一种基于电荷泵改进型CMOS模拟开关电路

提出了一种基于电荷泵的模拟开关结构.该结构使用电荷泵抬升MOS管的栅电压,从而大大改善开关的导通能力、线性度和动态传输范围.通过仿真验证了开关电路性能,结果表明设计的开关电路在电压0-5V范围内,导通电阻很小且信号损耗很小无失真.因而特别适用于低压系统.     

CM7510系列CMOS高压模拟开关电路的研究

本文介绍CM7510系列CMOS高压模拟开关电路的设计,版图设计,工艺及电路性能。从理论和实验中分析了常规工艺中影响击穿电压的几个关键工艺参数。     

模拟矩阵开关电路

在空分电话交换机中,链路是一个关键部分,它起着路由选择桥梁作用。一般生产厂家在设计该电路时,采用了片簧继电器、笛簧继电器或纵横编码交叉机等,即用大电流来驱动机械部分使接点接触起到开关作用。这些元件具有接触电阻小、使用灵活方便等优点,但存在体积大、重量重、接点易磨损等缺点,给生产和维护带来很大的不便。模拟矩阵开关集成电路,它具有功耗低、体积小、规模大、无机械磨损等优点,然而存在导通电阻较大(60～100Ω)、控制较复杂的不足,但只要设计时采取一定的措施就能弥补。这种器件市场上大致有CD22100、CD22101、CD22102等型号,本文介绍美国RCA公司生产的集成电路CD22101(国内对应型号CH22101)。     

模拟开关型触摸开关电路

模拟开关型触摸开关电路田凌生（山东省科学院自动化研究所，济南，２５００１４）触摸式开关与机械式开关相比，具有价格低廉、使用简便、动作迅速等优点，但它无触觉反馈。为此，目前多采用发光二极管ＬＥＤ显示来克服这个缺点：当开关接通时ＬＥＤ点亮。图１是一个触摸...     

谈谈CMOS集成电路的锁定问题

本文由CMOS集成电路在应用中遇到的锁定问题入手,从诱发因素、测试方法、版图布局、物理机理等四个部分进行了讨论.对于常用的门电路经过改版,抗锁定能力已经达到预期目的,反过来对深入理解其物理机理有所帮助.     

CMOS模拟开关

介绍了CMOS模拟开关的结构特点,阐述了几种典型的CMOS模拟开关的应用和选择问题。     

模拟开关电路构成DC/DC变换器

很多需要65V电源的小电流装置,如果能使用一台合适的本机专用的DC/DC变换器来产生-5V的偏压,便能可靠地工作在一个单独的5V电源环境之下。通常,这些5V的IC器件的功能和优势将远远胜过因增加一个-5V的变换功能所带来的稍许不方便和成本的增加。许多公司都生产有各种额定功率和安装面积的DC/DC变换器IC芯片。但是,这些典型的DC/DC变换器芯片,对于仅需具有很小工作电流的负偏压的那些简单的单芯     

TransChip CMOS图像处理器锁定可拍照手机

日本NTT DoCoMo公司于2004年9月进行的一项用户调查显示，可拍照手机在亚洲地区日益普及，百万像素将超过导航、电视、电影摄像、收音机、歌曲下载等，成为最被消费者渴望拥有的功能。     

精密高速模拟电压开关电路的设计

设计了一种新型模拟电压可切换无触点开关电路。该电路由集成运算放大器和场效应管组成,能有效地消除场效应管的导通电阻和夹断漏电流造成的不利影响,保证开关的精度、稳定度和高速度,并具有可调节的信号放大能力,功能比较接近理想开关。具体分析了开关电路消除导通电阻、减小关断漏电流、提高开关速度的原理。该开关已在实际应用中获得了满意的效果。     

一种模拟开关电路测试台设计与制作

本文介绍了利用单片机来实现模拟开关电路测量的测试台设计与制作，实测结果表明，该测试台不但提高了测量精度和测量效率，而且大大提高了测量的客观性。该测试系统对于改进目前的测量手段，提高测量的客观性和精度有很大帮助。该测试台能实现单步测试和自动测试，很适合大批量单片电路的生产情况。     

CM303双二选一模拟开关电路

本文主要介绍CM303双二选一模拟开关电路的基本结构,包括从电路的版图设计、工艺设计原则,以及采用埋层外延技术,本电路以实现消除闭锁现象为目的。给出了制造工艺条件对外延材料的选择关系,最后给出了电路的性能指标。     

SiGe CMOS结构模拟分析

提出一种新的SiGe CMOS结构,用Medici软件对该结构进行二维模拟,分析应变SiGe层、弛豫SiGe层中Ge组份,δ层掺杂浓度以及Si"帽"层厚度等结构参数对SiGe CMOS电学性能的影响.最后,给出该结构组成的反相器传输特性模拟结果.     

CMOS晶体管的一体化模拟

建立了一个能够从基本工艺过程到电路设计各阶段对半导体器件的物理和电学特性进行模拟的计算机程序库;一维和二维特性都可以表征;本文介绍了这些程序,详细说明了这些程序相互连接的方式,以便最大限度扩大用户范围和实现2μmCMOS工艺电路的全面模拟。     

宽范围快锁定CMOS电荷泵锁相环的设计

通过研究分析电荷泵锁相环的电路结构,给出了一种应用于超高速ADC的电荷泵锁相环的设计方法。该方法采用动态PFD（鉴频鉴相器）结构和CSA（Current Steer Amplifier）构架的压控振荡器（VCO）结构。在基于3．3V、0．35μm标准工艺在Cadence环境下的仿真结果表明,其VCO的输出频率范围为35MHz～1．3GHz,电荷泵锁相环的功耗为32．68mw,锁定时间仅为2．2μs。     

温度对CMOS锁定效应的影响及观测

CMOS集成电路在迅速发展过程中也出现了一些问题,其中最严重的问题首先是锁定效应.它是CMOS电路的主要失效模式之一,也是提高CMOS集成度的一大障碍.CMOS的优越特性之一是对工作环境要求不高,就工作温度而言,可宽达-55～+125℃,但由下面的分析和实测结果可知,温度的变化将引起锁定灵敏度显著变化,在应用和分析设计中应给予注意.     

高速抗噪声CMOS动态电路设计

提出了一种利用窄脉冲发生器驱动输出级,以提高电路抗噪声能力,同时保持动态电路的高速特性的多输入动态逻辑电路.提出了这种电路的分析模型,用于说明电路的抗噪声特性和管子的参数设置.在0.18μm CMOS工艺,1.8V的Vdd电压和55℃的环境温度下,模拟结果表明:与现有的两种技术相比,在相同的最坏延时情况下,新结构具有更好的抗噪声能力,分别提升了12%和8%;而在具有相同的抗噪声能力的情况下,新结构具有更快的速度,分别提高了1.6倍和1.4倍.     

高速抗噪声CMOS动态电路设计

提出了一种利用窄脉冲发生器驱动输出级,以提高电路抗噪声能力,同时保持动态电路的高速特性的多输入动态逻辑电路.提出了这种电路的分析模型,用于说明电路的抗噪声特性和管子的参数设置.在0.18μm CMOS工艺,1.8V的Vdd电压和55℃的环境温度下,模拟结果表明:与现有的两种技术相比,在相同的最坏延时情况下,新结构具有更好的抗噪声能力,分别提升了12%和8%;而在具有相同的抗噪声能力的情况下,新结构具有更快的速度,分别提高了1.6倍和1.4倍.     

CMOS电路抗Latchup性能研究

本文研究了ＣＭＯＳ电路中的Ｌａｔｃｈｕｐ效应．通过实验研究了ＣＭＯＳ电路不同版图尺寸和多种抗Ｌａｔｃｈｕｐ技术对维持点参数（维持电流和维持电压）的影响，得出了Ｌａｔｃｈｕｐｆｒｅｅ结构．本文同时使用ＰＩＳＣＥＳ对Ｌａｔｃｈｕｐ效应进行了二维模拟．