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随着中国加入世贸组织,很多我们当前所熟悉的生产模式即将面临多方位、深层次的变革。换言之,一些旧有的生产模式、管理方式将更快被以计算机及相关技术为代表的新型、高效、集约化的现代生产管理模式所替代。 这其中,测试技术的变革尤显活跃,甚至有的经济学家称,测试技术的 相似文献
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着重介绍了三种测量基区电阻Rb的DC测量法,并通过反面实例说明其中两种方法(1.由I-V特性来提取Rb及Re;2.基于碰撞离子产生的反向基区电流的DC法)的局限性,指出第三种方法(双基极引线孔法)是值得借鉴的方法。DC测量法因其简单易行而被广泛接受,但在实践中须特别注意其适用范围。 相似文献
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首先,介绍了氮化镓器件的基本特征,以一款氮化镓功率器件为例,介绍了其基本结构、应用场景和关键参数,并研究了其导通电阻的测试;其次,介绍了浮动源的特点,研究了使用浮动源测试氮化镓器件导通电阻的方法,在测试方案的软件、硬件设计上提出了一些建议;然后,将所提出的测试方案运用于实际测试,结果表明,得到的测试数据与理论值吻合地较好,证明了测试方案的有效性;最后,对测试过程中常见的问题进行了分析,对于提高氮化镓器件导通电阻测试精度具有一定的参考价值。 相似文献
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介绍了ispLSI器件的特点及设计流程,提供了该器件在机载计算机设计中的具体应用,并给出了系统设计的部分单元逻辑电路及ispLSI器件使用中安全性设计措施. 相似文献
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介绍了利用在系统可编程逻辑器件ispLSI设计的计算机接口电路。当需要更改接口地址或接口的具体逻辑时,只需更改描述逻辑的程序,重新设计,重新编程即可修改其内部逻辑,以实现接口电路的改变。由此可见利用ispLSI器件进行接口电路的设计具有很大的灵活性,它使得硬件逻辑的修改象修改软件那样方便,为逻辑电路的设计开创了一个全新的局面。 相似文献
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挑战现有测试技术的SoC器件 总被引:1,自引:0,他引:1
随着先进的集成电路(integrated circuit简称IC)设计思路和高密度工艺技术的实现,半导体制造厂商能够创建出系统级芯片(system-on-chip简称SOC)器件,在该器件内不同种类的数字和模拟电路核心被集成在非常微小的尺寸上面,发挥着各自的功能。然而,不管从先进的设计和功能实现上所获取的收益如何,制造厂商在将这些复杂的器件转化为大批量快速生产和实现良好性能价格比的时候,所面临的挑战也是非常大的。当采用传统的测试技 相似文献
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介绍了用有限元方法计算半导体方块电阻四探针测试中二维点电流势场的模型并且证明了其正确性,由于有限元方法对边界没有限制,该方法为方块电阻测试中精确确定边界修正系数,更重要的是为微样品测试结构确定提供直接明了的理论依据。 相似文献
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微处理器在微区薄层电阻测试Mapping技术中的应用 总被引:2,自引:0,他引:2
利用微区薄层电阻测试的一种斜置四探针新方法,将扩散微区薄层电阻测试结果绘成全片的灰度图,这种Mapping技术十分有利于评价材料的质量,在测试过程中应生处理器,可立即数字显示相应的测量电压及微区的薄层电阻,加快计算速度并有利于控制探针的合适位置。 相似文献
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给出了以单片机为核心,通过合理设计电阻-电压转换电路和自动量程转换电路,来实现印刷电路板上电阻元件的自动在线测试及显示的系统设计方法。利用该系统还可以拓宽测试范围。 相似文献
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