面向工业应用的高电压模拟IC的芯片制造工艺

Analog Devices公司(位于美国马萨诸塞州Norwood)开发成功一种集高电压硅芯片、亚微米CMOS和互补双极型技术于一身的模拟芯片制造工艺,利用该工艺可生产出能够承受高达30V电源电压的元件——从而实现了性能的突破性提升,并降低了系统设计成本和功耗(功耗降幅高达85％),外壳封装尺寸也缩小了30％。这种被称为“工业CMOS(iCMOS)”的工艺有望造就一类新型高性能模拟元件,     

亚微米CMOS IC中自对准硅化物工艺的研究

自对准硅化钛工艺有许多重要的优点.但也存在栅氧化物的完整性、硅化物桥接短路、pn结损伤、二极管特性退化等问题.文章针对这些问题,在硅化前和硅化后的清洗、硅化的快速退火处理、接触电阻最佳化以及在硅化物上的接触孔腐蚀的选择性等方面进行了改进,有效地解决了问题.     

ADI推出高压模拟IC制造工艺iCMOS

在电噪声环境中处于高压工作状态的数据转换器、放大器、开关、多路复用器和其它器件一直沿着减小制造工艺尺寸的方向发展,以提高集成度,降低成本,但这同时也带来了一个问题,那就是随着制造工艺尺寸的细微化,IC所能承受的工作电压也在不断减小,而在许多应用领域,特别是工业市场     

创新制造工艺为后盾：ADI iCMOS显著提高模拟IC性能

目前集成电路制造工艺正在重新开拓工业市场,迄今为止,在电噪声环境中高电压工作的数据转换器、放大器、开关、多路复用器和其他器件一直在减小制造工艺尺寸的发展路线上努力不懈.对此,ADI(美国模拟器件公司)提出了iCMOS--工业CMOS制造工艺技术,使客户可以在采用亚微米(0.6 μm)尺寸工艺的器件上施加高达30V电压,可选的漏极扩展允许工作电压高达50V.     

ADI推出iCMOS模拟IC顿起波澜

美国模拟器件公司发布了一种创新的半导体制造工艺,它将高电压半导体工艺与亚微米CMOS和互补双极型工艺相结合,并将该工艺命名为iCMOS(工业CMOS)。iCMOS使诸如工企自动化和过程控制等高电压应用在性能、设计和节省成本方面均得到极大提升。与采用传统CM0S制造工艺不同,采用iCMOS制造工艺的模拟IC能承受高达30V电源电压,     

ADI公司发布创新的制造工艺并且推出一批适合工业应用的高电压模拟IC

ADI公司日前发布了一种创新的半导体制造工艺，它将高电压半导体工艺与亚微米CMOS(互补金属氧化物半导体)和互补双极型工艺相结合，从而证实了ADI公司对工业和仪表电子行业的贡献。ADI公司为iCMOS^TM(工业CMOS)工业制造工艺投入了最大的研发力量，它使诸如工企自动化和过程控制等高电压应用在性能、设计和节省成本方面达到了空前的水平。     

工业设计的全新价值标准

采用先进技术的模拟信号和混合信号集成电路(IC)，尤其是采用亚微米CMOS工艺制造的IC，为各种应用带来了极大的尺寸、成本和功耗优势，最值得关注的是一工业应用。目前的大多数IC都无法满足传感器和执行机构对高电压的要求。小尺寸CMOS工艺不断降低电源电压并且从双电源转向单电源的趋势迫使工业工程师不得不在新的先进IC周围增加更多的分立电路。