掺杂钨酸铅闪烁晶体的闪烁光学性质研究

利用多坩埚温度梯度法生长了PbWO4和BaF2:PbWO4晶体,研究了PbWO4、退火PbWO4和BaF2:PbWO4晶体的透过光谱和X射线激发光谱,结果发现这些光谱性质与晶体的组成和生长工艺密切相关,其中退火的影响较复杂.高温退火的PbWO4晶体的透过光谱在360nm以上波段有较好的透过率,但是在320~360nm波段透过率反而略有降低;380nm以上波段的X射线激发光谱光谱强度较高,320~380nm波段光谱强度却略有降低.掺杂的离子改善了晶体的透过率和X射线激发发光光谱强度.利用晶体的生长工艺和组成与缺陷以及晶体光学性质之间的关系解释了这些现象产生的原因.BaF2:PbWO4掺杂晶体的X射线激发光谱的波形和发光峰强度均发生了很大程度的改变,与F-离子掺杂引发晶体[WO4]2-四面体基团畸变而产生的新的发光中心有关.     

Gd：PbWO4晶体的生长及其闪烁性能研究

在ＰｂＷＯ４晶体中掺进Ｇｄ２Ｏ３,采用Ｃｚｏｃｈｒｏｌｓｋｉ法生长Ｇｄ：ＰｂＷＯ４晶体,测试晶体的透射光谱,激发发射光谱,抗辐照损伤能力和发光效率,Ｇｄ：ＰｂＷＯ４晶体透过率,抗辐照损伤能力和发光效率皆优于纯ＰｂＷＯ４晶体,Ｇｄ：ＰｂＷＯ４晶体的吸收过紫移,提高了透过率,从而提高了发光效率,Ｇｄ＾３＋掺入ＰｂＷＯ４晶体中,抑制了Ｐｂ＾３＋的存在,提高了晶体抗辐照损伤能力,Ｇｄ：ＰｂＷＯ４晶体是比Ｐ     

新型闪烁晶体PbWO4的研制

报道了ＰｂＷＯ４晶体的生长，研究了原料的纯度以及晶体生长工艺对晶体质量的影响。测试了晶体的光学性能和闪烁性能，生长出优质的ＰｂＷＯ４晶体。     

Gd∶PbWO_4晶体的生长及其闪烁性能研究

在 Ｐｂ Ｗ Ｏ４ 晶体中掺进 Ｇｄ２ Ｏ３,采用 Ｃｚｏｃｈｒｏｌｓｋｉ法生长 Ｇｄ∶ Ｐｂ Ｗ Ｏ４ 晶体。测试晶体的透射光谱,激光发射光谱,抗辐照损伤能力和发光效率。 Ｇｄ∶ Ｐｂ Ｗ Ｏ４ 晶体的透过率,抗辐照损伤能力和发光效率皆优于纯 Ｐｂ Ｗ Ｏ４ 晶体。 Ｇｄ∶ Ｐｂ Ｗ Ｏ４ 晶体的吸收边紫移,提高了透过率,从而提高了发光效率。 Ｇｄ３＋ 掺入 Ｐｂ Ｗ Ｏ４ 晶体中,抑制了 Ｐｂ３＋ 的存在,提高了晶体抗辐照损伤能力。 Ｇｄ∶ Ｐｂ Ｗ Ｏ４ 晶体是比 Ｐｂ Ｗ Ｏ４ 晶体性能更为优良的闪烁晶体。     

CdGd2（WO2）4晶体的高分辨电子显微研究

闪烁晶体材料用上探测了X射线的能量和强度，在它全检测，各种射线检测装置的运行中起有关键性的作用。例如GdWO4是良好的闪烁晶体，对X射线吸收系数大，辐射长度短，可使高能物理探测器做得十分密集，从而降低整个谱仪的造价。近年来，由于CdWO4晶体具有优越的光学性能，使它成为了应用在XCT探测器上的首选闪烁体材料。     

焦磷酸盐对KDP晶体透过光谱的影响

研究了焦磷酸盐对KDP晶体光谱性质的影响。焦磷酸盐对KDP晶体锥面透过光谱有明显影响,其原因在于焦磷酸根在锥面上吸附,进入晶格,形成一个质子空位,导致紫外光谱的额外吸收。     

γ射线辐照对Cr掺杂MgAl2O4晶体光谱特征的影响

为评估辐照对Cr:MgAl₂O₄晶体光谱特性的影响,采用辐照剂量为100 Mrad的⁶⁰Co γ射线照射抛光后的Cr:MgAl₂O₄晶体样品片,测量了辐照前后的拉曼光谱、透射光谱和荧光特性,并对辐照前后光谱变化的原因进行了分析。研究结果表明:样品的拉曼振动峰值的位置和强度都受到辐照的影响,但振动峰的数量没有改变;由于色心的吸收,辐照后250～600 nm波长范围内的透射率均明显降低;辐照前后样品的荧光发射峰位一致,但辐照后荧光强度明显降低,同时辐照后的荧光寿命显著增加。     

ZnWO_4∶Cr~(3+)激光晶体的发光特性

研究了ZnWO_4Cr~(3+)激光晶体的发光特性,其中~4T_2能级分裂为13550、14205、14706cm~(-1)三个能级,荧光谱的斯托克斯漂移为3567cm~(-1),ZnWO4∶Cr~(3+)晶体的最强荧光峰位于912nm,最佳激发峰在622nm,掺杂浓度在0.01％时,荧光发射最强。用532nm激发时仍有很强的荧光发射。     

Mn^2＋掺杂NaFY4：Yb，Er晶体的形貌及发光性能研究

通过乙醇和油酸作为混合溶剂的溶剂热法合成了NaYF4：Yb,Er晶体。采用x射线衍射仪（XRD）,场发射扫描电镜（FESEM）以及光致发光检测（980nm激光源）和荧光光谱测试（Hitachi F-4500）,表征了Mn2＋离子掺杂量对NaYF4：Yb,Er晶体的显微结构、形貌和发光性能的影响。结果表明：少量5mol％Mn^2＋离子的掺入不会改变NaYF4：Yb,Er晶体的物相,当Mn2＋离子的掺杂量增大到10mol％～30mol％,样品出现NaMn3F10相,形貌也发生转变,从纳米棒变为纳米片。Mn^2＋离子的掺入,使得NaYF4：Yb,Er晶体的上转换荧光峰从在510nm～539nm和539nm～570nm这两个区间转换为635nm～690nm区间内,当掺杂浓度达到30 mol％时,上转换荧光峰全部转变为635nm～690nm区间内。     

长余辉蓝色荧光粉SrSiO3:Eu2+,Dy3+的制备与发光性能研究

采用高温固相法,在碳粉还原条件下制备了SrSiO<,3>:Eu<'2+>,Dy<'3+>长余辉蓝光发光材料.研究了Eu<'2+>的掺杂浓度对样品发光性质的影响.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和荧光光谱等手段对样品进行物相、形貌和光谱等性能的表征.研究结果表明,样品为单斜晶体,样品颗粒呈花束形;该荧光粉激发...     

基于一维光子晶体高阶禁带性质的带阻滤波器研究

设计了一种基于一维光子晶体(PC,photonic crystal)高阶禁带性质的新型带阻滤波器,其结构形式为Si(空气|Si)5,晶格周期长度为15μm,滤波中心频率位于1.55μm,带宽约为10nm。利用光刻和ICP(inductively coupled plasma)刻蚀技术,将这一滤波器制作在SOI材料上,并对其透射谱特性进行理论计算和实验测量。结果表明,理论计算和实验测量的结果吻合良好,证明了高阶禁带是降低PC加工难度的有效方法。     

Mn^2＋掺杂CdWO4晶体的生长及光谱特性

采用坩埚下降法技术,选用CdO∶WO3∶MnO摩尔比为100∶100∶0.5的化学组分配比,在约60℃固液界面温度梯度与0.05 mm/h生长速度条件下,成功地生长出Φ25 mm×100 mm Mn^2＋掺杂CdWO4（Mn^2＋：CWO）单晶。观测了晶体未退火、经空气和O2退火处理后的的吸收、激发和发射光谱。结果表明...     

钕掺杂纳米二氧化钛光催化活性研究

采用溶胶-凝胶法在Si(111)衬底上制备纳米TiO2薄膜,利用电化学阴极还原法对TiO2纳米薄膜掺杂Nd3+,对其结构及光催化活性进行研究,结果显示,所制备的样品均为多晶结构,随着Nd3+掺杂量的增加颗粒尺寸明显减小,比表面积增大.Nd3+的掺杂导致TiO2光催化剂吸光能力增强,同时吸收限红移,提高了光的利用率,并且当掺杂量为1.2%时,光催化活性最好.     

掺杂浓度对Co掺杂ZnO纳米棒的铁磁性的影响

采用化学气相沉积(CVD)方法制备出3种掺杂浓度的Co掺杂ZnO纳米棒。使用EDX(en-ergy dispersive X-ray)能谱,测得3种ZnO纳米棒中Co元素的掺杂浓度分别为0.4、1.4和2.4%。X射线衍射(XRD)分析表明,三个样品均为ZnO的六方铅锌矿结构,并沿着c轴取向择优生长。磁化曲线显示,掺杂浓度为0.4%的Co掺杂ZnO纳米棒为顺磁性,随着掺杂浓度的增大,Co掺杂ZnO纳米棒转变为铁磁性。扩展X射线吸收精细结构谱表明,Co掺杂ZnO纳米棒的铁磁性源于ZnO纳米棒中的Co金属团簇。     

Fabrication and study of properties of the PLA/Sr2MgSi2O7:Eu2+, Dy3+ long-persistent luminescence composite thin films

In this paper, Sr₂MgSi₂O₇:Eu²⁺,Dy³⁺ (SMS) particles were first synthesized by sol–gel method and then modified with 3-aminopropyltriethoxysilane (APS) to improve their dispersibility and compatibility in the polylactic acid (PLA) matrix. The structure of pure SMS particles was analyzed by XRD and XPS. The properties of SMS particles before and after modification were characterized by FT-IR and SEM. PLA/SMS composite films containing 15 wt% of SMS particles were prepared by spin coating on silicon wafer. Their morphology and luminescence properties were examined. It was found that the composite films can be excited by a broad band from 330 nm to 425 nm with the highest excitation intensity at 360 nm. The fluorescent and phosphorescent emission bands of the composite films and SMS particles all have a major emission peak at 468 nm. Decay curves of the composite films have a similar tendency with that of the pure SMS particles, except for the lower intensity.     

K2MgSiO4:Eu3+红色荧光粉的制备与发光性能

采用高温固相反应合成了适合近紫外光-蓝光激 发的K₂MgSiO₄:Eu³⁺红色荧光粉,并对其发光特性进行了研究。X射线衍 射(XRD)测试结果表明,合成样品为纯相晶体。样品激发光谱由O2-→Eu³⁺电 荷迁 移带波长为(200～350nm)和Eu³⁺的特征激发峰(波长为350～500nm) 组成,主峰位于396nm波长处,次级峰位于466nm波长处。在396nm和466nm波长分别激发 下,样品发射峰均由Eu³⁺的⁵D₀→⁷FJ(J=0,1,2,3,4)能级跃迁产生,其中619nm波长处发射强度最大。 随着Eu³⁺掺杂浓度的增加,荧光粉的发光强度增大。在实验测定的浓度范 围内,未出现浓度猝灭现象。样品的色坐标位于红光区,且非常接近NTSC标准。样品发光强 度随温度增加出现温度猝灭现象,发 射峰位置并未出现明显红移。样品中,Eu³⁺在⁵D₀能 级上的荧光寿命约为0.535ms。     

NdYVO_4晶体的偏振激发荧光光谱及其LD泵浦激光特性

分别利用π和σ偏振光激发，测量并对比了ＮｄＹＶＯ４晶体的非偏振及偏振荧光光谱。研究了ＬＤ泵浦ＮｄＹＶＯ４激光器的输出特性，当泵浦功率为１９００ｍＷ时，获得了１０１２ｍＷ的１０６４ｎｍ激光输出，斜效率为５３．６％。     

Cr4+:YAG晶体作为激光器增益介质的特性研究

首先对Cr^4 ：YAG晶体的结构和频谱背景进行了研究，并对Cr^4 ：YAG晶体在辐射光谱作用下产生的热效应作了理论上的分析，提出了Cr^4 ：YAG晶体在固体激光器中的应用前景。