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《真空科学与技术学报》2015,(12)
利用一种新型线形微波等离子体源以甲烷和氢气为反应气体在135 mm×1 mm×0.5 mm杆状氧化铍表面沉积金刚石膜。研究了氧化铍基底预处理对金刚石形核密度和膜的连续性,以及基底温度对金刚石质量的影响。通过扫描电镜、拉曼光谱对沉积的金刚石膜表面形貌以及质量进行表征。实验结果表明:600#砂纸与金刚石粉混合预处理可以大大提高氧化铍表面金刚石的形核密度,得到连续性较好的金刚石薄膜;同时,基底温度不仅影响着金刚石膜的表面形貌,也影响着金刚石膜的质量。基底温度较低时,金刚石膜在沉积过程中二次形核增强,非金刚石相含量较高;提高沉积温度后,等离子体中H原子浓度增加,有利于金刚石质量的提高。 相似文献
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《功能材料》2020,(8)
采用磁过滤阴极真空弧沉积法,在Cu基底表面上制备了以钛(Ti)和碳化碳(TiC)作为过滤层的类金刚石膜层。利用自制的场致发射特性测试设备,研究了类金刚石膜层的场致发射特性。利用拉曼光谱仪(Raman)和扫描电子显微镜(SEM)等分析方法对类金刚石膜的键合结构和微观形貌进行了表征。研究发现,利用磁过滤阴极真空弧沉积法可以在沉积温度100℃下制备膜基结合力较好的类金刚石膜。沉积速率为15 nm/min。类金刚石膜具有较好的场致发射特性,开启电压约为40 V/μm。Raman分析得到不同基底偏压下的类金刚石膜的I_D/I_G为1.19~1.57;SEM分析显示薄膜的微观结构上具有微米级突起结构。实验表明,应用磁过滤阴极真空弧方法可以制备出高sp~3含量、表面具有微米级突起的类金刚石膜,这种类金刚石膜具有有利于场致发射的特性。 相似文献
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CVD金刚石成核的最新研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了化学气相条件下金刚石在非均匀研磨硅基底表面及镜面基底和均匀研磨基底边缘及角域处的成核行为。发现CVD金刚石成核不仅依赖于沉积区缺陷,更主要由缺陷的锐度决定,即缺陷加强CVD金刚石成核的锐度效应。在对无序碳上CVD金刚石成核研究的基础上,讨论了CVD金刚石成核的机理,并由此阐明了各种表面预处理及负偏压等增强CVD金刚石成核的微观过程。 相似文献
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采用真空热压扩散法在聚晶金刚石表面制备Ti层,探究金刚石表面金属化过程中的界面生成机制。利用扫描电子显微镜和X射线衍射仪,分析了钛层的表面形貌、界面结构和界面间的物相组成,采用能谱仪对界面进行了元素分析,计算了聚晶金刚石与Ti层之间界面的扩散带宽度及生成TiC的化学反应吉布斯自由能变。研究结果表明:在聚晶金刚石表面形成了平整、致密的Ti层,在聚晶金刚石与Ti层界面之间存在C、Ti和Co元素的扩散,在结合界面处产生了一定宽度的元素扩散带,同时在金刚石表面生成了点状TiC。真空热压扩散法实现了金刚石与Ti层的化学结合,可以提高金刚石与Ti层的结合强度。 相似文献
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纳米金刚石/镍复合电刷镀层的显微结构研究 总被引:1,自引:1,他引:0
对以45#钢为基底的纳米金刚石/镍复合镀层和普通快速镍镀层的表面进行了研究。扫描电镜分析结果表明,纳米金刚石/镍复合镀层表面成典型的"菜花头"形状,弥散分布的纳米金刚石被镍包裹。由于部分纳米金刚石颗粒可视为镍原子非自发形核的基底,能够吸引更多的镍离子沉积成核,提供大量的结晶生长点,达到细化晶粒的效果,因此与普通快速镍层相比,复合镀层的表面更加平整、致密,组织更加细化。X射线衍射分析结果进一步证明,随着纳米金刚石加入量的增加,镀层表面晶粒尺寸逐渐减小。并据此提出纳米金刚石-镍电刷镀复合镀层的生长过程物理模型。 相似文献
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CVD金则石薄膜的成核机理研究 总被引:2,自引:0,他引:2
利用热丝化学气相沉积,在预觉 无定形碳的硅镜面基底及表面研磨预处理的铜基底上,实现了金刚石膜的沉积,并由此讨论了金刚石的成核机理。研究表明,无定形碳是金刚石成核的前驱态;成核密度不仅与基底材料有关,更主要由基底的表面状态决定,基底表面状态的设计进改善成核密度的最有效的方法。 相似文献
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真空镀铝复合膜呈现"局部透明"的技术,依靠的是一种在特定工艺下能使铝层与基膜相互分离的透明涂料(或腊克)。而依据特定工艺使用的材料不同,该技术可分为"水洗铝"和"酸/碱洗铝"两种。然而,经过"局部透明"工序制得的镀铝复合袋,透明区域的铝层被洗除,仅剩基膜和热封膜复合,该部分的阻隔性较其他镀铝区域必然有所下降。倘若内容物对水、氧非常敏感,那么这种阻隔性的变化将会对内容物的品质产生重大影响,进而缩短相应的保质期。 相似文献
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卷簧式紧膜包装机械设计 总被引:2,自引:2,他引:0
目的设计一种利用卷簧对包装薄膜实现紧膜的裹包类机械。方法利用卷簧回旋力来实现裹卷运动而实现变力的输出,然后利用轴与齿轮之间的相互传动来实现力的赋予。卷簧的运动相当于给予薄膜一定的张力,而这种可实现张力也成为卷簧裹包的施力部分,通过该机械各根轴间与相对应齿轮的相互配合实现该紧膜机械的传动。结果针对薄膜张力的不同施加相对张力的要求,得出同一种膜在不同横向张力下的紧膜张力不同。结论卷簧式紧膜包装机械设计对于薄膜包装材料在不同的张力下对于物品的包裹及膜材包装件缓冲特性实践有重要意义。 相似文献
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Vertical nanowire array-based light emitting diodes 总被引:4,自引:0,他引:4
Electroluminescence from a nanowire array-based light emitting diode is reported. The junction consists of a p-type GaN thin
film grown by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) and a vertical n-type ZnO nanowire array grown epitaxially from
the thin film through a simple low temperature solution method. The fabricated devices exhibit diode like current voltage
behavior. Electroluminescence is visible to the human eye at a forward bias of 10 V and spectroscopy reveals that emission
is dominated by acceptor to band transitions in the p-GaN thin film. It is suggested that the vertical nanowire architecture
of the device leads to waveguided emission from the thin film through the nanowire array. 相似文献
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The edge of a metastable
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He prewetting film on a cesium metal surface is investigated using polarization interference microscopy. This technique images the local gradient of the coverage through its optical thickness. The cesium metal is a film evaporated on a polished copper substrate. A liquid helium film is deposited on the surface through raising and lowering the bulk liquid surface. Its edge is clearly observed for temperatures below 1.6 K. The apparent optical thicknesses of the films, larger than what is expected for a normal saturated film, remain to be explained. 相似文献
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Bohra M Venkataramani N Prasad S Kumar N Misra DS Sahoo SC Krishnan R 《Journal of nanoscience and nanotechnology》2007,7(6):2055-2057
Nanocrystalline magnetite thin film was prepared on to fused quartz substrate by sputtering at an rf power of 50 W. X-ray diffraction study showed that the sputtered film was (110) oriented. The stoichiometry in the thin film has been confirmed through a variety of characterization techniques. The room temperature spontaneous magnetization value (4piMs) of the film was 5100 G. This is about 85% of the bulk value. The resistivity of the film showed a sharp change around 120 K, indicative of the Verwey transition. 相似文献