微结构光寻址电位传感器阵列芯片的研制

详细介绍了采用MEMS技术研制的三维微结构LAPS阵列芯片,芯片表面划分成5×7个敏感单元,其中每个敏感区表面设置40×40个硅尖阵列,芯片背面对应地形成光耦合阵列窗口.一个5×7矩阵的红外LED作为光源控制的耦合到芯片背面的阵列窗口.给出了LAPS阵列芯片的扫描电镜照片和多种生化参数的光寻址测试结果,分析讨论了芯片厚度、LAPS曲线线性度对系统性能的影响.     

多芯片组件光互连的实现途径

着重讨论光互连技术在多芯片组件中的潜在应用。分析结果表明光互连技术在多芯片组件中应用应包括：组件的输入、输出、时钟分布以及内部芯片间互连等。     

IBM宣布已在光芯片领域取得突破性进展

蓝色巨人IBM最近宣布，已经在光芯片领域取得了突破性进展。     

适用于小卫星的低成本相控阵天线技术研究

相控阵天线时卫星雷达天线的发展方向之一,但由于价格高昂,多年来制约了其在星载平台的发展.随着近年来新材料、新器件的面世及发展,如TR组件专用多功能芯片、MEMS移相器、SiGe芯片、CMOS芯片等技术在不断发展.采用这些先进技术,可有效降低相控阵天线的成本.     

超宽带光电子芯片技术研究北大核心

超宽带光电子芯片是下一代无线通信、先进电子信息装备中光纤传输与信号处理的关键元器件,芯片中光子、电子、电磁场之间的相互作用是决定芯片性能的核心因素。文章通过介绍超宽带光电探测器芯片、电光调制器芯片等方面的研究进展,分享课题组在破解上述核心科学问题、提高芯片性能的关键技术方案。     

几种新型宽带光接入方案及关键光电器件(续)

(上接第4期) 2.3高速、可调波长和单片集成式光发射芯片(EAML-SOA) 对于40G TWDM-PON发射端来说,首先要解决宽带光芯片问题.为了缩小体积,提高光电性能,国内外正在研发宽带单片集成芯片.这种芯片性能优越,可充分满足40G TWDM-PON发射端技术要求,具有多种可能结构形式.其中,基于电控技术、波长可调谐的光发射芯片EAML-SOA,性能优越,商用化程度较高,EAML-SOA把具有MQW-LD、相移(DBR)、电吸收调制(EAM)、半导体光放大(SOA)单片集成在InP基片上,其芯片结构示意图如图5所示.     

基于国产核心芯片的单兵继保测试设备设计

继保测试设备在变电站运维中起着至关重要的作用,然而当前多采用以进口芯片为核心的方案设计,存在芯片断供的风险,间接危害电网的安全稳定.为降低设备对进口芯片的依存度,设计一种基于国产核心芯片的单兵继保测试设备.文章分析了单兵运维下的应用场景和性能要求,调研了国产核心芯片和外围电路芯片的现状.以国产芯片全志T3为核心芯片,外...     

高科技竞争的焦点：高技术芯片

芯片作为计算机产业的核心材料,一直处在各国高科技竞争领域的前沿,一大批技术更高,功能更强的芯片的不断出现,时刻改变着计算机工业的面貌.     

EPON ONU芯片的硬件验证与测试平台设计

介绍了SHU 2006 ONU芯片的硬件验证与测试平台系统,利用该验证平台实现了SHU 2006 ONU芯片的功能以及TBI高速接口的时序测试.在该验证平台上,100M以太网的FTP数据传输速率可以达到8Mb/s.     

功率裸芯片的测试与老化筛选技术

由于存在高温度、大电流等问题,传统的测试与老化筛选功率管的方法不能完全适用于功率裸芯片.介绍了采用临时封装夹具来测试与老化筛选功率裸芯片的技术,并根据功率裸芯片的实际情况,阐述了测试与筛选功率裸芯片的方法.