半导体导波空间光开关

本文论述构成未来光节点系统关键器件的导波半导体光交换器件的特性。采用半导体ＭＱＷ波导的ＱＣＳＥ制成全封装２×２和４×４光开关组件，并加以评估。这些组件能分组交换１０Ｇｂ／ｓ的光信号，并能以１／８去复用成１．２５Ｇｂ／ｓ，这些组件很有希望作为高速交换器件。     

微微秒半导体全光开关

日本NEC公司成功地进行了半导体全光开关的实验，这种全光开关可以在半导体激光器或光纤放大器发出的低功率光下工作，并可适应于约1Tbit／s的超高速脉冲。     

增益开关半导体激光器产生高重复率的ps光脉冲

本文报道用增益开关1.3μm InGaAsP半导体激光器产生 ps光脉冲,光脉冲宽度(FW·HM)随频率在 16—23 ps之间变化,重复频率在 1—5 GHz范围连续可调.     

半导体光放大器

详细介绍了半导体光放大器的结构和制造技术。重点介绍了点尺寸变换器和矩阵光开关模块。     

半导体脉冲功率开关RSD的开通电压特性研究

RSD(Reversely Switched Dynistor)是一种晶闸管与晶体管相间排列的多元胞结构高速大功率半导体开关器件，该器件采用控制等离子体层触发的开通模式。文章从理论上推导出其最大开通电压，并研完了该电压与器件结构参数之间的关系，给出了降低器件功耗的方法。     

半导体光放大器的偏振光开关性能改进

半导体光放大器(SOA)非线性偏振旋转效应的光开关具有开关速度快、易集成等优点,其开关操作可以通过改变注入SOA中的电流而获得。这种偏振光开关的性能主要受注入光功率与控制电流的大小范围来决定。基于SOA中的偏振主态的概念,分析了非线性偏振旋转效应与控制电流的关系,并对不同功率的注入光进行了偏振旋转实验,分别实现了偏振光开关的操作。实验结果表明:随着注入光功率的增加可以提高光开关的分光比,有效改进光开关的性能。当注入光为5 dBm时,光开关的分光比与消光比均可达到30 dB。     

超高速半导体全光开关技术

介绍了半导体全光开关的种类、特点和应用,根据其结构形式,并导体全光开关可分为平面型和波导型两种,根据其工作机理,波导型全光开关又可分相移型和频移型两类,同时,在已经报道的100Gbit/s以上的光传输系统实验中证明了全光交换的高效性。     

静电驱动光开关的结构设计与驱动电压分析

对静电驱动光开关的驱动结构进行了研究分析,对比分析了采用平面下电极和倾斜下电极两种驱动结构光开关的驱动电压。采用倾斜下电极光开关的pull-in电压较低,在此基础之上,提出了一种双倾斜电极三明治驱动结构光开关。在微反射镜偏移相同距离时,该种驱动结构光开关的pull-in电压更低,从而能够更进一步地提高光开关的性能。     

增益开关半导体激光器超短光脉冲消啁啾研究

增益开关半导体激光器的输出光脉冲具有“红移”啁啾，本文对具有不同时域及频域特性的啁啾光脉冲采用F－P滤波和正常色散光纤补偿两种消啁啾的效果进行了理论研究．结果表明，这两种消啁啾方法在单独运用时，都只能在一定的超短光脉冲脉宽和诺宽特性条件下，获得近变换极限光脉冲，而两种消啁啾方法的结合则可以改善消啁啾效果．实验结果也证明了理论计算的结论．     

用半导体超晶格实现250fs全光开关

用半导体超晶格实现２５０ｆｓ全光开关日本电报电话公司（ＮＴＴ）研究人员已发展一种用于１．ｓｐｉｎ波长信号的光开关，据称这是半导体与选通器件中世界最快处理速度的开关。该表面反射全光开关用半导体超晶格结构达到２５０ｆｓ开关速度——这个时间相当于光传播７５...     

光开关交叉角的上限和开关对数值孔径的影响

本文讨论了全内反射型光开关的交叉角２和光路的数值孔径ＮＡ．本文给出了设计光开关时的上限，并且讨论了当光路中有全内反射型光开关时，ＮＡ受到的影响问题。     

半导体光开关工作电流和速率的理论分析

本文从载流子连续性方程出发，采用半导体双异质结概念，从理论上推出了计算半导体光波导开关工作电流和速率的理论公式，为器件选取工作电流和提高开关速率提供了理论依据。     

半导体光放大器增益饱和及其开关特性的研究

从理论上研究了行波半导体光放大器的增益饱和特性。由半导体的单模速率方程出发，应用半导体光放大器的传输波动方程，推导了放大器的增益特性表达式。根据半导体光放大器增益饱和特性，研究了开关特性。     

基于半导体光放大器的可扩展型光开关矩阵

未来的高速和高度灵活的光分组交换网络要求开关速度达到纳秒量级且集成度高的大规模空间光开关矩阵。在分析了基于半导体光放大器的常用结构形式的光开关矩阵存在规模局限性的基础上,综述了新型的可实现大规模集成的基于半导体光放大器的光开关矩阵的基本原理和研究现状。     

日电研制适用于1Tbit／s脉冲的超高速半导体全光开关

日电研制适用于１Ｔｂｉｔ／ｓ脉冲的超高速半导体全光开关日本电气公司研制成功一种经功能试验的半导体全光开关，可适用于约１Ｔｂｉｔ／ｓ的超高速脉冲，是实现多媒体世界的超高速光通信必不可少的元件。这种全光开关利用既能接通、又能断开超高速现象的光吸收，执行“...     

半导体光放大器中超快增益压缩效应与TOAD开关性能优化

在半导体光放大器中当光脉冲小于１０ｐｓ时除了考虑线性增益饱和效应,还必须考虑超快增益压缩效压。本文用数值方法分析了超快增益压缩效应对ＴＨｚ光非对称解复用器（ＴＯＡＤ）的开关特性。经过细致的参数优化,采用２．５ｐｓ控制光,可以克服开关窗的分裂效应,得到一个宽度为２．０ｐｓ,消光比为１３．７ｄＢ的开关窗。     

半导体光放大器

详细介绍了半导体光放大器的结构和制造技术。重点介绍了点尺寸变换器和矩阵光开关模块。     

2005年前的光开关市场与前景

由于通信带宽需求急剧增长,发展全光网络技术变的日益迫切。随着微电子集成电路技术、微机械加工技术和微光学技术的迅速发展和相互结合已导致了新一代全光学开关技术的出现,从而将最终实现全光开关的低成本、大容量和高速数据、声音和视频图像的光通信网络,使这一领域产生革命性的变革。