22纳米3D晶体管技术

Intel在微处理器晶体管设计上取得重大突破,沿用50多年的传统硅晶体管将实现3D架构,一款名为Tri-Gate的晶体管技术得到实现。3D Tri-Gate晶体管使用了一个微薄的三维硅鳍片取代了传统二维晶体管上的平面栅极,使得晶体管可以更加紧密地靠在一起,从而大大提高晶体管密度。这种设计可以在晶体管开启状     

实现晶体管革命性突破——英特尔宣布22nm芯片采用全新3D结构

5月4日,英特尔公司美国加州总部宣布在晶体管发展上取得了革命性的重大突破。晶体管是现代电子设备的微小的元件。自50多年前硅晶体管发明以来,3D结构晶体管史无前例将首次投入批量生产。英特尔将推出被称为三栅极(Tri-Gate)的革命性3D晶体管设计(英特尔曾在2002年首次披露),并将批量投产研发代号IvyBridge的22nm英特尔芯片。     

新工艺创造新体验——第三代智能英特尔酷睿处理器正式发布

4月24日,北京天文馆。英特尔公司宣布推出令人瞩目的第三代智能英特尔酷睿处理器四核系列(此前研发代号为IVy Bridge),为游戏玩家、媒体发烧友以及主流用户等带来震撼人心的增强型视觉和计算性能体验。第三代智能英特尔醋睿处理器是世界上首款采用英特尔22nm制程工艺和3-D三栅极晶体管技术的微处理器。新款处理器现已应用于性能强劲的高端台式机、笔记本电脑以及超薄一体机电脑中。     

三维晶体管震撼登场 摩尔定律仍将延续

2011年5月5日,Intel宣布了"年度最重要技术"——世界上第一个3-D三维晶体管"TriGate"。半个多世纪以来,晶体管一直都在使用2-D平面结构,现在终于迈入了3-D三维立体时代。三维晶体管意义非凡3- Tri-Gate使用超薄的三维硅鳍片取代了传统二维晶体管上的平面栅极,就好比是让原本平躺着的晶体管站立了起来。硅鳍片的三个面都安排了一个栅极,其中两侧各一个,顶上一个,用于辅助电流控制,而2-D二维晶体管只在顶部有一个。由于这些硅鳍片都是垂直的,晶体管可以更加紧密地靠在一起,从而大大提高晶体管密度。     

魅族E3C尊贵问市

在“普及顶级音质”魅族飞芯战队中，堪称”尊贵之作”的E3C可谓是身份，地位极其重要的将军级产品。早在X3上市之时，魅族首款彩屏E3C的动向就尤为受人关注．近三个月的时间让众多粉丝牵肠挂肚．时下其终于在万众瞩目中现身。     

3D时代全面到来还言之过早

在2010年的CES展会上，索尼高调宣布今后的发展战略全部与3D技术密切相关；不久前的中国三星论坛，也为全球首款3D LED电视在中国正式上市拉开帷幕；就连英特尔这样跟3D似乎扯不上关系的厂商，也在IDF上一再提及对3D技术是如何的看好。     

基于电容模型的多层栅FFET研究

通过SILCAVO软件仿真了铁电场效应晶体管漏极电流Id特性。在研究了单层栅极的结构铁电场效应管的Id与铁电参数(ε,Ec,Pr,Ps/Pr)的关系基础上,提出了一种新型结构—电容模型多层栅极结构的铁电场效应管研究,发现具有多层栅极结构的铁电场效应晶体管的工作电压较高,具有抗干扰的优点;在栅极电压介于3~4V之间容易饱和极化,器件输出特性稳定,对材料性能不敏感,易于制造和便于电路设计;其极化前后输出的漏极电流差较大,有利于信号的分辨,提高电路工作效率。仿真结果为人们研究高性能铁电场效应晶体管提出了一个新的思路。     

In-cell触控屏用两级预充电栅极驱动电路

由于触控侦测阶段的保持电荷损失和驱动晶体管的阈值电压漂移,传统的栅极驱动电路用于高触控侦测率的内嵌式(in-cell)电容触控屏时存在稳定性不佳的问题.本文提出了一种具有两级预充电结构的栅极驱动电路,可有效地减少触控侦测阶段的保持电荷损失量,并抑制驱动晶体管的阈值电压漂移.仿真结果表明,传统栅极驱动电路和新栅极驱动电路...     

LG首款裸眼3D手机LGP920 眼见为实

ODtimus系列可以说是LG旗下Android操作系统手机的代名词,而且近期推出的Optimus系列手机越来越彪悍,先有了全球首款双核手机0Dtimus 2X P990,如今又推出了旗下首款双核裸眼3D手机Optimus 3D P920,虽然P920并不是全球首款裸眼3D手机,但是其3D性能却相对有所提升．表现非常出色。     

让3D娱乐风靡全球 华硕VG236H-A

为了迎接全高清3D显示时代的到来,华硕近日正式推出旗下首款全高清的3D液晶显示器——VG236H-A。     

基于石墨烯晶体管的多巴胺检测微流控芯片

设计并制备了一种集成液体栅极的石墨烯场效应晶体管的微流控芯片,利用其对多巴胺进行检测,研究了多巴胺分子对石墨烯场效应管转移特性的影响。将石墨烯转移到载玻片上作为导电通道和传感材料集成在微流通道内部,利用剥离(lift-off)工艺制作晶体管的源极和漏极,采用液体栅极的方法对晶体管的转移特性进行测试。同时,结合微电子学的能带理论,从电子迁移的角度出发,讨论了石墨烯和多巴胺之间的氧化还原反应。并采用金属Pt电极作为石墨烯晶体管的栅极,检测到了1 nmol/L浓度的多巴胺溶液。     

潮流硬件

保时捷MPeye立体声滑盖MP3发布；爱可视硬盘式掌上影院AV42与GMINI400；世界上首款立体声蓝牙耳机；超薄数码相机DiMAGEX50；全球第一款声控彩屏MP3FM-3300。     

感受富士3D影像系统—富士FinePix REAL 3D W1数码相机体验

在上一期杂志中，我们在技术趋势栏目向大家展望了3D影像系统的发展应用前景，以及富士首款3D相机的上手感受，这一次，通过更长时间的使用，我们这台世界首款3D相机的表现有了更加深刻的理解。3D摄影，有了一个不错的开始，但距离成熟和完美还有不小的距离。     

新思科技与三星合作加速推广变革性3 nm GAA技术

新思科技近日宣布,其Fusion Design Platform已支持三星晶圆厂实现一款先进高性能多子系统片上系统(SoC)一次性成功流片,验证了下一代3 nm环绕式栅极(GAA)工艺技术在功耗、性能和面积方面的优势.此次流片成功是新思科技和三星之间广泛合作的成果,旨在加快提供高度优化的参考方法学,实现全新3D晶体管架构所固有的卓越功耗和性能.     

国产MP3 从产品占位到技术占位

全球首款全中文触摸屏MP3、可通话MP3、游戏型MP3、国内市场首款视频＋插卡MP3、摄像MP3、音响MP3、SRS音效MP3、纳米双镜面MP3……今年以来，国内IT数码厂商在MP3市场继续高歌猛进，占据压倒性市场份额的同时，也一举打破了长期“技术沉默”的尴尬，享有了更加充足的市场话语权。以DEC中恒、明基、蒙恬等为代表的国产大品牌凭借技术上的长期蓄力，终于以颇具震撼力的产品展露峥嵘。市场分析人士认为。国产MP3正在实现由产品占位到自主研发技术占位的实质性跨越。     

氢离子敏场效应晶体管温度特性的实验研究

引言氢离子敏场效应晶体管(HISFET)是一种被用来测量溶液中氢离子浓度(pH 值)的新型半导体化学传感元件。它的结构与普通绝缘栅场效应晶体管类似。栅绝缘膜为二氧化硅(SiO_2)和氮化硅(Si_3N_4)双层结构,无金属栅极。用硅平面工艺制作。与一般半     

新品速递

Avid Alienbrain Studio 7．5发布；GAME TRUST发布GAME FRAME 4．7；LG展示全球首款百万多边形加速3D游戏手机     

硅纳米线:芯片设计领域的下一大热门

晶体管架构方面的下一步很可能是硅纳米线——这种极薄的硅导线将组成晶体管的沟道,四面由环绕式二氧化硅围住,这种二氧化硅就叫高K金属栅极(high-K metal gate)。     

富士推出全新3D相机

继2009年8月成功推出全球首款3D数码相机——FinePixR EAL 3D W1之后．富士胶片公司今天自豪地宣布其新产品——FinePix REAL 3D W3正式亮相．进一步凸显了该公司在3D成像摄影领域的领导地位。     

面向3G基站的基于专用晶体管（带综合偏置）的非对称Doherty技术

文中介绍了一组专用LDMOS晶体管。该产品用于非对称Doherty拓扑，在这个拓扑中，载流子（主）晶体管包括一个集成的AB类偏置，而峰化（从）晶体管则包括一个集成的C类偏置。两种晶体管采用相同封装，但输出功率有1dB的差异，以提高Doherty的整体效率，并构建56dBm（400W）峰值功率放大器。文中还介绍了支持CW和3G信号的整体Doherty放大器的设计和测量，并显示了该解决方案相对于使用经典“AB类优化”晶体管的常规对称Doherty放大器的优势。