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在水冷反应室式微波等离子体化学气相沉积装置中以混合的CH4/H2/O2为反应气体,研究了O2浓度对制备金刚石膜的影响.实验发现,很低浓度的O2会显著促进金刚石的沉积,并稍稍抑制非晶C的沉积,因而沉积膜中非晶C的含量急剧下降;较高浓度的O2会同时抑制金刚石和非晶C的沉积,但由于抑制金刚石的作用更强烈,沉积膜中非晶C的含量反而有所升高.另外,O2的存在,有利于沉积颗粒较小的金刚石膜. 相似文献
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在水冷反应室式MWPCVD装置中以CH4和H2为反应气体进行了金刚石膜的沉实验,研究了反应气体的压强对金刚石膜中非刚石碳相含量的影响,实验发现,当微波输入功率较小时,随着反应气压的上升,沉积膜中非金刚石相碳的含量单调下降,当微波输入功率较大时,沉积膜中非金铡石相碳的含量先随着反应气压的上升而降低,后又随着反应气压的上升而稍稍增加。 相似文献
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在水冷反应室式MWPCVD装置中以CH4和H2为反应气体进行了金刚石膜的沉积实验,研究了反应气体的压强对金刚石膜中非金刚石碳相含量的影响。实验发现,当微波输入功率较小时,随着反应气压的上升,沉积膜中非金刚石相碳的含量单调下降;当微波输入功率较大时,沉积膜中非金刚石相碳的含量先随着反应气压的上升而降低,后又随着反应气压的上升而稍稍增加。 相似文献
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微波等离子体化学气相沉积(MWPCVD)是制备金刚石膜的一种重要方法。为了获得金刚石膜的高速率大面积沉积,研制成功了水冷反应室式MWPCVD制备金刚石膜的装置,装置在微波输入功率为3.0kW时能长时间稳定运行,并在硅衬底上沉积出金刚石膜。 相似文献
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在石英钟罩式微波等离子体化学气相沉积实验装置中研究了基片位置对金刚石薄膜沉积质量的影响。扫描电子显微镜显微形貌观察和激光喇曼谱分析表明 ,对微波等离子体化学气相沉积制备金刚石薄膜而言 ,基片位置处于近等离子体球下游区域将有利于改善金刚石薄膜沉积质量。 相似文献
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利用自行研制的石英钟罩式微波等离子体化学气相沉积金刚石薄膜装置,研究了硅基片的不同预处理方式对沉积结果的影响。通过扫描电子显微镜形貌观察和喇曼谱分析表明,基片预处理能提高形核密度;用于预处理的金刚石研磨膏的粒度不同,影响金刚石薄膜沉积时的形核密度、晶形和薄膜的质量;表面划痕对沉积金刚石薄膜的影响具有双重性。 相似文献
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基片位置对MWPCVD制备金刚石薄膜的影响 总被引:2,自引:1,他引:1
在石英钟罩式微波等离子体化学气相沉积实验装置中研究了基片位置对金刚石薄膜沉积质量的影响。扫描电子显微镜显微形貌观察和激光喇曼谱分析表明,对微波等离子体化学气相沉积制备金刚石薄膜而言,基片位置处于近等离子体球下游区域将有利于改善金刚石薄膜沉积质量。 相似文献
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金刚石/碳化硅复合梯度膜制备研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用微波等离子化学气相沉积(MW-PCVD)制备金刚石/碳化硅复合梯度膜.工作气体为H2,CH4和Si[CH3]4(四甲基硅烷,TMS),其中H2∶CH4=100∶0.6,Si[CH3]4为0%-O.05%,沉积压力为3300Pa,基体温度为700℃,微波功率为700W.基体为单晶硅,在沉积前用纳米金刚石颗粒处理.沉积后的样品经扫描电子显微镜(SEM),电子探针显微分析(EPMA),X射线能量损失分析(EDX)表明:沉积膜中的碳化硅含量是随Si[CH3]4流量的变化而改变.通过改变Si[CH3]4的流量可以制备金刚石/碳化硅复合梯度膜,且梯度膜中金刚石与复合膜过渡自然平滑. 相似文献
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类金刚石膜的应用及制备 总被引:13,自引:2,他引:11
类金刚石膜(DLC)是由无定形碳和金刚石相混合组成的碳材料,由于具有与金刚石膜(DF)相类似的性能-优异的机械特性、电学特性、光学特性、热学和化学特性以及生物相溶性,同时制备方法相对容易实现,因此引起人们极大兴趣,现在已经应用到很多领域。本文将简要介绍类金刚石膜的性能、应用以及制备方法。 相似文献
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采用微波等离子体化学气相法合成的金刚石膜质量好,但采用常规CH4-H2反应气体体系,金刚石膜的沉积速率较慢。为此,实验研究了C2H5OH-H2、CH3COCH3-H2等含氧体系下碳源浓度、微波功率、气体压力对金刚石膜沉积速率、表面形貌、电阻率的影响。结果表明,使用C2H5OH—H2、CH3COCH3-H2等含氧体系,金... 相似文献
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沉积气压对MW—PCVD制备金刚石薄膜的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
利用石英钟罩式微波等离子体化学气相沉积(MW-PCVD)实验装置研究了不同沉积气压对金刚石薄膜沉积结果的影响。扫描电子显微镜(SEM)显微形貌观察及喇曼光谱(RAMAN)分析表明沉积气压的提高有利于改善MW-PCVD制备金刚石薄膜的质量。 相似文献
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利用自行研制的石英钟罩式微波等离子体化学气相沉积金刚石薄膜装置,研究了硅基片的不同预处理方式对沉积结果的影响。通过扫描电子显微镜形貌观察和喇曼谱分析表明,基片预处理能提高形核密度;用于预处理的金刚石研磨膏的粒度不同,影响金刚石薄膜沉积时的形核密度,晶形和薄膜的质量;表面划痕对沉积金刚石薄膜的影响具有双重性。 相似文献
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微波等离子体化学气相沉积技术制备金刚石薄膜的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)制备金刚石薄膜的研究情况,重点论述了该法的制备工艺对金刚石薄膜质量的影响及其制备金刚石薄膜的应用前景。 相似文献
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不同反应气源对制备纳米金刚石膜的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
为确定两种典型的反应气源对制备纳米金刚石膜的影响,分别以CH4/Ar/H2及CH4/N2混合气体作为反应源,用微波等离子体化学气相沉积(MWPCVD)法制备纳米金刚石薄膜.XRD和Raman分析表明两种气源条件下得到的膜材均为金刚石多晶膜,但用CH4/N2气为反应源沉积的膜材中非金刚石相成分明显更多;AFM和SEM对照分析证实所有膜层的平均晶粒尺寸及表面粗糙度均在几十纳米量级,但CH4/N2气源沉积的膜中容易形成异常长大的晶粒,不利于表面质量的提高.研究结果表明,以CH4/Ar/H2混合气体作为反应气源可制备物相组成纯度更高、表面形态更为优越的纳米金刚石膜. 相似文献