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介绍个人剂量仪的工作原理,利用硅半导体光电二极管测量X、γ射线的特性和新颖的软件处理算法设计了一款个人剂量仪。在中国原子能科学研究院国防科技工业电离辐射一级计量站对仪器进行了测试,测试结果:剂量率测量范围(0.1μSv/h~1 Sv/h);剂量率固有误差:-15%~+4.7%;累积剂量固有误差:-11%~+5.7%;角响应:-19%~+4%(垂直方向),-20%~-2%(水平方向);在能量60 ke V~1.332 Me V范围内,相对137Cs的能量响应:-22%~+0.4%;实验测试结果符合国家剂量仪鉴定规程JJG1009-2006的要求。 相似文献
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常规硅(锂)探测器必须工作和保存在液氮温度下,很大程度上限制了它的应用范围。温差制冷法利用多级半导体温差制冷器(冷堆)使硅(锂)探测器工作在-90℃左右,以达到较好的能量分辨率。 俄罗斯、乌克兰、美国等已从事此研究十多年,取得了较好的结果。我院最近两年正式 相似文献
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高剂量X射线粉末衍射测试说明升高温度有利于γ-Al2O3/Si外延生长,单晶衍射法证明应用低压CVD和高真空外延技术在我们的实验室生长出γ-Al2O3/Siuj单晶薄膜。它们的结晶关系是(100)γ-Al2O3//Si,[010]γ-Al2O3//[010]Si。 相似文献
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硅微条探测器 总被引:2,自引:3,他引:2
孟祥承 《核电子学与探测技术》2003,23(1):4-18
硅微条探测器的位置分辨率可好于σ=1.4μm,这是任何气体探测器和闪烁探测器很难作到的。主要介绍硅微条探测器的特点、结构、工作原理及其在近年来的发展和在高能物理、核医学等领域应用概况。 相似文献
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简要介绍了4π硅球探测器的设计结构、探测器的制备工艺及性能。 相似文献
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多单元硅锂探测器[Si(Li)]是同步辐射X射线的数字减影心血管成象技术中的关键光电敏感元件。 已制备具有30个分立单元,长40mm,宽15mm,厚5mm的预研用Si(Li)探测器,单元灵敏面积为0.9mm宽,单元间隙为0.1mm。在500V工作偏压下,单元平均漏电流为10—45nA,单元间电阻为10—20MΩ。因而,探测器不仅可以用于电流模式的成象系统,也可以用于脉冲模式的能谱应用。在室温下,从一个单元已得到的对59.6kev的γ射线的能量分辨率(FWHM)约10keV。 相似文献
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本文介绍了最大耗尽厚度达5mm,最大有效面积为80—153mm~2的厚灵敏层金硅面垒探测器研制工艺,主要用途和测试结果。 相似文献
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郭云英 《核电子学与探测技术》1994,14(6):321-327
本文就探测器级硅单晶的制备工艺和参数等进行了有益的探讨,发现高真空深度提纯之区熔硅单晶中的细微缺陷,乃是影响探测器制作和性能的关键参数。 相似文献
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研制了一种具有能量分辨能力的中子个人剂量计。该个人剂量计由3层硅探测器组成,硅探测器周围装有6LiF、聚乙烯和含硼聚乙烯作为转化体、慢化体和吸收体。个人剂量计有直读和解谱两种工作模式。直读模式将中子能区划分为低能、中能和快中子3个能区,可实时测量。解谱模式可获得快中子能区的中子能量分布。利用GEANT4程序模拟了7 MeV γ射线的能量沉积谱,设置适当的甄别域以降低γ射线的影响。采用GEANT4程序模拟了个人剂量计对不同能量入射中子的个人剂量当量率响应。在加速器单能中子参考辐射场中完成了单能中子剂量响应的实验校准,对模拟计算的响应函数进行了实验修正,并得出了不同能区的平均中子个人剂量当量率响应。 相似文献
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徐霞军 《核电子学与探测技术》2016,(6):588-591
田湾核电站一期工程辐射监测系统中,大量使用了硅二极管阵列探测器。论文介绍了硅二极管阵列探测器的架构、原理、应用方式和保护逻辑。对运行期间出现的问题,进行了研究和探索,给出了可行的解决方案。 相似文献
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研制了“无窗”的Si(Li)电子谱仪,测量了^207Bi的内转换电子能谱,对能量975.62keV的电子取得了2.07keV的能量分辨率。 相似文献
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dE//dx在物理分析中是粒子鉴别一个非常重要的量,要求测量值必须是对电离强度的无偏估计.所以对空间电荷效应做出修正是非常必要的.论文对不同βγ范围的各种粒子以及不同高压下的空间电荷效应进行了修正.检验结果表明,空间电荷效应的影响非常明显,修正后的结果增加了dE/dx粒子鉴别的可靠性. 相似文献
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用硼离子注入方法制备P~+电极,采用沟槽形结构,成功地研制出高分辨高纯锗低能光子探测器。4个有代表性的探测器能量分辨率分别为FWHM=183,178,165,162eV。探测器灵敏体积分别为φ16mm×12mm,φ13mm×10mm,φ13mm×9.7mm和φ13mm×9.5mm。此4个探测器的性能达到了国际先进水平。 相似文献
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本文介绍高分辨率N型同轴纯锗探测器研制的工艺方法和技术,典型的探测器能量分辨率为FWHM=1.80keV;探测效率为20%;工作偏压为4000V。此探测器性能及技术指示达到了国际同类产品先进。我们的工艺方法和技术是很成功的。 相似文献