独创界面工程技术成功研制Si基ZnO可见盲紫外探测器原理型器件，为我国光电子技术自主创新研发开辟新路。

在中科院、国家自然科学基金委以及科技部等项目基金的资助下,一个由来自中国科学院、清华大学、北京工业大学多家研究单位的科研人员组成的研究小组经过五年多的持续攻关研究,开发了一种低温界面工程技术,并进一步设计和构筑了具有锐利界面的新型n—ZnO／i—MgO／p-Si双异质结p-i-n紫外探测器结构,由此成功研制Si基ZnO可见盲紫外探测器原理型器件,其独创的Si基ZnO单晶材料生长工艺及器件制备技术为我国在光电子技术领域的自主创新研究开辟了一条新路。     

新型低温界面工程技术使硅基氧化锌单晶材料及光电子器件研发出现重大成果

中国科学院物理研究所、北京凝聚态物理国家实验室的一个研究小组，经过五年多的持续攻关研究，发展了一种低温界面工程技术，并进一步设计和构筑了具有锐利界面的新型n—ZnO／i—MgO／p—Si双异质结p-i—n紫外探测器结构，研制成功Si基ZnO可见盲紫外探测器原理型器件。     

一种制备LED器件出光结构的方法

成果描述：本发明提供一种制备LED器件出光结构的方法,属于LED器件的制备技术领域。该方法具体是,在图形的蓝宝石衬底（PSS）Z生长GaN外延片,然后使用周长为3-1000微米,且两个最远角距离或最长直径不超过400微米的光斑对PSS蓝宝石衬底进行逐点逐行激光扫描,将GaN外延片与具有图形的蓝宝石衬底剥离,制备出周期性光栅结构和纳米粗糙结构复合的LED器件出光结构。     

基于ZnO/Glass声表面波器件的高速紫外传感特性研究

基于氧化锌/玻璃(ZnO/Glass)结构的声表面波(SAW)器件可以用来制作性能优良的紫外探测器。使用有限元分析软件COMSOL Multiphysics仿真了该种结构的声表面波器件,并得到其S11参数。基于仿真结果,制备了相应的SAW器件,实验所用ZnO薄膜采用直流反应磁控溅射方法沉积,所制备的ZnO薄膜呈(0002)取向。基于该种结构的SAW紫外探测器对紫外光的反应时间仅3 s,其紫外探测的灵敏度高达36.4×10-6/mW/cm2。     

ZnO薄膜在传感器方面的最新应用进展

ZnO薄膜是一种新型的、性能优良的半导体材料.本文详细介绍了ZnO薄膜在声光器件、压电器件、气敏元件、声表面波器件、压力元件、湿敏元件和紫外探测器等方面的最新应用进展,并对该材料的发展趋势进行了展望.     

有聚酰亚胺绝热层的新型非制冷红外探测器

提出了一种基于聚酰亚胺绝热层的新型非制冷红外探测器结构.该结构具有工艺简单、成本低廉、成品率高等优点.利用底部反射金属层可以提高红外吸收率;底层金属和有源层间的隔离层不仅可以减小器件热导,还可以和上层材料层构成三明治红外吸收结构,进一步改善红外吸收效果.对制备工艺进行了简单介绍,器件性能测试结果表明,该新结构探测器虽然和空腔结构探测器的探测率相当,但在工艺制备及成品率方面要优异得多.     

浅谈化合物半导体材料

化合物半导体集成电路具有超高速、低功耗、多功能、抗辐射等特性而被和泛应用．GaAs、GaN、SiC为主要应用的化合物半导体材料。简单介绍化合物半导体材料和硅材料对比下的优势及由GaAs、GaN、SiC构成的部分器件的工作原理及特性。     

GaAs基HEMT发展简介

高速电子迁移率晶体管HEMT是一种异质结场效应晶体管,具有高载流子速度和较大的击穿电场的优点。HEMT可应用于逻辑电路、模拟电路和微波电路,是高速低功耗VLSI的理想器件。本论文就Ga As基HEMT工作原理、器件结构的改进等方面做出简单介绍和分析。     

OLED器件技术及产业化进展

有机电致发光器件OLED驱动电压低、发光亮度大、视角宽、响应速度快、制作工艺简单,在未来的平板显示领域显示了诱人的应用前景,也是21世纪首选的绿色照明光源之一。本文论述了有机电致发光器件结构和材料及其发光原理,介绍了有机电致发光器件的技术及产业化进展,讨论了有机电致发光器件发展存在的问题与突破。     

紫外光谱响应度测量系统设计

由于目前的紫外辐射的定标测量存在测量误差大的缺点,采用热释电探测器作为基准探测器给被测探测器(GaN)进行定标,给出光谱响应度测量系统的设计原理,对高稳定度紫外光源系统、热释电电学定标系统、信号检测电路进行了详细的设计,分析计算机控制和软件处理系统部分功能构成,最后进行了单色仪的波长标定来证明系统的准确性。     

退火对ZnO薄膜特性的影响与紫外探测器的研制

利用射频磁控溅射技术在SiO2/n-Si和石英玻璃衬底上制备了具有C轴择优取向的ZnO薄膜,研究了退火对ZnO薄膜特性的影响,并在以SiO2/n-Si为衬底、退火温度为900℃的薄膜上制作了Ag-ZnO-Ag肖特基型和Au-ZnO-Au光电导型MSM叉指结构的紫外探测器。所制作的两种MSM紫外探测器在350 nm波长紫外光照下电流增加,在紫外波段有较高的响应度,光响应度峰值在370 nm附近。     

GaN FET的结构、驱动及应用综述

随着电力电子装置的小型化和轻量化,宽禁带半导体器件GaN FET优于Si器件的特性使其在电力电子领域的应用受到广泛关注。在GaN FET的发展中,其结构和驱动对其安全应用至关重要。首先介绍了目前GaN FET器件的主要结构、工作原理及其产品现状;其次,总结了其驱动电路的隔离方式、常用的分立式驱动电路和集成式驱动电路的结构及原理;最后,对GaN FET在电力电子领域的应用情况进行了概述。     

Ⅲ族氮化物InAlN半导体异质结研究进展

由于高频大功率固态微波功率电子器件有明显的应用前景,在过去二十年氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMT)得到广泛研究,取得了一系列进展,并开始走向商业化.为了进一步提高器件性能,尤其是高工作频率和高电压下器件工作的可靠性,新材料、新工艺以及新器件被不断提出,其中基于InAlN材料的晶格匹配无应变异质结凭借优越材料性能成为新一代GaN基HEMT材料.本文结合在III族化合物半导体材料和器件领域的相关工作,对InAlN基异质结半导体材料生长进展做简要综述.在分析InAlN基异质结外延生长的基础上,对我们提出的脉冲式(表面反应增强)金属有机物化学气相淀积(MOCVD)外延InAlN/GaN异质结技术优势和外延材料结果进行了讨论.     

雷达T/R组件中GaN器件可靠性影响

相控阵雷达的核心部件T/R组件性能不断提高,GaN半导体器件的应用使得组件输出功率和效率大幅提高,能够在高温下工作。但是GaN材料目前应用时间较短,可靠性方面还缺乏验证。本文主要介绍了组件中GaN功率器件的失效机理,对影响GaN功率器件可靠性的不同因素进行了分析。     

Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体中的复合机制与新型半导体发光器件

本文较为详细地介绍了Ⅱ-Ⅵ族新型化合物半导体材料发光复合机制以及新型发光器件的结构和特性及在近代科学中的应用。     

一种新的温敏开关器件

本文提出了一种利用Ｌａｍｂｄａ型负阻器件结构，通过控制ＪＥＥＴ的夹断电压而得以的新温敏开关器件。它在室温附近有较高的灵敏度，可应用在超温报警过热保护等控制系统中。     

用于硅基氮化镓可调微镜的静电梳齿型微驱动器设计

提出并设计了一种用于硅基氮化镓(GaN)可调微镜的静电梳齿型微驱动器.利用有限元软件建立了该器件的几何结构模型,对器件的结构进行了仿真优化.此外,采用微机电系统(MEMS)加工工艺,制作出了用于硅基氮化镓可调微镜的梳齿型微驱动器,并对其驱动特性进行测试.测试结果表明:所制作的微驱动器的位移随着电压的变化呈二次方关系,与仿真结果基本一致.当加载驱动电压为200 V时,微驱动器的驱动位移可达到1.08 μm.     

BN_xP_(1-x)光电薄膜的性能及在紫外探测中的应用

通过化学气相沉积法在单晶GaAs衬底上成功生长了BNxP1-x薄膜材料。利用扫描电镜观察到该薄膜表面十分光滑,其生长层与衬底之间具有良好的粘合性,不容易脱落。利用紫外-可见光分光光度计(UV)研究了薄膜的紫外吸收特性。并测量出在254nm和365nm波段其量子效率分别为33%和40%,当波长大于400nm时,其量子效率陡然下降。经研究证明:BNxP1-x作为一种宽带隙半导体材料在日盲型紫外探测领域中具有极大的潜能。     

关于间接祸合光电探测器的存疑点剖析􀀁

本文用新的实验再一次证明，注入光敏器件是肖克莱晶体管理论运用于光敏器件的体制，并提出了光敏器件的最重要工作之一是提高它的信噪比，而不是单纯地增加灵敏度，注入光敏器件正是为了这个目的而提出的，其间着剖析了对间接耦合光电探测器的存疑点。     

一种900 V大功率MOSFET的工艺仿真设计

高压功率MOSFET器件由于其在耐压、电流能力、导通电阻等方面固有的优点应用十分广泛,是武器装备体系中不可或缺的关键基础元器件.以一款900 V大功率MOSFET器件为例,为分析其VDMOS基本结构、工作原理和主要参数,利用工艺仿真软件Silvaco和Synopsys设计一套仿真实验,对外延层材料选取、氧化和注入等重要...