电容电感测试仪的设计

介绍了电容电感测试仪的测量原理和电路设计方法,采用STC89C51单片机作为计算核心,以LC三点式振荡电路作为测量电路,采用固定的电感和电容组成LC振荡电路。单片机负责控制频率的测量,并利用单片机设计频率计测量得到分频后的频率,运用谐振频率公式,间接得到待测的电容值或电感值。该方案进行电容和电感的测试,具有电路原理简单、体积较小的优点。     

具有电容阵列和电感阵列的1.8~2.6GHz CMOS压控振荡器

设计了一个具有开关电容阵列和开关电感阵列的1.76~2.56GHz CMOS压控振荡器。电路采用0.18µm 1P6M CMOS工艺实现。经测试,压控振荡器的频率调谐范围为37%。在频率调谐范围内及1MHz频偏处,相位噪声变化范围为-118.5dBc/Hz至 -122.8dBc/Hz。在1.8V电源电压下,功耗约为14.4mW。基于具有电容阵列和电感阵列的可重构LC谐振回路,对压控振荡器的调谐范围参数进行了分析和推导,所得结果为电路设计提供了指导。     

打破调谐范围记录的串联LC储能VCO

本例提出了一个新颖的振荡器结构。它使用一个串联LC（电感-电容）储能电路,使调谐范围大于采用并联LC方式的电路。这种振荡器结构能够获得宽的频率区间,明显超过最好的宽带调谐变容二极管性能。     

9～11GHz数字控制LC振荡器

采用TSMC65nm CMOS工艺设计了用于全数字频率综合器、频率覆盖范围8.95～11.02GHz的数字控制LC振荡器。为了减小相位噪声,本设计采用了带有尾电感的互补型LC振荡器结构;振荡器的可编程电容阵列被分成3组,以此来配合数字频率综合器的3个频率锁定过程。在电源电压为1V的情况下,振荡器的功耗为3.53mW。测试结果显示,该数字控制LC振荡器实现了40kHz的频率精度,当输出频率为9.38GHz时,在1MHz频偏处,相位噪声为-111.02dBc/Hz。     

一种带有开关电流源的低相噪压控振荡器

提出一种带有开关电流源的电感电容压控振荡器（LC VCO）。该技术通过反馈电容将电感电容压控振荡器的输出耦合到电流源,形成了电流源的开关特性,从而减小了电感电容压控振荡器的相位噪声。提出的电感电容压控振荡器采用华虹 NEC的0.18μm SiGe BiCMOS工艺,工作频率为5.7 GHz,相位噪声为-113.0 dBc/Hz@1MHz,功耗为2.3 mA。在其他性能相同的情况下,提出的电感电容压控振荡器的振荡频率比典型的电感电容压控振荡器的相位噪声小4.5 dB。     

LC正弦波振荡器入门

LC正弦波振荡器无需外加激励信号便能产生频率高达1000MHz的正弦波信号,它在无线电技术领域中有着广泛的应用。LC正弦波振荡电路有变压器反馈式、电感三点式和电容三点式三种。图1是变压器反馈式LC振荡器的典型电路。LC并联电路作为三极管V的集电极负载,起选频作用。线圈L2、     

电感电容频率一体化简易测量仪设计

针对电感、电容、频率测量仪器存在仪器类型繁多和操作复杂的问题,提出了电感电容频率一体化简易测量仪的设计方案,其中小电容、电感和频率测量通过LC振荡器计数测量,电解电容通过RC充放电和比较电路进行测量。电感测量范围：0.1μH-1H,精度5%;小非电解电容测量范围：1pF-2.2μF,精度5%;频率测量范围：50Hz-400kHz,绝对误差小于3Hz;电解电容测量范围：0.5μF-12000μF,精度5%。经实践证明,测量仪工作稳定可靠,能够满足大多数测量场合的需求。     

基于CMOS工艺宽带LC压控振荡器研究

设计了一种应用于无线通信系统的宽带电感电容(LC)压控振荡器(VCO),电路采用开关电容阵列获得了宽频率覆盖范围;利用开关可变电容阵列减小了调谐增益变化;并通过采用高品质因数的差分电感和噪声滤波技术获得了低相位噪声.电路设计采用SMIC 0.18 μm CMOS工艺.仿真结果表明:在工作电压为1.8 V时,直流功耗为9 mW,压控振荡器的频率范围870～1500 MHz(53%),调谐增益在67 MHz/V至72 MHz/V之间.相位噪声优于-100 dBc/Hz@100 kHz.     

一种低功耗C类LC压控振荡器

采用SMIC 65 nm标准CMOS工艺,设计了一种新型的低功耗电容电感压控振荡器(LC VCO)。采用幅度监测负反馈技术,保证振荡器正常启动并且工作于C类工作状态,最大程度地增加输出摆幅。与常规C类电容电感压控振荡器不同,采用电流复用技术可以在保证性能不变的情况下使VCO的功耗下降50％。后仿真结果表明,在1.2 V电源电压下,该压控振荡器的功耗为1.1 mW,相位噪声为-123 dBc/Hz @1 MHz,FOM为190,振荡频率范围为2.3~2.6 GHz,可调谐范围为12%。     

一种展宽压控振荡器频率覆盖的新方法

以一个频率覆盖30MHz的高频权电容编码压控振荡器为实例,详细介绍了用权电容编码方法展宽普通LC压控振荡器频率覆盖的原理和技术。并介绍了这种权电容编码压控振荡器在频率合成器中的应用技巧。     

GPS校频的压控振荡器设计

提高压控振荡器（VCO）的频率稳定度和噪声抑制能力,是基于反馈控制原理与GPS驯服校频技术频标产生电路获得高稳定度、高准确率的标准频率信号的关键。综合差分对型VCO,LC型VCO的优点,研究压控振荡器的噪声与频率调节范围及稳定时间的关系,设计一种全差分结构的LC型压控振荡器（使用COMS电容阵列作LC元件）,具有较高的电源噪声和衬底噪声抑制能力。仿真结果表明,该压控振荡器的频率稳定时间短,准确度锁定在GPS标准的准确度上。     

愈做愈小的片式化温补晶振

片式温度补偿晶体振荡器(SMDTCXO)是一种把直流电转换为交流电的装置。由电感和电容组成的LC振荡器由于频率稳定度较低(10-2～10-3量级),在许多应用领域已不能满足要求。由于石英晶体及温补电路组成的SMD TCXO的频率稳定度在10-6～10-8量级,再加上其具有Q值高(几万至上     

数字式电感电容测量仪的设计

在测量电感电容值时,传统的测量大都采用交流电桥法和谐振法.然而这些方法通常采用刻度读数,读数不够直观.着眼于对传统测量方式的改进,基于LC振荡电路原理,结合以AT89S51单片机为核心的频率测量电路,设计一种数字式电感电容测量仪,给出详细的电路原理和程序流程,对测量原理做了较详细的阐述.基于LC振荡电路原理测量LC是本设计的创新之处.     

一个2.4 GHz CMOS LC压控振荡器的设计

采用单层多晶6层金属(1P6M)的0.18μm标准CMOS工艺,设计了一个2.4 GHz电感电容压控振荡器(LC tank VCO)。该压控振荡器的电路结构选用互补交叉耦合型。测试结果表明,在VCO的输入参考频率为1 MHz,工作电压1.8 V时,工作电流为5.5 mA,频率调谐范围2.1~2.8 GHz。     

采用有源电感的小面积宽可调范围VCO

为了实现电感-电容压控振荡器(LC VCO)的全集成和小面积,同时使其振荡频率具有较宽的可调范围和较低的相位噪声,采用差分有源电感和Q值增强共源共栅电路结构,对LC VCO进行设计。采用差分有源电感代替螺旋电感,减小了芯片面积,并利用有源电感的可调性,增大了振荡频率的可调范围。采用Q值增强共源共栅电路结构,增加了LC VCO的输出功率和Q值,进而减小了相位噪声。基于TSMC 0.18 μm RF CMOS工艺,采用Cadence仿真工具对LC VCO进行仿真验证。结果表明,LC VCO振荡频率的可调范围高达129%,在偏离最大振荡频率1 MHz处,最低相位噪声为-121.4 dBc/Hz,直流功耗为11 mW,优值FOMT(考虑到调谐范围)为-193.6 dBc/Hz。     

自调谐VCO频段选择技术比较与设计

系统分析了自调谐的必要性和各种具有频段选择功能的LC VCO(电感电容压控振荡器)的特点,设计了一种可以应用于自调谐的LC VCO结构.该压控振荡器用5层金属0.25 μ m的标准CMOS工艺制造完成,测试结果表明,该压控振荡器在电源电压为2.7V时的功耗约为14mW,它具有约1 80MHz的调谐范围,在振荡中心频率为1.52GHz时的单边带相位噪声为-110dBc/Hz@1MHz.     

一种适用于2.4GHz ISM射频波段的全集成CMOS压控振荡器

提出了一种频率可调范围约230MHz的全集成LC压控振荡器(VCO).该压控振荡器是用6层金属、0.18μm的标准CMOS工艺制造完成.采用MOS晶体管和电容组合来实现等效变容管,为降低芯片面积仅使用一个片上螺旋电感,并实施了低电压、低功耗的措施.测试结果表明,该压控振荡器在电源电压为1.8V的情况下功耗约为10mW,在振荡器中心频率为2.46GHz时的单边带相位噪声为-105.89dBc/Hz@600kHz.该压控振荡器可以应用于锁相环电路或频率综合器中.     

使用文氏电桥代替MAX038

1 概述 低频正弦波振荡器的频率较低,如果使用LC振荡器则需要巨大的谐振电容和电感,这将增加系统成本和电路板空间,而使用RC移相式振荡电路可以避免这些问题.RC移相式振荡电路利用RC网络实现选频,体积较小,成本低廉.其中的文氏电桥最易于使用,性能稳定,使用标准器件即可获得良好的正弦波形,且不易受所使用的运算放大器类型影响.但在该电路应用时会遇到失真过大等问题.     

电容三端式振荡器

一、引言一般所说的电容三端式振荡器系指考毕兹(Colpitts)振荡器.现在讨论的这一电容三端式振荡器同考毕兹振荡器不同,主要差别就是它以串联谐振的LC电路代替了考毕兹振荡器中的电感.这种变形的电容三端式振荡器具有较多的优点.它最早使用在英国广播公司发信机的振荡电路中,后来葛莱脱(Gouriet)及克拉泼(Clapp)等均有文章进行讨论.近年来,国内使用这一电路的已日渐增多.今就个人肤浅的认识及在     

基于CMOS工艺的太赫兹振荡器

在太赫兹频段,无源器件电容电感的品质因数低、电路的寄生参数以及MOS管的截止频率影响使太赫兹振荡器电路难以实现高功率输出。提出一种300 GHz可调谐振荡器,首先,采用改进的交叉耦合双推(Push-Push)振荡器结构,通过输出功率叠加的方法输出二次谐波300 GHz信号,增加了振荡器的输出功率并突破了MOS管截止频率,并通过增加栅极互连电感增加输出功率。其次,太赫兹振荡器摒弃传统片上可变电容调谐的方式,通过调节MOS管衬底电压改变MOS管的栅极寄生电容实现频率调谐,避免太赫兹频段引入低Q值电容,进一步增加了输出功率。提出的太赫兹振荡器采用台积电40 nm CMOS工艺,基波工作频率为154.5 GHz,输出二次谐波为 309.0 GHz,输出功率可达-3.0 dBm,相位噪声为-79.5 dBc/Hz@1 MHz,功耗为28.6 mW,频率调谐范围为303.5~315.4 GHz。