Z900MCM综述

介绍了Z900 MCM设计和布局,可控塌陷芯片连接(C4)工艺在Z900 MCM组装中的应用。从设计上通过加入垂直电感器及去耦电容器减小其噪声。通过基板测试和功能测试,剔除有缺陷的基板和芯片。Z900 MCM采用先进的MCM—D技术和MCM返工及冷却技术。Z900 MCM平均无故障时间高达40年。     

氮化铝共烧基板金属化及其薄膜金属化特性研究

大规模集成电路的发展,对芯片之间的互连提出了更高的要求,高端电子系统中高密度封装技术逐渐成为发展的主流。多芯片组件(MCM)是微电子封装的高级形式,它是把裸芯片与微型元件组装在同一个高密度布线基板上,组成能够完成一定的功能的模块甚至子系统。MCM还能够实现电子系统的小型化、高密度化,是实现系统集成的重要途径,在MCM中高密度布线的多层基板技术是实现高密度封装的关键。     

MCM(MCP)封装测试技术及产品

1、简介南通富士通的MCM封装测试技术是利用陶瓷基板或硅基板作为芯片间的互连,将二片以上的超大规模集成电路芯片安装在多层互连基板上,再用金丝与金属框架相连通,而后由树脂包封外壳的多芯片半导     

三级微电子封装技术

微电子封装一般可分为三级封装,即用封装外壳(金属、陶瓷、塑料等)封装成单芯片组件(SCM)和多芯片组件(MCM)的一级封装,常称芯片级封装;将一级封装和其它元器件一同组装到基板(PWB或其它基板)上的二级封装,又称板级封装;以及再将二级封装组装到母板上的三级封装,这一级也称为系统级封装.(而一、二级封装的关系更加密切,已达到技术上的融合).     

MCM的工艺技术发展

一、引言多芯片模块MCM：（MultichipModule）的基本概念是：把多块裸露的IC芯片组装在同一块多层高密度互连基板上，并封装在同一管壳中，形成一个多芯片功能组件。MCM是一种先进的电子组装技术，与过去的混合IC概念的关键区别在于“多块”“裸露”芯片直接组装在多层高密度互连基板上，若把一些单片器件组装在PC板上，则不能叫做MCM。采用MCM技术，其芯片之间的节距可缩得极小，层与层间以通孔金属化导线互连，因此，其多层互连线比常规PC板或混合IC要缩短一个数量级，由此导致一系列引人注目的重大优点。国际上的研究开发结果…     

一种LTCC基板上薄膜多层布线技术

LTCC基板上薄膜多层布线工艺是MCM—C／D多芯片组件的关键技术,它可以充分利用LTCC布线层数多、可实现无源元件埋置于基板内层、薄膜细线条精确等优点,从而使芯片等元器件能够在基板上更加有效地实现高密度的组装互连。本文介绍了在LTCC基板上薄膜多层布线工艺技术,通过对导带形成技术、通孔柱形成技术和聚酰亚胺介质膜技术的研究,解决了在LTCC基板上薄膜多层布线的工艺难题。     

多芯片组件将铸就世界辉煌

自80年代中期以来,国际上有关多芯片组件(MCM)的报道日益增多。人们从整机、制造和应用的不同角度,对MCM的定义不尽相同,对MCM的技术内涵也有不同的认识和理解。综合分析近年来国内外专家对MCM较普遍的看法,对MCM作如下定义比较妥当:MCM是将2个以上的大规模集成电路裸芯片和其它微型元器件互连组装在同一块高密度、高层基板上,并封装在同一管壳内构成功能齐全、质量可靠的电子组件。MCM是实现电子装备小型化、轻量化、高速度、高可靠、低成本电路集成不可缺少的关键技术,它与传统的混合IC主要区别在于MCM是采用“多块裸芯片”与“多层布线基板”,并实现“高密度互连”。     

多芯片组件将铸就世界辉煌

自80年代中期以来,国际上有关多芯片组件(MCM)的报道日益增多。人们从整机、制造和应用的不同角度,对MCM的定义不尽相同,对MCM的技术内涵也有不同的认识和理解。综合分析近年来国内外专家对MCM较普遍的看法,对MCM作如下定义比较妥当:MCM是将2个以上的大规模集成电路裸芯片和其它微型元器件互连组装在同一块高密度、高层基板上,并封装在同一管壳内构成功能齐全、质量可靠的电子组件。     

MCM—C倒装焊工艺技术研究

简要介绍了主要倒装焊技术，重点研究了实用性强、可行性好的超声热压倒装焊、导电环氧粘接倒装、ACA粘接倒装以及MCM—C基板上的芯片倒装焊区制作、倒装后芯片的下填充等工艺技术，总结了芯片倒装互连质量的主要检验要求。     

AlN多层基板的研制

MCM技术推动了现代微电子技术迅猛发展,已广泛应用于各种通讯系统的收发组件之中。AIN基板作为MCM技术多层基板主流之一,由于其高热导率、与硅片匹配的热膨胀系数、高介电常数、兼容各种芯片组装工艺的优点,在各个领域均获得了广泛的应用。文章结合一个微波组件AIN基板的研制,阐述了在AIN基板研制过程中解决的工艺难点,如粉料配制、流延、层压、烧结等,对研制的AIN基板进行了物理性能与电性能测试,结果表明AIN基板完全可以满足大功率毫米波／微波组件的实用化要求。     

AIN多层基板的研制

MCM技术推动了现代微电子技术迅猛发展，已广泛应用于各种通讯系统的收发组件之中。AIN基板作为MCM技术多层基板主流之一，由于其高热导率、与硅片匹配的热膨胀系数、高介电常数、兼容各种芯片组装工艺的优点，在各个领域均获得了广泛的应用。文章结合一个微波组件AIN基板的研制，阐述了在AIN基板研制过程中解决的工艺难点，如粉料配制、流延、层压、烧结等，对研制的AIN基板进行了物理性能与电性能测试，结果表明AIN基板完全可以满足大功率毫米波／微波组件的实用化要求。     

用于MCM-L的挠性基板——有价格竞争力的制造工艺

基板成本已经影响到MCM(多芯片模块)技术接收问题。而MCM—L的性能价格比解决之后,MMC-L考虑的是解决其性能问题。MCM—D的性能可满足要求,但是要解决的是成本问题。基于这种情况,以Sheldahl公司的挠性基板的设计与构造和线路制造工厂在Longment,CO合作组成的MCM-;财团(Consortium,译者注:共8家公司参加)集中其力量开发两种MCM技术。     

MCM-C集成技术的缓变数据采集器

介绍了采用先进的MCM－C技术集成的缓变数据采集器MCM组件的设计方法和制造技术。该组件采用28层陶瓷电路基板、双面裸芯片贴装、超大腔体封装,集成度高,满足了整机系统小型化、高可靠的要求。     

一种基于LTCC技术的S波段接收前端的设计

本文描述一个基于低温共烧陶瓷（LTCC）的MCM封装技术的S波段接收前端制作与设计,电路集成了MMIC有源芯片和无源芯片在多层LTCC基板上,介绍电路设计特点及实际测试结果。电路具有结构紧凑体积小、重量轻、高可靠等特点。     

MCM封装技术新进展

MCM封装是多芯片组件,它可以将裸芯片在Z方向叠层,更加适合电子产品轻、薄、短、小的特点。介绍了MCM封装技术的3种分类——MCM-L、MCM-C及MCM-D。其中MCM-L成本低且制作技术成熟,但热传导率及热稳定性低。MCM-C热稳定性好且单层基板价位低,但难以制成多层结构。MCM-D为薄膜封装技术的应用,它也是目前电子封装行业极力研究、开发的技术之一。最后讨论了MCM封装技术在多芯片组件等方面的最新进展。     

应用于MCM-C/D的减薄抛光工艺

混合型多芯片组件(MCM-C/D)研制技术具有共烧陶瓷技术高密度多层互连集成和薄膜电路高精度和高可靠性等优点,是目前先进实用的混合集成技术.共烧多层基板的总厚度差(TTV)和表面粗糙度是影响共烧多层基板在多芯片组件(MCM)中应用的关键因素.选取低温共烧陶瓷基板,研究了减薄抛光工艺对基板的作用机理,结合实际加工要求选择...     

MCM技术和LTCC基板的制作

文章首先指出，高密度组装技术和超大规模集成电路芯片制造技术的结合，必将成为军用电子技术的发展主流，MCM（多芯片组件）技术已成为世界各国军用电子技术的发展重点之一；然后简述了MCM的一般概念；最后对MCM－C（陶瓷型多芯片组件）的特点、LTCC（低温共烧多层陶瓷）基板制造的工艺流程和设备作了比较详细的介绍。     

MCM—L基板的动向和制造安装技术——随着高性能化、低价格化迅速发展

随着电子设备的高速化、小型化、低价格化的发展,正在开发着新的组装方法,其中,多芯片模块(MCM)技术对完成计算机、通讯机的变革是必不可少的器件。 MCM就是在一个模块中装入数个LSI芯片和部件的产品。由于RISC芯片等高速运算处理、IC、LSI更加复合化和复合运算处理等的必要性,所以MCM的需要急骤增长。随着专用压模、基材、基板加工、检验和组装技术等的配备,从军用大型计算机到工作站、微型计算机、通讯机等正在扩大它的用途。MCM的组装方式也从过去的QFP扩展到BGA等新的组装方式,并极力追求低价格、高可靠     

微系统三维(3D)封装技术

文章论述塑料三维(3D)结构微系统封装技术相关问题,描述了把微电机硅膜泵与3D塑料密封垂直多芯片模块封装(MCM-V)相结合的微系统集成化。采用有限元技术分析封装结构中的封装应力,根据有限元设计研究结果,改变芯片载体结构,降低其发生裂纹的危险。计划采用板上芯片和塑料无引线芯片载体的替代低应力和低成本的3D封装技术方案。     

多芯片组件（MCM）的热模拟研究

介绍了MCM的封装热阻及相应的几种热阻计算方法。利用有限元分析软件ANSYS对多芯片组件(MCM)进行了热模拟。在常用两种MCM结构的热流模型基础上，分析并比较了这两种热模型差异及对散热的影响。根据ANSYS模拟结果，讨论了空气流速、基板热导率及其厚度、芯片粘结层热导率及其厚度对MCM封装热特性的影响，分析了控制MCM封装内、外散热的主要因素。