稀土永磁材料辐照效应研究进展

稀土永磁材料以其优异的磁性能而日益得到广泛的应用,人们对其在各种环境下的磁性能稳定性,包括辐照环境下的性能越来越关注.本文对稀土永磁材料的辐照效应研究进行了回顾,包括质子、中子、电子、γ-射线与X-射线辐照的影响,并总结了稀土永磁材料辐照损伤机理方面的研究,指出为提高稀土永磁材料的抗辐照能力,还需深入研究以揭示辐照损伤机理.     

利用混合稀土制备稀土永磁体的工艺研究

用富含La,Se的混合稀土代替部分PrNd合金作为原料,按(NdPr)18.2(MM)13.6Fe66.22B1.08Cu0.2Al0.7(质量分数)进行配料,以甩带熔炼方式形成薄带状合金,合金经氢破碎后,用气流磨制成粉末,最后经压制、烧结得到一种廉价稀土永磁体.用磁性测量仪测量了样品的磁性能;用定氧仪考察了防氧化剂对粉体氧含量的影响,用SEM观察了烧结样品的组织形貌.该永磁体的剩余磁感应强度为1.16～1.2 T,内禀矫顽力为960～1 000 kA/m,磁能积为248～264 kJ/m3.该磁体性能与N33,N35钕铁硼磁体性能相当.     

γ-射线辐照对碳纤维结构的影响

碳纤维（CF）经γ-射线辐照可以改善其与树脂复合的界面性能,从而提高复合材料的层间剪切强度（ILSS）。为了研究辐照改性CF的机理,采用X射线衍射（XRD)、拉曼光谱、X射线光电子能谱（XPS）、电子扫描电镜（SEM）等分析方法研究了CF经辐照后结构的变化。     

碳纤维γ射线辐照处理对其复合材料界面性能的影响

采用γ射线辐照方法对碳纤维（ＣＦ）进行改性,研究了辐照对ＣＦ增强复合材料层间剪切强度（ＩＬＳＳ）、ＣＦ复丝拉伸强度的影响,并使用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）、扭辫分析、微脱粘测试等分析方法,对ＣＦ的表面化学组成和复合材料界面粘合强度进行了表征。结果表明,辐照使ＣＦ表面与环氧涂层发生了化学反应,复合材料界面粘合强度提高,ＩＬＳＳ增大,ＣＦ本体拉伸强度未发生变化。     

气氛对γ射线辐照氟橡胶降解产物的影响

氟橡胶F2311[偏氟乙烯和三氟氯乙烯（1：1）共聚物]在真空、氮气、空气三种气氛条件下经50－1000kGy剂量γ射线辐照发生降解反应,辐射降解产物用GC－MS、离子选择性有、原子吸收光谱、红外光谱等方法分析测试。产生和H2（在空气气氛中除外）、HF、HCl、CO2等气体的量随剂量的增加而增大;在空气气氛中剂量达到500kGy时产生的H2的量为最大,剂量再增加时逐渐减小;氮气的存在对F2311的幅射降解反应具有一定的抑制作用。F2311辐照后产生－CF＝CH－、－CF＝CF－、＞C＝O等基团。     

高温稀土永磁体Sm(CoCuFeZr)z的研究现状

总结了影响高温磁体使用温度的关键因素，分析了成分对高温永磁体Sm(CoCuFeZr）z使用温度的影响，概括了高温永磁体Sm(CoCuFeZr)z的矫顽力机理，并探讨了高温永磁体Sm(CoCuFeZr)z今后的研究方向。     

Pseudo-MOS方法表征SIMOX SOI材料总剂量辐照效应

为了缩短SOI材料的改性研究周期,利用pseudo-MOS方法研究了SIMOX SOI材料的总剂量辐照效应.试验采用硅注入绝缘埋层后退火得到改性的SIMOX SOI材料,通过对比改性前后样品在辐照前后的pseudo-MOSFET ID-VG特性曲线,分析改性工艺的影响.研究结果表明,合适的改性工艺能有效提高材料抗总剂量辐照效应的能力,pseudo-MOS方法在大大缩短SOI材料改性周期的基础上,能准确、快捷地对材料的总剂量辐照效应进行表征.     

γ射线辐照对类金刚石薄膜结构与特性的影响

用射频等离子体方法在玻璃基底上制备了类金刚石薄膜。分析了γ射线辐照类金刚石薄膜（以下简称ＤＬＣ薄膜）的结构与特性改变。采用Ｒａｍａｎ及红外光谱进行结构分析表明：随辐照剂量的增加，在膜中出现ＳＰ３Ｃ—Ｈ及 ＳＰ２Ｃ—Ｈ 键的断裂与减少，ＳＰ３Ｃ—Ｃ键的略微增加．当辐照剂量达 １０ ×１０４Ｇｙ时，ＳＰ３Ｃ—Ｈ键减少约５０％，与此同时，出现膜中氢的重新键合，并从中释出。γ射线辐照使ＤＬＣ薄膜的电阻率呈上升趋势，膜的类金刚石特征更加明显，结构得到改善。本文对γ射线对ＤＬＣ薄膜的辐照机制进行了简要的讨论。     

Nd-Fe-B永磁体化学镀镍抗腐蚀性能的研究

利用化学镀镍方法成功地实现了对稀土永磁体Nd-Fe-B的抗腐蚀性保护。选择适当的预处理工艺与专用化学镀镍槽液相结合,可获得抗腐蚀性能良好的镍保护层,化学镀双层镍的抗腐蚀性能尤其突出。     

玻璃的辐照效应及耐辐照改性研究进展

航天科技、核医学、核能工业和绿色建筑的发展对使用在辐射环境中的玻璃提出了越来越高的要求。玻璃在辐射环境中会发生微观结构变化和宏观性质改变,耐辐照玻璃是一种在高能射线或粒子辐照后可见光区透过率下降较小,能保持物理化学性能稳定的特种玻璃。阐述了玻璃的辐照效应研究现状,介绍了玻璃耐辐照改性的研究进展及挑战,并提出了值得关注的新趋势。     

电磁脉冲对数字电路的辐照效应

电磁脉冲对数字电路的辐照效应成为当今重要的研究课题,在用电领域具有重要的意义。主要是通过改变磁场的极性、强度、被试器件的类型等试验条件,进而研究电磁脉冲辐射场对数字电路的辐照效应。     

新型闪烁体的辐照效应

介绍了新型闪烁体辐照效应的研究进展,高能物理实验中使用的闪烁晶体（如ＰＷＯ、ＧＳＯ：Ｃe、CeF3等）用于强辐照环境,要求高辐照硬度。闪本在辐照后可能产生的变化主要有效：色心的形成、光输出改变、光输出均匀性的损伤、输出噪声增加、闪烁机制的变化。辐照效应的产生主要是晶体的缺陷所致,提高闪烁体辐照硬度的主要方法有退火、漂白、掺杂、控制晶体生长条件等,本文对此均作了较系统的综述了,同时也简介了研究辐照效应的实验方法：光谱分析法、热释光法、电子顺磁共振法、正电子湮没技术。     

TiNi基形状记忆合金的辐照效应

材料辐照效应是入射粒子与物质交互作用造成的物质微观组织结构与宏观性能的变化。辐照效应不仅是改善材料表面性能的重要手段,而且也是特殊环境应用材料可靠性评价的重要组成部分。TiNi基形状记忆合金是一种重要的金属智能材料,具有独特的形状记忆效应和超弹性,已在卫星、空间站等航天器以及生物医学中广泛应用。本文阐述了Ti-Ni基形状记忆合金在空间粒子(质子、电子)以及离子辐照改性的研究进展,辐照效应会对TiNi合金的微观组织结构产生影响,进而改变合金的相变行为和力学行为。然而目前关于TiNi基合金的辐照效应的研究仍处于起步阶段,组织结构和相变行为的变化规律和机理还未研究清楚,有关形状记忆效应的研究较少,仍需深入研究辐照参数、组织结构、相变行为和功能特性之间的内在联系。     

γ射线辐照HDPE/微晶白云母填充体系力学性能的研究

采用γ射线辐照在DPE分子链上引入含氧极性基团，增加了HDPE与微晶白云母的界面相容性，研究了界面增容剂对γ－HDPE／微晶白云母体系力学性能的影响，通过SEM对该体系的形态结构进行了研究，探讨了界面增容剂的作用；研究了粒径对γ－HDPE／微晶白云母填充体系力学性能的影响，结果表明，通过γ射张辐照增容，该体系的强度和韧性明显提高。粒径5000mesh，在体系中含量为40％（质量）的微晶白云母可使该体系的屈服强度和缺口冲击强度从HDPE的24．2MPa和210J/m分别提高到32．8MPa和388J／m。     

γ—辐照射（2,6—萘二甲酸乙二酯）的正电子湮没寿命谱及…

用正电子湮没寿命及热释电方法相结合研究了γ－辐照聚。由ＰＡＬＳ测得随辐照剂量的增加，ＰＥＮ中自由体积减小，这说明分子链堆砌肾密，分子间距离减小。而ＴＳＣ的结果表明，ＰＥＮ中载波子陷阱深度变浅，空穴注入数量增加，这两种实验结果说明分子间距离减小降低了导带的能级，从而使陷阱变浅，空穴注入增加。另外，γ辐照产生的交联与降解引起ＰＥＮ中可运动分子链段数量的变化与ＴＳＣ中初始载流子浓度有很好的相关性，说明热     

一种提高烧结NdFeB永磁体耐蚀性的加工方法的研究

烧结NdFeB材料因其优异的磁性能特点而获得广泛应用,但它耐蚀性差,容易氧化腐蚀,而且NdFeB材料在烧结后需进行成型加工.对NdFeB材料进行了超声振动辅助电火花加工实验研究并探讨了这种能提高加工表面耐蚀性的新型方法.实验结果表明电火花加工后在材料的表面形成了一层非金属合金,从而提高了材料表面的耐蚀性.     

γ辐照和电子束辐照对猪肉火腿肠质量的影响研究

比较研究了经不同剂量的γ辐照(GR)(0,5,10,15,20 kGy)和电子束辐照(EB)(0,5,10,15,20kGy)处理的猪肉火腿肠在30℃下储藏10 d过程中的品质(TBARS值、硬度、色泽),感官特性和细菌总数的变化.结果显示,GR辐照与EB辐照对猪肉火腿肠在储藏过程中脂质氧化、硬度、色泽和感官特征变化的影响相似(P≥0.05);然而,经GR辐照处理的样品的细菌总数显著小于经EB辐照处理的样品细菌总数(P<0.05),并且当GR辐照剂量增至10 kGy,样品中细菌总数得到有效抑制,而对火腿肠的品质和主要感官特征(色泽,咀嚼性和味道)没有显著影响(P≥0.05).     

Al2O3陶瓷的电子辐照效应

作为电子元器件封装材料的α－Ａｌ２Ｏ３陶瓷基片，在电子辐照，高温及高电场下，其电导率会持续增加直至击穿，电子辐照后，其电介质特性也发生了变化。     

关于中药及其制剂辐照灭菌的效果研究

目的研究中药及其制剂在辐照前后的变化情况。方法利用60℃对其以不同剂量照射,并对主要成分过检测。结果经过辐照后,中药及其制剂的主要成分无显著变化。结论大多数中药及其制剂在一定剂量范围内是可以利用辐照来灭菌的,其品质不会改变。     

不同栅结构的部分耗尽NMOSFET/SIMOX的总剂量辐照效应研究

研究了在改性注氧隔离(SIMOX)材料上制备的具有环栅和H型栅结构的部分耗尽NMOS晶体管在三种不同偏置状态的总剂量辐照效应.实验表明在10keV的X-射线总剂量辐照下,器件的背栅、正栅阈值电压负向漂移和漏电流都控制在较小的水平;在2Mrad(SiO2)的辐照下仍能正常工作.研究证实了无论哪种栅结构,对于背栅,PG均为最劣偏置,其次是OFF偏置,而ON偏置下器件受辐照的影响最小;而对于正栅,ON均为最劣偏置.通过拟合计算出了绝缘埋层(BOX,即埋氧)中的饱和净正电荷密度Not和空穴俘获分数α.