厚膜PTC电阻烧结工艺的研究

研究厚膜PTC电阻的电性能随烧结工艺的变化规律，确定了在不同的烧结制度下的最佳烧结峰值温度。比较了两种烧结工艺条件下烧结的厚膜PTC电阻性能的差异。结果表明：厚膜PTC电阻对烧结温度敏感，随着烧结峰值温度上升，方阻Rs下降，电阻温度系数TCR上升；烧结工艺条件决定了厚膜PTC电阻的电性能，烧结工艺Ⅱ优于烧结工艺Ⅰ。本文运用液相烧结模型对实验结果进行了探讨。     

正温度系数热敏电阻烧结气氛的研究

研究了不同烧结气氛对正温度系数热敏电阻（ＰＴＣＲ）性能的影响，在ＣＯ２气氛下烧结的ＰＴＣＲ室温电阻率（ρ０）比在空气中烧结的低将近５０％，而其他各种电性能几乎没有明显的变化，因而在ＣＯ２气氛下的烧结是获得低电阻率ＰＴＣＲ的一种有效的工艺途径。     

低温烧结AlN陶瓷基片

通过添加助烧结剂和改进粉体性能，进行ＡｌＮ陶瓷的低温致密化烧结。研究结果表明，添加以Ｄｙ２Ｏ３为主的助烧结剂系统，在１６５０℃下，无压烧结４ｈ，热导率高达１５６Ｗ／（ｍ·Ｋ）；而对ＡｌＮ粉体进行冲击波处理，可以提高粉体的烧结活性，使烧结温度降低２５℃。讨论了低温烧结ＡｌＮ陶瓷基片及低温共烧多层ＡｌＮ陶瓷基片的制备工艺。两步排胶法可以较好地解决金属Ｗ氧化及ＡｌＮ陶瓷颗粒表面吸附残余碳的问题，是制备ＡｌＮ陶瓷与金属Ｗ共烧多层基片的有效排胶方法。     

CoMnNiO系NTC热敏半导体陶瓷烧结特性与电性能研究

研究了CoMnNiO系负温度系数热敏电阻陶瓷材料的烧结特性和电性能，探讨了不同烧结方法对CoMnNiO系NTC热敏陶瓷烧结特性及电性能的影响。试验结果表明，微波烧结的样品成瓷均匀、致密，且晶粒较小。对其电性能进行研究发现：同样温度下微波烧结制备的热敏元件B值、阻值一致性较常规烧结方法有较大提高。由此可见，微波烧结技术在制备热敏电阻陶瓷材料方面具有潜在的优势。     

激光直接烧结成形金属零件的实验研究

分析了激光熔池的动态快速冷凝及“球化”效应机理，基于此采用激光烧结直接成形工艺对铁粉和Ni45合金粉末进行了一系列的激光烧结实验。结果表明,直接烧结单组元铁粉易出现翘曲变形和“球化效应”，成形质量不高，即使调整工艺参数获得多层烧结件，但致密度较低;而在基体上烧结Ni45合金粉末,在合适的工艺参数下获得了致密组织较好的多层烧结件，内部组织细密均匀，表面光滑平整，且与基体结合牢固。     

多种功能陶瓷的激光烧结技术

介绍了以Al2O3,Ta2O5,BaTiO3,Na0.5K0.5NbO3(NKN)等多种功能陶瓷为研究对象，在功能陶瓷激光烧结技术工艺特点及其特殊烧结效应等方面的实验研究结果。研究表明，采用激光烧结陶瓷技术的关键问题是建立合适的温度场，需要保证烧结时陶瓷径向温度场的基本均衡稳定及合适的轴向温度梯度;对于熔点接近2000 ℃的高熔点陶瓷，激光烧结功率密度上限为103～104 W/cm2;此外激光波长的选择定则、样品支架的选择及功率曲线调节方式的确定也不容忽视。激光烧结陶瓷具有特殊的物相和显微结构特点：易获得平衡相图中没有的新相，晶粒生长易具有取向性，可以在不添加烧结助剂的情况下通过液相传质完成高熔点陶瓷的致密烧结。该技术作为一项新型的陶瓷快速制备技术，有律可循，但还存在很多值得深入探究的地方。     

26米全自动双推板彩偏磁芯烧结窑

２６ｍ全自动双推板彩偏磁芯烧结窑是我国自行研制的首条彩偏磁芯烧结窑，其主要技术能达到九十年代国际先进水平，填补了国内空白，本文着重叙述了烧结温度与窑内气氛要求对烧结设备带来的困难与解决对策，并对该窑炉的可靠性进行讨论，给出了该窑炉的工艺结果。     

W—La2O3合金的生产方法

本发明涉及一种生产钨与氧化镧合金的方法，将氢氧化镧掺合到金属钨粉末中进行混合，压制混合粉末制成压坯，对压坯进行预烧结和烧结制成合金，氢氧化镧被作为氧化镧的掺杂剂原材料，使压坯或预烧结坯在烧结前能在潮湿气氛中放置较长时间也不会发生裂损。     

添加Y2O3的自蔓延高温合成β-Sialon粉的微波烧结

采纳合理的保温结构，利用TE103单模腔微波烧结系统对添加6wt％Y2O3的自蔓延高温合成β-Sialon粉末的微波烧结行为、烧结样品的微观结构和力学性能进行了研究，SEM和TEM、HREM观察表明，烧结样品晶粒细小，微观结构均匀，力学性能测试表明在1600℃保温5min时烧结样品具有抗弯强度为470MPa，断裂韧性为5．0MPa·m－2，洛氏硬度为89．5；在1650℃保温5min时烧结样品具有抗弯强度为630MPa，断裂韧性为5．8MPa·m-2，洛氏硬度为91．6．     

工艺因素对Ba_(6-3x)(Sm_(1-y)Nd_y)_(8+2x)Ti_(18)O_(54)陶瓷微波特性的影响

探讨了研磨时间，黏合剂浓度、用量，压力，保压时间，预烧温度，烧结温度，烧结时间等工艺因素对Ｂａ６－３ｘ（Ｓｍ１－ｙＮｄｙ）８＋２ｘＴｉ１８Ｏ５４陶瓷（ｘ＝０．６，ｙ＝０．２，０．３）微波性能的影响，试验结果表明，在其他工艺因素控制得当时，预烧温度和烧结温度对微波性能的影响最大。在预烧温度１０５０℃，烧结温度１２００℃下，其微波特性参数εｒ＝７６．１９，Ｑ·ｆ＝１０．２ＴＨｚ，（ｆ＝４．５ＧＨｚ）。本系统陶瓷的烧结温度比一般文献低１００℃左右，性能仍不错。进一步研究可为制备低温烧结微波陶瓷提供可能。     

28米全自动氮气氛保护推板窑

２８ｍ全自动氮气氛保护推板窑是目前国内最长的锰锌氧体连续方烧结设备，特别适应于大规模生产和大磁芯烧结。本文介绍了该设备的主要技术指标，设备特点及运行情况，提供了４８所软磁氧体烧结设备性能表。     

烧结NdFeB放气工艺的研究

本文研究了烧结工艺中800℃放气温度对烧结NdFeB磁体性能的影响。结果指出，随着放气平台温度的提高，可以提高生产效率，增强磁体的一致性，但同时导致磁体矫顽力的降低。研究结果表明选择合适的放气温度平台是烧结工艺中一个重要的因素。     

小规格烧结钕铁硼圆柱体磁体长度影响因素的研究

本文研究了影响烧结圆柱体磁体长度的因素。结果表明：在保证磁体磁性能的情况下，氧含量、烧结温度、成型压坯密度的变化都会引起其长度的变化，但其影响程度的大小是不同的。     

微细金属粉末材料的激光快速微成型

快速成型技术(RP)是一种基于离散／堆积成型原理的新型数字化成型技术。采用激光熔化金属粉末材料直接制造金属零件是RP技术向RM(Rapid Manufacturing)发展的必然趋势，也是世界各国研究开发的热点。而利用微纳粉末金属材料进行微成型目前尚处于探索阶段。本文采用自行设计的激光精细烧结装置对粗、细粉末金属材料进行了对比烧结成形试验，分析了影响激光烧结微细金属粉末微成型的各种参数。结果表明，烧结金属细粉所需的功率远低于烧结粗粉所需的功率，成形精度好。通过对参数的优化，找到了最佳的成形工艺，成功制作出壁厚只有100μm左右的微小金属件。     

半导体激光器的主要失效机理及其与芯片烧结工艺的相关性

分析了GaAs/CaAlAs高功率半导体激光器的暗线缺陷，腔面损伤退化和电极退化等主要失效机理及主要失效模式。通过样品老化试验，从微观物理角度分析了光功率输出下降与芯片烧结工艺相关性，明确了烧结焊料引起PN结短路，烧结空隙，焊料沾污等是导致半导体激光器退化的一个主要因素。     

一种新型低温共烧堇青石基微晶玻璃

采用传统的玻璃熔融工艺制备MgO-A12O3-SiO2-Bi2O3（MASB）玻璃粉末，研究了其烧结特性和析晶过程。结果表明，该玻璃粉末可在低于900℃烧结。在烧结中玻璃首先析出μ-堇青石，然后转变为α-堇青石，氧化铋没有参与晶相的形成。该微晶玻璃具有低介电常数（5．23），低介电损耗（约0．2％）和低温烧结特性，可用于超高频片式电感领域。     

精细结构陶瓷材料烧结技术的研究动向

本文介绍国外精细结构陶瓷烧结技术的研究动向。重点叙述最近研制成的几种烧结技术，诸如微波、激光、自已燃烧烧结或燃烧合成法，低温无压烧结以及中子照射超低温烧结陶瓷等新技术。并介绍了用上述新技术制备的一些陶瓷材料的工艺及其性能。     

激光烧结合成ZrW2O8材料

采用激光烧结快速合成方法成功制备出负热膨胀ZrW2O8材料。在扫描电镜(SEM)下观察样品形貌,显示出激光烧结ZrW2O8样品颗粒细小、分布均匀，晶粒大小在10 nm左右。X射线衍射(XRD)和拉曼光谱分析表明，激光法烧结可以有效地合成ZrW2O8,样品表面仅包含α-ZrW2O8，而样品内部除包含主要成分α-ZrW2O8外，还有γ-ZrW2O8相存在,可能与激光烧结过程中圆坯片内部存在极大的应力有关。同时分析了激光扫描速率对样品性能的影响，结果表明，激光烧结合成ZrW2O8时，在合适的激光功率密度下，适当地降低扫描速度，可以有效地减少γ相的产生。     

激光烧结陶瓷温度场的数值模拟

根据热传导理论，推导出了激光烧结陶瓷过程中的热传导方程;并采用数值模拟的方法，编写了基于有限差分法的计算机程序。在此基础上，分别模拟计算了在各种不同的烧结工艺条件下，CO2激光辐照Al2O3陶瓷的温度场,结果表明,采用激光辐照的办法烧结陶瓷可以使陶瓷在短时间内达到很高的温度。此外，还计算了烧结过程中材料的温度随空间的变化曲线,结果表明,平行于激光辐照方向的温度梯度大小不随烧结时间变化而只与激光功率有关，激光功率越大温度梯度越大。研究还发现：垂直激光辐照方向的温度梯度的大小取决于激光束的功率密度分布和光斑大小。     

铜基粉末材料激光烧结研究

应用CO2激光对铜基粉末压坯进行烧结，形成常规工艺较难得到的η相和ε相，烧结后孔隙度低，密度、硬度、韧性、耐磨性均高于常规烧结。