4千兆赫下输出5瓦的功率晶体管

美国微波半导体公司最近报导该公司生产的微波功率晶体管在4千兆赫频率时,功率输出为5瓦,功率增益为4分贝,效率为30％,这一产品的型号为MSC4005,这一系列的MSC4003工作频率在4千兆赫时,输出功率为2.5瓦,增益为6分贝。MSC4001工作在4.5     

金绿宝石激光器平均输出功率达100瓦

美国联合公司(Allied Corp)已将一台金绿宝石可调谐固体激光器交付给洛斯·阿拉莫斯国家实验室。该激光器可在0.7微米至0.81微米间的各个波长发射100瓦平均功率。公司称之为“世界最高平均功率、窄带宽、可调谐固体激光器”。金绿宝石激光器可以脉冲或连续方式运转，可用弧光灯或氩离子激光激励。     

丹佛斯VLT系列新增大功率F框架式型号

丹佛斯公司的VLT系列变频器最近又新增数款大功率型号。其中,F1框架式型号的最大功率为783千瓦,尺寸为2205×1400×607毫米;F2框架式型号的最大功率为1007千瓦,尺寸为2205×1803×608毫米。VLT系列对应460伏或690伏交流供电,目前最大功率为1007千瓦。     

LSA二极管用于小型雷达

以前,由于缺乏能够在微波频率下可靠地工作的固态元件,因此尚未制成经济实用的小型雷达。最近,固态工艺中的进展引起雷达界的注意,从限制空间电荷积累(LSA)二极管可以得到2千瓦的大功率脉冲。LSA功率源制造者声称,能够制作在C波段效率为10％的 2千瓦LSA二极管。在X波段,二极管可产生600瓦脉冲功率,在Ku波段为150瓦。对于近距离雷达和导航电子信标,以上功率足以够用。用LSA可以制成适用于小型舰艇的坚固可靠的小型雷达。     

光泵YAG激光技术的突破

美国密苏里州激光二极管产品公司已制成一种二极管激光泵浦的YAG激光器，连续输出功率为1瓦。公司说，这个功率水平象征着商用二极管泵浦YAG技术的突破，该器件不用液冷，而用固体冷却，故有异常高的连续功率。     

放电CO2激光器的评述

根据用闭合放电管和慢流速气体激光器所进行的研究,多数研究者相信,直至几年以前,从CO2激光器中可能获得的输出功率的上限接近100瓦/米（放电长度）。1967年,联合飞机公司的研究实验室采用使气体迅速流过放电区的方法,将CO2激光介质对流冷却,曾由30厘米长的CO2:N2:He放电长度获得800瓦的输出功率。1968年末和1969年初,功率分别上升到9千瓦/米和11.5千瓦/米。由于这一工作的结果,对流冷却过程在放电CO2激光器中的优点现在已为大家所公认（见资料1~10)。     

近几年毫米波源的增长情况

从1960年至1966年毫米波(直至100千兆赫)功率源大为增加。例如,1960年,在5.5毫米波长时最大連续波功率为5瓦,而到1966年,功率已达6千瓦,在3～5毫米波长时脉冲功率为150千瓦。目前美国投入工业生产的毫米波連续波振荡器管型列于下表:     

微波管的功率和效率达到了新水平

由于微波管设计师能动性的增强,已经使行波管在ku波段连续波功率超过1千瓦,在100千兆赫连续波功率超过100瓦,而使回旋管在140千兆赫产生接近200千瓦的连续波功率。     

用于卫星地面站14千兆赫和30千兆赫的高功率耦合腔行波管

用于卫星地面站的14千兆赫、1千瓦耦合腔行波管和30千兆赫、800瓦耦合腔行波管已研制成功,14千兆赫的行波管采用设计得轻巧、紧凑的永磁聚焦装置,并在整个14.0～14.5千兆赫的频带内给出1千瓦输出功率。30千兆赫行波管采用螺旋管线包聚焦并在整个2.5千兆赫瞬时带宽范围内提供800瓦功率输出。这两只管子均为风冷式。在特殊情况下,为了冷却管体,30千兆赫行波管采用几段热导管。     

散迪厄的高功率HF化学激光器

美国散迪厄实验室已研制成4.2千焦耳的脉冲激光器,这是一台用电子束激励的氟化氢激光器。激光脉宽为20到30毫微秒;峰值功率约为2×10¹¹瓦。4.2千焦耳是该室以前制成的电子束激励的氟化氢激光器脉冲能量的近两倍。     

连续波功率为200千瓦、频率为28千兆赫的回旋速调管的研制计划

本计划的日的,是研制能在28千兆赫频率产生200千瓦连续波功率的微波放大管或振荡管。管子应用了回旋谐振互作用效应。1978年第二季度,对设计的第二只连续波回旋振荡管进行了脉冲测试,峰值输出功率达132千瓦,平均输出功率达20千瓦。随后又对管子进行连续波测试,这时,管子工作在最大电子注功率640千瓦下,连续波输出功率为105千瓦。在这样的功率输出下,输出窗发生了热炸裂(Thermal break).在未改变设计的条件下重装了该管,并送至橡胶岭实验室使用,管子工作于50千瓦的连续波功率输出。     

其它国家商业信息

美同杜肯超声公司(Dukand Ultrasonics)推出了第一部提供1000千瓦功率的40千赫兹超声塑料探伤代。该制造商报道说,新系统提高了功率,因而将能够对     

简讯

GaAsFET在功率和频率方面达到新的水平 德克萨斯仪器公司认为,在4～30千兆赫范围内,GaAsFET将是主要的微波功率源。在许多x波段系统中将代替耿二极管和崩越二极管。在空军资助下他们研制的GaAsFET在10千兆赫下输出3.2瓦、增益6分贝、效率22％,单个器件在8千兆赫下输出5.1瓦,增益5分贝、效率35％。 该公司将把8千兆赫1瓦的器件MSX803的单价由1000美元降到250美元(1～9只一批)。并予计在年内将能出售8千兆赫2瓦的器件,其价格可能是1瓦器件的2～3倍,大约是500美元到750美元。     

700瓦迪续波商售二氧化碳激光器

据悉,雷声公司研制出一种LG-16型激光器(定价55,000美元)。据估计,该器件至少有大于700瓦的连续波输出,是当前功率最大的商售激光器。该公司有可能在1967年出售10个工业用激光器。大于700瓦,是一个相当可观的数字。如果在桌子上堆积一些耐火砖,让它正对着激光束,然后把这光束聚焦成细束。这样在30秒或更短的时间内就可把耐火砖烧穿,这时它的功率仍低于最大功率。绝对的最大功率是很难确定的,但是可以知道直流功率源大约10千瓦,系统的电效率大约为12.8％。保持每分钟5加仑的水进行冷却时,即使在耗散峰值功率的情况下激光器也不     

微波功率晶体管和微波集成电路放大器现状

微波功率晶体管现状由于市场的迫切需要和激烈的竞争,微波功率晶体管仍然以飞快的速度发展着。我们可从5瓦连续波器件的频率增长情况来衡量这个发展速度。这个曲线正好是从每一个商品型号的测量值画出来的,用它来分析过去的性能和预示今后的器件性能水平是很有用的。如我们能从图1中看到,5瓦器件的性能已达到4千兆赫。虽然曲线表示出在最近的时期内发展的速度有点缓慢,但可望在1973年初制成5千兆赫下连续功率5瓦的器     

日本用光纤对传输1千瓦固体激光进行应用试验

日本电气公司除提供一系列低功率固体激光器外,还能提供平均功率为600瓦的闪光灯脉冲固体激光器和连续输出功率为1.2千瓦的激光器。东芝公司的闪光灯脉冲固体激光器的平均输出功率为1千瓦，连续工作激光器的平均输出功率为1.4千瓦。     

GaAs场效应晶体管

<正> 日本电气公司窄凹栅结构的低噪声 GaAsFET 已在12千兆赫下达到噪声系数1.68分贝,在4千兆赫下为0.7分贝。而三菱电机公司的缓变凹栅结构的封装器件在12千兆赫下最小噪声系数已达1.3分贝,未封装的芯片在16千兆赫下噪声为1.8分贝,在18千兆赫下为2.1分贝。功率 GaAsFET 目前三种不同的主要结构是:日本电气公司的缓变凹栅结构,富士通公司的源、漏下做 n~+层的结构和三菱电机公司的铜热沉上芯片倒装的结构。日本电气公司已达到6千兆赫,23瓦;8千兆赫,17瓦;18千兆赫,1.25瓦。三菱电机公司已达到15千兆赫,1.9瓦。     

微波功率晶体管近几年来的发展水平

微波功率晶体管近几年来的发展速度保持着迅速的步子。以5瓦连续输出功率晶体管为例,1962年频率为0.25千兆赫,1964年为0.5千兆赫,1966年为1千兆赫,1968年为2千兆赫,1969年计3千兆赫,1972年为4千兆赫,1973年可达5千兆5瓦。在不久的将来连续输出5瓦的功率管每1～2年可望提高1千兆赫。     

S和X波段肖特基势垒栅场效应功率晶体管

在S和X波段的频率范围内,砷化镓肖特基势垒栅场效应功率晶体管正与行波管相竞争。普莱赛公司宣称,这种功率器件比行波管更可靠,效率更高,电源更简单。这些特点对于卫星通信和相控阵雷达这样一些应用来说是特别吸引人的。对于卫星系统,在典型情况下,约需1瓦的功率就行了。制成的器件在3千兆赫下,输出功率大于1瓦,增益大于8分贝,效率为30％,即将投入商品生产。预计将达到5千兆赫,并在8～12千兆赫可以达到可比较的性能。但是在X波段以上,恐怕还不能与行波管相争。设计了两种几何形状的器件,一种是梳状的源和漏,其间为曲折状栅,片子上共有四个单元,由键合互连,源和漏接触是铟、锗和金,用铝作肖特基栅。另一种是菱形的     

砷化镓功率场效应晶体管的X波段性能

本文介绍 X 波段砷化镓功率场效应晶体管(FET)的测量结果。这些器件是用简单的平面工艺制作的。多个单元并联的器件在9千兆赫下,输出功率大于1瓦,增益大于4分贝。4分贝增益下,最大输出功率在9千兆赫下为1.78瓦,在8千兆赫下为2.5瓦。8千兆赫下,器件功率附加效率为46%。