专利信息

专利名称: 透明导电薄膜用靶、透明导电薄膜及其制造方法、显示器用电极材料、有机电致发光元件和太阳能电池专利申请号: 03138519. 2　公开号: 1461819申请人: 日本住友金属矿山株式会社一种透明导电薄膜用靶,其具有氧化铟作为其主要组分并含有钨和 /或钼,其中通过使氧化铟粉末和氧化钨粉末和 /或氧化钼粉末成形, 然后加热并烧结该成形体, 使得溅射后的薄膜具有氧化铟作为主要组分, 并含有原子比 (W +Mo) /In为0 0040~0 0470的钨和 /或钼而获得所述透明导电薄膜用靶, 其中该透明导电薄膜具有优异的表面光滑度和 6×10-4Ω·cm或更低的…     

一种铟钼金属镶嵌靶

本实用新型是一种用于反应直流磁控溅射法制备掺钼氧化铟（IMO）透明导电氧化物薄膜的铟钼金属镶嵌靶。它由在纯度为99．99％的纯金属铟圆靶上均匀对称镶嵌纯金属钼丝构成,具体结构是,铟靶上有直径为2．5～3．5mm的小孔,小孔内镶嵌钼丝。本实用新型的镶嵌靶在制备新型透明导电氧化物薄膜以及新型光电器件领域具有良好的实用性。     

溅射电压和铝掺杂对透明导电氧化锌薄膜性能的影响

研究了用微波ＥＣＲ等离子体反应溅射制备透明导电氧化锌薄膜靶压及铝的掺入对薄膜电阻率和透光率的影响。制香电阻率为１０＾－５Ω．ｍ数量级,可见光平均透光率大于８０％的透明导电ＺｎＯ：Ａｌ（ＡＺＯ）膜。     

石墨烯银纳米线透明导电薄膜的制备进展

透明导电薄膜是触摸器件以及液晶显示器等的重要组成部分,制备透明导电薄膜的材料主要有金属氧化物、导电聚合物、碳材料、金属材料和复合材料等。其中,一维银纳米线和二维石墨烯材料制备透明导电薄膜具有光电性能优异、化学性能稳定和柔韧性好等特点,有望应用于柔性电子设备中。介绍了石墨烯银纳米线透明导电薄膜常用的制备方法:旋涂法、真空抽滤法、棒涂法、喷涂法、滴涂法等5种以及各种制备方法的优缺点;总结了石墨烯银纳米线复合薄膜的应用领域;展望了石墨烯银纳米线透明导电薄膜的发展前景。     

制备MoO2粉末的方法、由MoO2粉末制备的产品、MoO2薄膜的沉积以及使用这种材料的方法

本发明涉及在旋转或舟形炉中，通过使用氢作为还原剂，还原钼酸铵或三氧化钼得到的高纯MoO2粉末。将通过压制／烧结、热压和／或HIP进行的粉末固结用来制备圆盘、厚块或板，该圆盘、厚块或板用作溅射靶。使用适宜的溅射方法或其他物理方式将该MoO2圆盘、厚块或板形式溅射在基底上，从而提供具有期望膜厚的薄膜。就透射率、导电率、功函数、均匀性以及表面糙度而言，该薄膜具有与氧化铟锡（ITO）和掺锌ITO可比或优于其的性能如电的、光的、表面粗糙度以及均匀性。可将该MoO2和含该MoO2的薄膜用在有机发光二极管（OLED）、液晶显示器（LCD）、等离子体显示板（PDP）、场致发射显示器（FED）、薄膜太阳能电池、低电阻率欧姆接触以及其他电子和半导体器件中。     

ZnO∶Tb透明导电薄膜的制备及其特性研究

用RF磁控反应共溅射法在Si( 111)衬底上制备出了铽 (Tb)掺杂的ZnO透明导电薄膜。研究了溅射中Tb掺杂量对ZnO薄膜的结构、电学和光学特性的影响。结果表明 ,在最佳沉积条件下我们制备出了具有良好c轴取向 ,电阻率降低到 9.3 4× 10 - 4Ω·cm ,且可见光段 ( 4 0 0～80 0nm)平均透过率大于 80 %的ZnO∶Tb新型透明导电材料。     

ITO透明导电薄膜的溶胶凝胶法制备及结构表征

以五水硝酸铟和乙酰丙酮为原料,以无水氯化锡为掺杂剂,采用溶胶凝胶工艺,用提拉法在石英玻璃基体上制备了ITO透明导电薄膜。采用DTA—TG、XRD、SEM、四探针电阻率仪、紫外分光光度计等仪器对ITO透明导电薄膜的相转变过程、物相、表面结构、微区形貌和物理性能进行了测定和分析。结果表明:采用溶胶凝胶工艺在石英玻璃基体上制备ITO透明导电薄膜是完全可行的。ITO薄膜具有由多个粒子堆积而成的多孔微观结构,其晶体结构为立方锰铁矿结构,[111]为明显的择优取向,经过5次镀膜后其厚度在150nm以下,薄膜的方电阻为110Ω,其电阻率约为1.65×10-2Ω·cm。薄膜的透光率在90%以上。     

不同生长温度对Ga掺杂ZnO透明导电薄膜性能的影响

采用磁控溅射方法在普通载玻片衬底上制备了Ga掺杂的ZnO(GZO)透明导电薄膜,并研究了不同生长温度对GZO透明导电薄膜的结构性能、电学性能及光学性能的影响.制备的GZO透明导电薄膜均沿(002)方向的择优取向生长,薄膜的表面形貌为蠕虫状,表明薄膜内存在较大的残余应力.随着生长温度的升高,GZO薄膜的电阻率先减小后增大,在生长温度为250℃时,薄膜的最低电阻率为1.91×10-3 Ωcm.不同生长温度下所制备的GZO薄膜在可见光波段的平均透过率均大于90％,薄膜具有优异的光学特性.     

钼-铜／钨-铜复合粉末、其制备方法和应用

本发明涉及一种通过含金属-复合粉末、粘合剂和任选的陶瓷组分的体系经粉末注塑而制备金属和金属-陶瓷复合部件的方法，其中将所用的金属-复合粉末与粘合剂混合并在惰性气氛中与保护液体混合。本发明还涉及钼-铜复合粉末和钨-铜复合粉末，该粉末的一次颗粒的粒度基本上〈2μm，其氧含量〈0．8％（质量分数），并任选含陶瓷组分，     

ZnO:Al(ZAO)透明导电薄膜国内的研究现状

综述了以氧化锌铝陶瓷靶为靶材制备透明导电ZAO薄膜的制备技术,系统地研究了各工艺参数,如氩气压强、射频功率、衬底基片温度、退火条件和氧流量等对其结构和光电特性的影响。在纯氩气中且衬底温度为300℃时制备的ZAO薄膜经热处理后电阻率可降至8.7×10-4Ω.cm,可见光透过率在85%以上。X射线衍射谱表明,ZAO晶粒具有六角纤锌矿结构且呈c轴择优取向,晶粒垂直于衬底方向柱状生长。     

金属基复合透明导电膜的研究

透明导电薄膜作为一种新型的光电材料显示出多种优异的光电性能和具有广泛的应用背景。综述了金属基复合透明导电膜的发展历程与研究现状，重点讨论了电介质，金属，电介质（D/M/D）和透明导电氧化物，金属，透明导电氧化物（TCO/M/TCO）这两种类型的多层复合膜，分析了其设计原理和存在问题，并指出了控制金属层的厚度和界面扩散是制备高性能光电薄膜的重要方面，最后介绍了金属基复合膜应用，并对其研究进行了展望。     

铜钼复合板材

日本东芝公司研制成一种新型的钼钨合金材料．它具有极佳的电阻率、良好的加工性和很强的抗腐蚀性。可用作液晶显示的靶和薄膜，能大大提高液晶显示的灵敏度和可靠性。这种合金材料是用80％的钼和20％的钨采用粉末冶金法和热处理等工序制成的。     

含锡氧化铟在丙烯碳酸盐溶液中的电化学行为

本文叙述含锡氧化铟透明导电电极在含锂离子的丙烯碳酸盐溶液中的行为研究结果，本系统的研究方法采用电化学与现有的工艺（紫外可见光谱法，ｘ射线衍射法以及石英晶体微量天平）相配合的方法，研究结果表明，在Ｅ≥１．０ＶｖｓＬｉ／Ｌｉ条件下阴极过程主要包括电解质溶液还原生成富含锂薄膜，在电势≤１．０ＶｖｓＬｉ／Ｌｉ的条件下含锡氧化铟（ＩＴＯ）降解，生成金属铟。锂离子嵌入含锡氧化铟的现象不明显，与某些作者叙述的明     

V2O5薄膜的导电特性研究

用攀钢工业V2O5为原料,采用无机溶胶-凝胶法制备出透明、导电的V2O5薄膜,并实测了电阻率。实验制作的V2O5薄膜电阻率对温度、湿度比较敏感,是一种很好的湿敏材料。薄膜烘干后电阻率减小,吸收水分后电阻率又增大。增加薄膜厚度则其电阻率增大。     

专利

专利名称：一种去除水中钨和钼污染的方法 本发明公开了一种去除水中钨和钼污染的方法，具体步骤为：（1）合成针铁矿吸附剂；（2）在室温下蒸馏水中老化；（3）在含有钼或钨的水中加入一定量的针铁矿吸附剂；（4）投加强酸溶液，至pH值下降到4．0±0．5；（5）吸附剂在溶液中作用2～7h；（6）静置一段时间，使针铁矿吸附剂颗粒沉淀下来，从而去除水溶液中的钨或钼。本发明为水中钨和钼污染的提供了一种去除方法，使水中的主要元素钨和钼的去除率达到100％，为净化地下水以及地下污泥奠定基础，具有良好的经济、社会效益。     

一种复合导电钼浆及应用其制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池背电极的方法

正专利申请号:CN201310420090.5公开号:CN103489501A申请日:2013.09.13公开日:2014.01.01申请人:厦门大学;厦门虹鹭钨钼工业有限公司本发明公开了一种复合导电钼浆及应用其制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池背电极的方法,该复合导电钼浆包括如下重量份的组分:钼粉50~80重量份、玻璃粉5~15重量份、有机载体10~25重量份     

一种用于由乙烯和丁烯反歧化制丙烯反应用催化剂

一种用于由乙烯和丁烯反歧化制丙烯反应用催化剂，由活性组缈助剂／载体组成，活性组份为钼、钨或铼的氧化物中的至少一种，其重量担载量为0．5％-20％；助剂为稀土金属元素，其重量担载量为0．1％-15％；载体主要组份为分子筛，其重量含量至少为50％，还可以添加氧化铝、氧化硅及粘土中的一种或几种。     

半导体用钨硅薄膜的制备技术及应用研究进展

钨硅薄膜具有电阻率低、热稳定性强及抗化学腐蚀性能优异等特点,是半导体集成电路重要的构成部分,主要作为栅极接触层、扩散阻挡层或者黏附层等来进行使用。本文归纳了半导体用钨硅薄膜的制备技术及应用方面的研究进展,首先分别对物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)制备钨硅薄膜的方法进行介绍,并分析了各种制备工艺的优缺点,并进一步对钨硅薄膜在半导体中的主要应用场景进行了介绍。最后分析了钨硅薄膜的未来发展前景,认为随着半导体产业的不断发展及钨硅薄膜应用的持续拓宽,钨硅薄膜的重要性将会进一步显现,钨硅薄膜的制备技术必将获得进一步的提升。     

一种用锌、钼、镁盐类做水处理剂的方法

本发明提供了一种用锌、钼、镁盐类做水处理剂的方法，其特征在于：将锌、钼、镁盐类溶解成溶液或直接投放人污水中，进行污水处理，在污水中锌、钼、镁类盐的浓度范围分别控制为：锌盐0．3～1．5mg／L，钼酸盐0．5—1．5mg／L，镁盐4．0～6．0mg／L；控制水的初始pH为7—8，温度为25—30℃，经过6—48h的降解处理就可以使污水达到环保标准。本发明的优点在于：具有处理荆用量少、使用操作简便、运行成本低廉、高效、环境污染低、适宜范围广、对系统本身的运行操作无影响、受环境条件变化的影响小、不需要专门生产工艺、直接配制。     

溅射电流和时间对钼薄膜电学性能的影响

钼薄膜作为电极和布线材料在太阳能电池和薄膜晶体管的制造中具有重要应用价值。磁控溅射作为一种制备钼薄膜的主要手段,其溅射工艺对钼薄膜的性能有着重要的影响。本文通过改变溅射电流和时间制备了具有不同形貌的钼薄膜,并对其电学性能进行了比较,从而得到了较为适合的钼薄膜溅射工艺。