新型光电阴极

本文对新型光电阴极的发展作了介绍，分别对干涉型阴极，负电子亲和势阴极及双光子效应阴极进行叙述。     

多碱光电阴极的红外响应

多碱光电阴极的红外响应，对于改善夜视系统探测目标距离能力是一个重要的研究课题。文章从理论上阐述了改善多碱光电阴极红外响应的意义，以及改善多碱光电阴极红外响应的若干可能性问题进行了分析，同时给出了可能条件下的试验结果。     

场助光电阴极研究进展

对场助光电阴极的发展进行回顾,介绍了场助光电阴极的工作原理,系统总结了三种具有代表性的阴极结构,分别是InP/InGaAsP/InP、InP/InGaAs、InGaAs/InAsP/InP光电阴极。InP/InGaAsP/InP双异质结结构是场助光电阴极研究的热点,这种结构大多用于长波阈值达到1.3μm的场助光电阴极;InGaAs异质结结构相对于其他结构具有很高的灵敏度,响应时间快,有利于在条纹变像管中应用;InGaAs/InAsP/InP结构的光电阴极在InP和InGaAs之间提供一层InAsP渐变层,对延长波长阈值非常有利,通过分析不同结构的特点及应用,讨论了场助光电阴极的发展方向以及难点。     

多碱阴极电阻法工艺研究

多碱阴极是一种良好的光电发射材料，具有广泛的用途。本文介绍了一种多碱阴极制作的电阻法新工艺。     

紫外光电阴极研究进展

本文对传统的紫外光电阴极以及新型的宽禁带半导体光电阴极进行了总结和分析,并介绍了它们目前的研究现状.同时,针对紫外探测的需求,提出了它们目前还存在的一些问题,并对未来改进紫外光电阴极性能提出了一些设想和方法.     

K_2SbCs光电阴极光谱响应特性模拟

为了探索高性能K_2SbCs光电阴极的特征结构,对光电阴极量子效率公式进行了推导,并利用推导出的公式对K_2SbCs光电阴极量子效率(≈30%)曲线进行拟合,得到拟合相对误差较小结构参数。另外,根据拟合结果分析了对光谱响应造成影响的因素,包括阴极厚度、光电逸出深度、阴极结构参量、光谱响应截止波长等。探索了该光电阴极结构参数范围,据此分析并设计高性能透射式K_2CsSb光电阴极。     

S25系列光电阴极的光谱响应特性研究

根据多碱光电阴极的光谱响应理论表达式，对Ｓ２５系列阴极的光谱响应曲线进行了理论模拟，得到了这些阴极的有关特性参数，并通过模拟结果的分析，揭示了Ｓ２５系列阴极，特别是Ｓｕｐｅｒ Ｓ２５，具有良好性能的内在机理和可能采用的工艺处理方法。     

二代近帖聚焦像增强器纳秒响应技术

从理论上对光电阴极面发射电子过渡过程进行分析,光电阴极面电阻是影响光电发射过渡过程的主要因素.通过对光电阴极制备技术的改进,使二代近帖聚焦像增强器的管子时间响应小于2ns.     

透射式GaAs光电阴极时间分辨特性研究

时间分辨特性是GaAs光电阴极应用于泵浦探测等领域的一种极为重要的性能参量。采用矩阵差分求解光电子扩散模型的方式计算了光电子连续性方程和出射光电子流密度方程，发现影响GaAs光电阴极时间分辨特性的因素包括GaAs/GaAlAs后界面复合速率、GaAs电子扩散系数和GaAs激活层厚度，之后较为系统地研究了这三种物理因素对GaAs光电阴极时间分辨特性的影响。研究结果表明，GaAs电子扩散系数和GaAs/GaAlAs后界面复合速率与光电阴极的响应速率存在非线性正比关系，且随着两者的增大，GaAs光电阴极将出现饱和响应速率。激活层厚度对GaAs光电阴极响应时间的影响最大，通过激活层厚度的适当减薄可以将GaAs光电阴极的响应时间缩短至20 ps，可满足绝大多数光子、粒子探测的快响应需求。该研究为快响应GaAs光电阴极的实验和应用提供了必要的理论支撑。     

GaAs光电阴极的MOCVD法生长及其激活工艺研究

本文报道了用ＭＯＣＶＤ法生长出了有效的ＧａＡｓ光电阴极材料，并且在国产的ＧａＡｓ光电阴极激活系统上进行激活实验，其反射式积分灵敏度高于１０００μＡ／ｌｍ。     

高真空系统气体成分对GaAs光电阴极稳定性的影响

GaAs 光电阴极以其量子效率高、光谱可调等优点广泛应用于微光夜视领域,尤其以高积分灵敏度的特性区别于多碱光电阴极,而 GaAs 光电阴极负电子亲合势的特性是通过 Cs,O 激活实现的,但是激活结束后,负电子亲合势的维持受诸多因素影响,如激活源、激活方式、气体氛围等。为了探究超高真空系统中影响 GaAs 光电阴极稳定性的因素,开展了 GaAs 光电阴极的激活实验和稳定性实验,对激活光电流曲线与腔室气体成分进行了监测,实验结果表明,在真空度优于 1×10^-6 Pa 的高真空系统中,影响其稳定性的是腔室中的气体成分,其中对稳定性影响最大的是 H₂O,真空系统中 H₂O分压的增加会导致 GaAs 光电阴极的 Cs,O 激活层迅速破坏,光电发射能力急剧下降。     

On the thickness of transmission-mode multialkali photocathode

The thickness of the transmission-mode photocathode directly affects its photoemission efficiency and spectral response. In this paper, the relationships between the thickness and the optical absorption of the photocathode and the escape depth of photo-electrons are discussed, the optimum thickness of the transmission-mode photocathode is theoretically analysed, and the method of monitoring and determining the optimum thickness is proposed.     

Roles of cesium and oxides in the processing of gallium aluminum arsenide photocathodes

The roles of cesium (Cs) and oxides in the processing of gallium aluminum arsenide (GaAlAs) photocathodes have been investigated. The Cs/O activation, Cs/O reactivation and degradation experiments are performed on GaAlAs photocathode. The activated photocurrent, degraded photocurrent and quantum efficiency curves are measured using a self-developed multi-information measurement system. We use the quantum efficiency formula to fit the experimental quantum efficiency curves, and obtain the performance parameters of the photocathode. The results show that the oxide gases play an important role in the degradation of the photocathode, and the Cs atoms could react with the oxides on the degraded surface and the residual oxide gases. Besides, the quantum efficiency of the degraded GaAlAs photocathode could be restored to a good level after Cs/O reactivation.     

Application of negative electron affinity materials to imaging devices

Recent advances in materials technology, activation technology, and device technology have brought to fruition practical imaging devices utilizing NEA photoemitters. This paper describes the characteristics of proximity-focused image tubes utilizing large-area semitransparent, single-crystal III-V photocathode structures. Since the spectral response of the photocathode is determined by choice of the material used as the photoemitting layer, specific choices allow optimization for specific applications; e.g., laser illuminators. The material selection criteria and methods of fabricating the photocathode material structure will be discussed. The use of NEA materials allows the separation of the bulk photocathode material from other tube processing variables and has allowed a high degree of reproducibility from device to device. Specific device characteristics to be included in this discussion are resolution, stability of the photocathode during operation, and photocathode spectral data.     

电子倍增型GaAs光阴极实验研究

电子倍增型GaAs光阴极是利用雪崩倍增效应的一种新型光阴极组件,通过在常规GaAs光阴极中引入雪崩电子倍增层制备了GaAs光阴极/电子倍增器一体化组件,研究了该组件的热清洗温度、电子增益等性能.对组件热清洗工艺前后的I-V特性进行了对比测试,结果表明,该组件可以承受580℃的热清洗温度,并获得了12.6倍的电子增益;880nm处的探测灵敏度≥3.87mA/w;暗电流密度≤6.79×10^-5mA/cm².     

Mean Transverse Energy of Electrons Emitted from GaAs/GaAlAs Transmission Photocathode

A GaAs/GaAlAs transmission photocathode surface topography is examined with a scanning electron microscope(SEM)in the secondary emission mode.The contributions of photocathode surface topography to mean transverse energy of electrons emitted from the photocathode are calculated.Measurement is made of the variation of mean transverse emission energy with activating time during the course of activation.It is shown that the scattering of the photoelectrons in the Cs/O layer is the primary cause of the unexpectant high values of the mean transverse energy of electrons emitted from GaAs/GaAlAs photocathod.A method is proposed for the reduction of te mean transverse energy of electrons emitted from the photocathode.     

光阴极电压对微光像增强器性能影响研究

文章基于阴极半导体电子发射理论和微通道板(MCP)电子倍增基本物理过程,分析阴极背景噪声和信噪比与阴极电压的关系,分析指出:像增强器背景噪声会随着阴极电压的增大而增长;像增强器系统噪声因子随着阴极电压的增大而减小,并趋于饱和。通过实验证明:增大阴极电压的幅度,像增强器背景噪声随之呈指数增长;输出信噪比随之呈单调增长,并趋于饱和。由此得出阴极最佳工作电压在-160V左右。     

透射式多碱光阴极厚度的研究

透射式光阴极的厚度,直接影响光阴极的光电子发射效率和光谱响应。本文讨论了光学吸收和光电子逸出深度与多碱光阴极厚度的关系;从理论上分析了透射式多碱光阴极的最佳厚度。并提出了确定最佳厚度的监测和计算方法。最后给出了多碱光阴极在几个给定工作波长的最佳厚度。