敏度、 幅频响应和横向抗干扰等性能。结果表明,传感器的谐振频率约为750 Hz,灵敏度约为128 pm/g,横向抗干扰度小于5%,可用于350 Hz以下的低频微弱振动信号的实时监测。 相似文献
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提出了一种结构新颖的硅微选频振动传感器的陈列,这种传感器是由一系列具有一定的谐振频率的硅悬臂梁、扫描电路和MOS开关等组成。它是利用半导体集成电路工艺技术与硅的各向异性腐蚀相结合的方法混合集成在一块的三维硅基体上的。介绍了这种传感器的结构、工作原理与关键的研制工艺,同时给出了实验结果。 相似文献
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给出了一种新型梳状微机械谐振式磁场传感器的设计。采用静电激励和静电检测,通过罗伦兹力的反馈将磁场的大小转变为频率输出。对结构模型进行简化,推导出了本征频率的计算公式并进行了ANSYS模拟。通过尺寸的设计,该传感器的灵敏度可以达到258kHz/T。 相似文献
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给出了一种新型梳状微机械谐振式磁场传感器的设计。采用静电激励和静电检测,通过罗伦兹力的反馈将磁场的大小转变为频率输出。对结构模型进行简化,推导出了本征频率的计算公式并进行了ANSYS模拟。通过尺寸的设计,该传感器的灵敏度可以达到258kHz/T。 相似文献
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In this paper, a new, simple capacitive tilt sensor with a metallic ball is proposed. The proposed tilt sensor has only two electrodes and a metallic ball, and this design assists in managing the inherent contact problem in measuring tilt angles. Capacitive sensing, compared with other types of tilt sensor, has many advantages such as simplicity, noncontact measurement, long‐throw linear displacement, and sub‐micron plate spacing. Its design and fabrication process are significantly simpler than previous types of tilt sensors. The dimensions of the prototype tilt sensor are , and the diameter of the polystyrene tube is 5 mm with a tube thickness of 0.15 mm. An analytical study of the prototype capacitive tilt sensor was undertaken, and the experimental results demonstrate the relationship between the tilt angles and measured capacitances compared with the analytical study. 相似文献
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微硅隧道加速度传感器设计 总被引:2,自引:0,他引:2
比较了压阻式、电容式和隧道式加速度传感器的特点 ,提出了扭摆式隧道加速度传感器的结构 ,给出了工作原理和设计模型 ,最后给出了结构尺寸、版图总图及试制的芯片照片。 相似文献
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介绍了最新设计的双E型硅传感器芯片的结构及其形成工艺。通过控制不同的敏感硅芯片弹性膜的厚度,即可制得不同量程的双E型敏感硅芯片和加速度传感器。 相似文献