MoO3对有机太阳能电池性能影响的研究

采用MoO3作为阳极缓冲层,制备了结构为ITO/MoO3/P3HT/C60/Bphen/Ag的有机太阳能电池器件,研究了MoO3薄膜厚度对器件性能的影响。采用常用的等效电路模型,仿真计算得到MoO3缓冲层对器件串联电阻的影响。此外,测试了器件的吸收光谱,研究了MoO3缓冲层对器件光子吸收的作用。结果表明,在MoO3厚度为1 nm时,器件的短路电流密度、开路电压和填充因子都得到了提高。MoO3可以改善电极和有机层的界面接触性能,能够有效降低器件的串联电阻,提高载流子的传输和收集效率;同时,MoO3缓冲层透过率高,不会对器件的光吸收效率造成影响。     

电子新闻

·新器件·Actel推出第三代FPGA器件日前,Actel公司推出以Flash为基础的FPGA 器件ProASIC3和ProASIC3E系列。Actel全新的单芯片器件具有64位、66 MHzPCI性能,是业界首个具备片上用户Flash存储器的FPGA。该器件的系统门密度从3万至300万个,并提供先进的安全ISP 技术。ProASIC3/3     

高效叠层有机电致发光器件

采用Cs2CO3:Alq3/MoO3作电荷产生层,制备出高效双单元串联型叠层有机发光器件.双单元叠层有机发光器件发光性能受电荷产生层MoO3的厚度影响很大.当MoO3厚度为30 nm时,叠层器件表现出最好的器件性能,最大电流效率达到14.5 cd/A.在相当宽的低电流密度范围内,30 nm MoO3叠层器件的电流效率是...     

具有新型电荷产生层的叠层有机发光器件

研究了采用薄层WO3作为叠层有机发光器件电荷产生层时的性能并对其厚度进行了优化,器件的电荷产生层由Li掺杂的电子注入层和高透明的WO3组成.研究表明,薄层WO3具有很高的透明度,并能有效地产生和注入空穴.叠层器件性能与单发光单元器件相比较,其亮度及效率均有大幅提高,叠层器件的最大电流效率达到了4.2 cd/A,在相同的电流密度下,叠层器件的效率约为传统器件的2倍;同时,电荷产生层的性能与WO3薄膜厚度密切相关,WO3薄膜厚度为3 nm时,器件的效率在整个电流范围内都保持稳定.采用薄层WO3作为电荷产生层为制备高效叠层有机发光器件提供了一条有效的途径.     

NPB蓝色有机电致发光器件的性能优化研究

基于结构为ITO/NPB/BCP/Alq3/Mg:Ag的NPB(N,N’-bis(1-naphthyl)-N,N’-diphenyl-1,1’-biphenyl-4,4’-diamine)蓝色有机电致发光器件,利用Alq3的空穴阻挡能力及高的荧光效率优化了器件结构。具有不同厚度Alq3空穴阻挡层的器件性能测试结果表明,Alq3对器件发光亮度影响明显,选择适当的Alq3厚度可使得器件的发光亮度提高大约两倍。电致发光光谱测试结果表明,器件的发光基本来自NPB的蓝色发光,而Alq3扮演了辅助发光层的作用。     

Bphen掺杂Cs_2CO_3作为电子传输层对OLED器件性能的影响

为改善OLED器件的载子注入平衡,本文在其结构ITO/MoO3/NPB/Alq3/Cs2CO3/Al中,分别引入高电子迁移率材料Bphen及Bphen∶Cs2CO3作为电子传输层。通过改变Bphen的厚度以及Bphen中Cs2CO3的体积掺杂浓度,研究其对器件发光亮度、电流密度和效率等性能的影响。实验结果表明,采用Bphen或者Bphen∶Cs2CO3作为电子传输层,均能提高器件的电子注入能力,改善器件的性能。相比于未引入Bphen的器件,采用25nm的Bphen作为电子传输层,改善了器件的电子注入,使器件的最大电流效率提高112%;采用体积掺杂浓度为15%,厚度为5nm的Bphen∶Cs2CO3作为电子传输层,减小了电子注入势垒,使器件的最大电流效率提高27%,并且掺杂层厚度的改变对器件的电子注入影响很小。该方法可用于OLED器件的阴极修饰,对器件性能的提升将起到一定的促进作用。     

不同缓冲层对OLEDs的影响

通过比较三种用不同缓冲层材料(TiO2、Alq3和PBD)修饰ITO的有机电致发光器件和没有缓冲层修饰的器件发现,TiO2材料修饰的器件启亮电压最低,效率最高;Alq3修饰的器件启亮电压次之;PBD材料修饰的器件启亮电压最高,效率最低。TiO2的最优化厚度比Alq3和PBD的最优化厚度大,因此对于ITO表面的平整作用也较强。三种材料HOMO能级也不一样,TiO2材料的HOMO能级最高,因此三个材料中TiO2对于空穴的阻挡作用最大,通过隧穿作用穿过缓冲层材料PBD的空穴数就小于缓冲层材料Alq3和PBD,TiO2修饰的器件的载流子的平衡程度就高于Alq3和PBD修饰的器件,从而效率也高于Alq3和PBD修饰的器件。     

IEC TC86标准目录（续二）

IEC61300-3-31(2003-02)纤维光学互连器件和无源器件基本试验和测量程序第3-31部分:检查和测量-纤维光学光源耦合光功率比测量IEC61300-3-33(1999-04)纤维光学互连器件和无源器件基本试验和测量程序第3-33部分:检查和测量-插针拔出力IEC61300-3-34(2001-12)纤维光学互连器件和无源器件基本试验和测量程序第3-34部分:检查和测量-随机插配连接器的衰减测量IEC61300-3-36(2000-02)纤维光学互连器件和无源器件基本试验和测量程序第3-36部分:检验和测量-纤维光学连接器插针内径和外径测量方法IEC61300-3-37(1997-08)纤维光学互连器件和无源…     

具有无机有机双绝缘层和修饰电极的薄膜晶体管

研究了有机薄膜晶体管器件.器件是以热生长的SiO2作为有机薄膜晶体管的栅绝缘层,酞菁铜作为有源层的.实验表明采用一种硅烷耦合剂-十八烷基三氯硅烷(OTS)修饰SiO2可以有效地降低栅绝缘层的表面能从而明显提高了器件的性能.器件的场效应迁移率提高了2.5倍、阈值电压降低了3 V、开关电流比从103增加到104.同时我们采用MoO3修饰铝作为器件的源漏电极,形成MoO3/Al双层电极结构.实验表明在同样的栅极电压下,具有MoO3/Al 电极的器件和金电极的器件有着相似的源漏输出电流Ids.结果显示具有OTS/SiO2双绝缘层的及MoO3/Al 电极结构的器件能有效改进有机薄膜晶体管的性能.     

高性能顶发光OLED器件复合阳极的研究

顶发光OLED器件是有机光电显示领域的重要组成部分,其阳极结构及性能对OLED器件的性能具有至关重要的影响。本文介绍了近年来顶发光OLED器件阳极的结构、材料及性能改善等领域的研究进展。结合顶发光OLED器件阳极的工作原理和器件质量要求,设计了不同结构的顶发光OLED器件复合阳极,并采用TFCalc光学模拟软件和SimOLED模拟软件对不同结构复合阳极的光学性能及其器件性能进行模拟分析,获得了较优的顶发光OLED复合阳极结构,其结构为Al/ITO/MoO_3,Al/Co/MoO_3,Al/Ni/MoO_3,Al/MoO_3。     

LiF作电子注入缓冲层对有机电致发光器件电容的影响

已经有多种方法分析了LiF作为电子注入缓冲层对有机电致发光器件的影响,用LiF/Al双层阴极和发光层Alq3制成的有机电致发光器件(OLED),可以降低器件的开启电压,提高器件的发光效率、发光亮度。文章主要对OLEDs(A):Al/Alq3/ITO和(B):Al/LiF(1nm)/Alq3/ITO的C-V特性进行了研究,当在阴极和发光层Alq3之间加上1nm厚的LiF层作为电子注入缓冲层以后,器件的电容由不加LiF时的72500pF减小到12500pF,由于电容的减小,有效地降低了器件的功耗,进而提高了器件的寿命,节约了能源,进一步改善了器件的性能。     

6H-SiC金属-半导体-金属结构紫外光探测器的模拟与优化

基于热电子发射理论,使用器件仿真软件ISE-TCAD建立了6H-SiC MSM紫外光探测器器件模型。对金属叉指宽度和间距均为3μm的器件进行了仿真,结果表明该结构探测器在10V偏压下暗电流已经达到15pA。器件的光电流比暗电流大2个数量级。通过仿真研究了不同结构对器件暗电流和光电流的影响并优化了器件结构。结果表明电极宽度为6μm电极,间距为3μm的器件达到最大光电流5.3nA。电极宽度为3μm,电极间距为6μm的器件具有最高的紫外可见比其比值为327。     

多芯片贴片式LED器件结温测量

结温是多芯片LED器件热性能的关键参数。以SMD5050 LED器件为例,研究了多芯片贴片式LED器件结温测量方法。SMD5050 LED是一种多芯片贴片式封装的LED器件,器件内封装有3颗芯片,3颗芯片之间并联。根据单芯片LED器件热阻测试原理,模拟SMD5050 LED器件正常工作时的状态,对SMD5050 LED器件的结温进行了测量,并根据LED芯片特性,验证了测量结果的准确性,这种方法适用于封装结构相似的其他多芯片LED器件结温的测量。     

补白

G06-3PIN管耦合器该器件是一种精密的抗电磁干扰的光纤和PIN光电二极管耦合而成。该器件耦合损耗小于1db,互换耦合损耗小于1db,具有良好的接地屏蔽性。 G06-3APD管耦合器该器件是光纤和APD光电二极管耦合的器件,器件耦合损耗及互换时耦合损耗均小于1db。该器件是光接收机的心脏,应用范围广,使用价值大。     

热风返修台拆除QFP和FP及3D类器件工艺研究

热风返修台采用非接触热风对流热传递方式,加热系统包括底部加热、顶部加热和局部加热,适于表贴器件返修;目前,QFP、FP和3D类器件返修多采用热风枪加热,待引腿焊点融化后,将器件取下,手工焊接替换器件。使用热风枪加热拆除器件效率低,热量不易控制。通过探索,适当的工艺条件下,热风返修台可以高效拆除QFP、FP和3D类表贴器件,同时不会对周围器件、焊盘及印制板造成损伤。     

Si3N4钝化层质量分析研究

采用扫描电镜(SEM)、X光电子能谱仪(XPS)、二次离子质谱仪(SIMS)等多种微分析手段对失效器件芯片表面生成物产生原因进行了分析,同时结合器件制备工艺和器件可靠性实验分析了Si3N4钝化层质量与工艺的关系.通过大量分析实验,确定了器件失效的重要原因是Si3N4钝化层存在缺陷而导致器件因表面漏电而失效.实验结果表明,将Si3N4钝化层中SiOx含量控制在10%以下,器件管壳内水分控制在1%以下,器件经过100O h电老化后芯片表面无生成物产生.     

基于平行排列3×3耦合器的光器件

本文对基于平行排列3×3耦合器的光纤器件进行了研究。平行排列3×3耦合器不仅可以实现双端口光开关、全光缓存器、光纤谐振腔等器件,而且可以用作可调耦合比的耦合器。由于平行排列3×3耦合器的弱耦合特性和平行排列结构,使得基于平行排列3×3耦合器的光器件具有许多独特的特点。更重要的是,由于这种耦合器的平行排列结构,使得它很容易做成平板波导结构,形成各种集成光器件。     

有机-无机异质结电致发光器件发光机理的研究

制备了3种有机-无机异质结电致发光器件。由于电场强度或界面势垒的不同．这3种器件的发光性能和发光机理有很大的差别：器件A的发光主要是来自无机层的蓝光．器件B中有机层和无机层都有发光．而器件C只有来自有机层的发光。对所制备的3种结构器件的EL进行了比较,研究了结构对发光起因的影响,揭示通过调节有机层和无机层厚度以及界面势垒高度可以实现对发光区域的控制。     

国家标准报批项目表

5月15日,信息产业部已根据国家标准制修订计划安排并完成的17项国家标准报批稿上报国家标准化管理委员会审批,见下表。序号标准名称建议实施推荐、指导日期或强制制定/修订1纤维光学互连器件和无源器件基本试验和测量程序第2-48部分:试验—温度湿度循环尽快实施推荐制定2纤维光学互连器件和无源器件基本试验和测量程序第3-16部分:检查和测量球面抛光套管端面半径尽快实施推荐制定3纤维光学互连器件和无源器件基本试验和测量程序第3-20部分:检查和测量—纤维光学分路器的方向性尽快实施推荐制定4纤维光学互连器件和无源器件基本试验和测量程…     

小分子OLED器件的制作

介绍了小分子OLED器件的基本结构和制作设备,制作了两种Alq_3基的小分子OLED器件,器件的结构分别为ITO/NPB(400)/Alq_3(300)/Al和ITO/NPB(400)/Alq_3(300)/LiF/Al,讨论了Al阴极中有无LiF对器件性能的影响,包括开启电压以及电流密度等参数。