不锈钢细长弯管化学抛光工艺的研究

研究了奥氏体不锈钢细长弯管的化学抛光液的组成及抛光工艺参数,讨论了抛光液的组成成分和抛光温度、时间对表面光洁度的影响.经过实验,筛选出一组化学抛光添加剂并找出最佳抛光工艺参数,抛光后细长弯管的表面光洁度能达到所要求的效果.     

不锈钢细长弯管化学抛光工艺的研究

研究了奥氏体不锈钢细长弯管的化学抛光液组成及抛光工艺参数,讨论了抛光液的组成成分和抛光温度,对间对表面光洁度的影响,经过实验,筛选出一组化学抛光添加剂并找出最佳抛光工艺参数,抛光后细长弯管的表面光洁度能达到所要求的效果。     

铜材表面化学抛光工艺研究

为满足铜材钝化时对于处理表面的要求,本文系统地研究了多种化学抛光液配方与工艺,并对其中效果较好的两种进行了较深入研究,进而提出了可获得最佳表面抛光效果的配方与工艺．     

铝合金碱性抛光液及其工艺条件

由于铝合金在碱性溶液中腐蚀速度极大,致使抛光时间不能过长;此外由于碱性溶液抛光后表面的光亮度不大,所以降低铝的腐蚀速度、提高抛光光度是碱性化学抛光的关键;作者对铝合金的几种新型碱性化学抛光液及其工艺条件进行了研究。试验结果表明：添加由硫脲（或钼酸铵或六次四基四胺）、硅酸钠、十二烷基硫酸钠构成的复合缓蚀剂能大大提高铝合金抛光质量,同时可抑制碱雾的产生。铝合金碱性抛光液的较佳配方与工艺条件为：NaOH300g/L,NaNO3 250g/L,硫脲20g/L,硅酸钠10g/L,十二烷基硫酸钠1．5－1．8g/L,温度60－70℃,抛光时间80－100s。     

单晶碳化硅晶片高效超精密抛光工艺

为改善现有碳化硅抛光方法存在的效率低、有污染、损伤大等问题,提出采用机械研磨与光催化辅助化学机械抛光组合工艺抛光单晶碳化硅晶片.光催化辅助化学机械抛光利用纳米二氧化钛在紫外光照射下生成羟基自由基的强氧化作用原子级去除碳化硅.通过L9(33)正交试验研制光催化辅助化学机械抛光抛光液,采用对碳化硅晶片表面粗糙度跟踪检测的方法确定优化加工工艺.甲基紫有机显色剂静态氧化试验结果表明:光催化剂对抛光液氧化性的影响最大,其次是电子俘获剂,再次是分散剂;较好的抛光液配方为二氧化钛0.5 g獉L-1、过氧化氢1.5 mol獉L-1、六偏磷酸钠0.1 g獉L-1.确定的优化抛光工艺为:采用5μm和2μm金刚石微粉分别研磨单晶碳化硅晶片30 min,材料去除率分别为8.72μm/h和4.56μm/h;然后采用光催化辅助化学机械抛光单晶碳化硅去除机械研磨带来的损伤,粗抛光选用0.5μm氧化铝微粉抛光60 min,精抛光选用0.05μm氧化铝微粉抛光50 min,粗抛光和精抛光的材料去除率分别为1.81μm/h和1.03μm/h.用该工艺抛光单晶碳化硅,获得的表面粗糙度约为0.47 nm,基本能满足单晶碳化硅高效、超光滑、低损伤的抛光要求.     

银铜合金的电解抛光工艺探索

对银铜合金电解抛光的工艺参数和抛光液组分进行了系列实验,并通过进行人工汗渍试验、湿热试验、光敏试验来验证合金的抗变色的能力.     

Cu-CMP抛光液中有机碱的化学作用实验分析

分析了带有羟基和双胺基的有机碱在Cu－CMP过程中的化学作用，为得到抛光液的最佳配比，在给定的实验条件下对铜进行抛光实验，得到了铜的抛光速率随有机碱浓度的化学作用曲线，并得到了有机碱在抛光液中的最佳浓度。实验结果表明：随着抛光液中有机碱浓度的增加，抛光过程中的化学作用（络合反应）增强，铜的抛光速率随之增大，当有机碱增加到一定浓度时，抛光速率达到最高值，并相应得到了最佳的抛光表面。     

硫系红外玻璃的抛光工艺研究

为研究锗砷硒(Ge22As20Se58)硫系红外玻璃的最佳抛光参数,比较了CeO2抛光液和Al2O3抛光液、聚氨酯抛光模和黑色阻尼布作为抛光垫时的优劣性。通过4因素3水平的正交实验,采用古典法平摆式磨抛技术研究锗砷硒玻璃的抛光工艺,使用Taylor Hobson粗糙度轮廓仪和Zygo Newview 8200对抛光后的锗砷硒玻璃表面粗糙度进行检测。研究结果表明:相比较于聚氨酯抛光模,黑色阻尼布作为抛光垫时玻璃未产生划痕,抛光时Al2O3抛光液的抛光效果优于CeO2抛光液,锗砷硒玻璃表面粗糙度可达2.59nm,得到了最佳抛光工艺。     

对以有机胺及氢氧化钠为介质的二氧化硅胶体抛光机理与工艺的探讨

抛光是半导体器件生产中的关键基本工艺之一。在现用的硅片抛光工艺中,公认以NaoH 为化学介质的 Sio_2胶体或悬浮液抛光,比“铬离子”抛光的表面要好,已被普遍应用。但其美中不足的是抛光液中有大量 Na~ 离子存在,抛光速度也不够快,这都是我们所不希望的。为此,我们首先对现行使用的以 NaoH 为介质的 SiO_2胶体抛光机理进行了初步探讨,然后按此机理,考虑以有机胺代替一般 SiQ_2胶体抛光液中的 NaoH,做了一些实验,得到的结果表明是较满意的。本文就上述有关问题,谈一点初步看法。     

蓝宝石磁流变化学机械抛光工艺研究

针对超光滑平面蓝宝石衬底片存在亚表层损伤的问题,文中利用磁流变抛光技术进行蓝宝石衬底片抛光以满足现有生产需要,研究了磁流变抛光中抛光压力、抛光盘转速、工件盘转速及抛光液温度等工艺参数对C向蓝宝石衬底片表面粗糙度和去除率的影响。采用正交实验方法获得了一组最佳工艺参数为:抛光压力为25 kg,抛光盘转速为40 r·min~(-1),工件盘转速为20 r·min~(-1),抛光液温度为38℃。研究结果表明:蓝宝石抛光后最优表面粗糙度R_a为0.31 nm,去除率达到2.68μm·h~(-1)。     

铝及铝合金无硝酸化学抛光工艺研究

对铝及铝合金的化学抛光工艺进行了系统的研究和探讨，讨论了各种工艺条件对抛光的影响，确定了适宜的工艺规范，对光亮剂作用机理进行了探讨．     

复杂模具自由曲面抛光工艺规划的研究

抛光是模具自由曲面自动化加工中的重要工序．本文对复杂模具自由曲面抛光的工艺规划技术进行了研究,首先详细给出了抛光工艺规划步骤,即自由曲面分区、磨具的选择、路径规划、加工参数优化和抛光次数的确定;提出了三种确定抛光次数的方法,即表面粗糙度法、材料去除深度法和效率法,并具体给出了每一种临界抛光次数的计算方法．     

锅包肉的烹饪工艺及其影响因素研究

通过感官评价研究锅包肉烹饪工艺条件对其感官品质的影响,同时利用正交试验对糖醋汁配比工艺参数进行优化研究。结果表明:选择里脊肉作为锅包肉原材料最优,锅包肉选用玉米淀粉挂糊最佳,锅包肉糖醋汁最优配比为番茄沙司含量为20%、蔗糖含量为35%、白醋含量为45%、食盐含量为1%。     

“豉辣蒜香河豚”烹调工艺研究

运用单因素优选法、方差分析法和感官测评对豉辣蒜香河豚进行测定和分析,得出其最佳烹调方案：河豚鱼肉为400g时,腌制盐用量为3.2g、腌制时间为60min、油炸温度为150℃、炸制时间为1.6 min。其煮制调味料的最佳配方是：豆豉30g、干红椒6g、蒜头12g、草果3g、肉桂1.5g、生抽24g、白糖9g、色拉油9g、生姜5g、葱6g、料酒6g、清水156g。     

纳米CuO的室温固相制备工艺研究

采用室温固相制备前驱物再热处理和室温一步固相法两种方法制备纳米CuO.室温固相制备前驱物再热处理的方法以Cu（CH3COO）2·2H2O和H2C2O4·2H2O为原料,通过室温固相反应制备前驱物,再对前驱物进行热处理制备产物,研究了研磨时间、热处理温度及时间对产物的影响;室温一步固相法以CuCl2·2H2O和NaOH为原料,以PEG-400为表面活性剂,通过室温固相反应制备产物,研究了PEG-400用量对产物的影响.通过XRD对产物进行表征.结果表明：室温制备前驱物再热处理的方法制备的纳米CuO产率高,平均粒径小,最好的制备工艺为：对反应物研磨30min,将得到的前驱物在350℃热处理1h,得到的纳米CuO平均粒径为27.06nm,产率为93.16％.     

PAN-6S作络合滴定指示剂连续测定铜和镍的研究

就PAN-6S试剂作络合滴定指示剂连续测定铜和镍进行研究．在pH为2．3的氨基乙酸一盐酸溶液中，以PAN-6S作指示剂，以EDTA为滴定剂连续滴定测定镍和铜，其终点颜色变化敏锐，准确度高，铜、镍比例在1：20～20：1范围之间相互无影响．方法用于合金中铜、镍的连续测定，结果满意。     

炒珍珠蛋清的工艺研究

炒珍珠蛋清口感较好、营养丰富,以其为原料炒制的菜肴造型美观、营养丰富,适合现代人的口味。本文通过单因素实验分析得出炒珍珠蛋清的最佳配方:蛋清120g、牛奶180g、湿淀粉8g。     

细铜丝电子背散射衍射试样的制备

为了解决细铜丝电子背散射衍射（Electron Back-Scattered Diffraction,EBSD）试样制备的难题,将电化学镀镍技术引入到EBSD试样制备过程中,并对电化学镀镍过程的工艺参数进行了研究.同时,电解抛光过程对EBSD试样表面质量影响显著,文中讨论了抛光电压和抛光时间对EBSD试样表面质量的影响.研究结果表明,当电镀液为硫酸镍280g/L、氯化镍45g/L、硼酸30g/L、十二烷基硫酸镍0.05g/L,在室温下,电压为1V、pH=3时细铜丝上能够获得很好的镀层;当电解抛光配方为蒸馏水500mL＋磷酸250mL＋乙醇250mL＋丙醇50mL＋尿素5g,温度为-15℃～-20℃,电压为3V,时间90～120s,试样抛光效果较佳;采用上述两种过程处理后,真应变为8.42的EBSD试样的标定率可达80%以上.