激光冷却半导体

法国格勒诺布尔高磁场实验室、马德里自治大学和德国慕尼黑科技大学的研究人员通过荧光升频转换,用激光将半导体由70Ｋ冷却到63Ｋ。工序依赖于特定电子态的谐振抽运,它引起由声子吸收过程激发的高能态产生的光致发光。光致发光带走净能量,将半导体冷却。所选半导体为二维砷化镓/砷化铝镓量子阱,它具有无交叠清晰光致发光谱线。1579ｅＶ(785ｎｍ)发射的Ｔｉ∶蓝宝石激光以高至4Ｗ/ｃｍ2的强度抽运材料。研究人员通过施加高达16Ｔ的外加磁场改善谱线输出,然后分析其结果,从而无需另外的温度计就可测量材料的温度。该技术可用来冷却电子元件。…     

半导体基片的非接触抛光技术

<正> 1、绪言在半导体集成电路中,随着器件的高性能化和尺寸微细化,图形曝光技术已由可见紫外光法发展到电子束和软X射线法,并正趋于实用化。一般集成电路用硅基片晶体生长技术的进步显著,就是φ4″～φ5″大直径也能得到微小缺陷量很小的高质量晶体。为了有效地利     

激光冷却半导体材料

激光冷却是产生超冷原子的常用办法，最近，美国约翰霍普金斯大学的Jacobghurgin却创造性地提出用激光来冷却半导体材料。虽然还没有实验验证他的想法，但他认为他的想法可能给红外探测器及其它电子器件带来更有效的冷却方式。     

氮化铝基片的工艺研究

本文讨论了氮化铝（ＡＮ）基片生产工艺中影响其性能、外观的一些因素，并提出了相应的解决措施。     

软基片高质量点压焊接工艺方法研究

软基片微带电路板焊接是混合电路微组装中的关键技术之一,针对传统工装夹具压合焊接方法存在的夹具不通用、易污染电路、焊透率低等不足,本文提出了一种新颖的软基片焊接工艺方法,即采用软基片扰曲修正、馈电绝缘子自定位共焊、焊接过程局部点压等技术,实现了软基片无夹具高效、高质量焊接。本文介绍了软基片点压焊接工艺流程,并且应用试验数据对工艺参数进行优化。焊接实验结果表明,该方法可显著缩短软基片焊接时间,如某复杂组件单套组装时间缩减55%,焊透率从70%提高到95%左右,有效提高了混合电路微组装生产效率和焊接质量,同时降低了生产成本。     

半导体表面腐蚀工艺方法改进

从化学动力学的角度重新审视腐蚀和清洗过程,我们对半导体表面腐蚀和清洗工艺做了以下改进.     

光盘光固化复制工艺中玻璃基片表面改性

测定了光固化膜分别与玻璃基片、金属Ni-模的结合力.采用预涂PMMA底化层、使用α-型硅烷偶联剂和SOL-GEL法制备衬底三种方法对玻璃基片表面进行改性并作比较,来选择合理的、经济的工艺路线.运用此工艺复制了CD唱片,并用SEM观察复制信息的微观形貌.     

半导体分立器件的可靠性工艺控制方法

重点介绍了国内外半导体器件制造工艺与器件可靠性的相关性报道：工艺缺陷、微缺陷、关键工艺对器件质量和可靠性的影响及其控制方法；还介绍了关键工艺控制点的确定及其参数控制范围以及生产高质量、高可靠性器件的工艺环境的控制要求。     

方形基片喷雾涂胶工艺的优化

通过实验优化了方形基片喷雾涂胶工艺.以AZ6130光刻胶作为研究对象,实验过程中在改变胶液体积流量和氮气压力条件下,采用二流体喷头对方形基片进行喷涂,使用显微镜和粗糙度轮廓仪观察并测量其表面形貌.实验结果表明:在不改变其他实验条件下,氮气压力为0.03 MPa时,随着胶液体积流量从0.6 mL/min增加至2.2 mL/min,胶膜厚度从5.3 μm增加至19.0 μm,膜厚均匀性从3.5％增加至22.6％;胶液体积流量为1.0 mL/min时,随着氮气压力从0.01 MPa增加至0.09 MPa,胶膜厚度从6.5 μm降低至4.7 μm,膜厚均匀性从3.6％增加至15.6％.通过对实验基片的观察、测量与分析,得到方形基片制备过程中最优喷涂工艺为胶液体积流量1.0 mL/min,氮气压力0.03 MPa.     

无铅焊接工艺中冷却速率的控制

对无铅焊接工艺相关典型缺陷进行分析，发现目前很多回流焊工艺工程师和标准化组织正在越来越关注温度曲线的冷却区域。一些研究表明，锡-银-铜焊接的剪切强度要略低于共晶铅焊，由加快冷却而获得更细小的晶粒可以恢复一部分强度。     

半圆形半导体激光器阵列准直工艺方法研究

通过试验,分析并验证了半圆形半导体激光器阵列准直后光束指向发生偏移的原因,证明了烧结过程对准直光束指向性的影响。为避免烧结过程对准直工艺的影响,设计了一种的新的半圆形半导体激光器阵列的准直工艺方法,并设计了半圆形半导体激光器阵列准直工艺平台,实现了对半圆形半导体激光器在组装、烧结后进行阵列准直;同时采用两点一线的原理,设计了用于半圆形半导体激光器阵列准直的双屏监测方法,有效提高了准直的指向准确性和工作效率。通过一对半圆形器件对Ф3mm的固体棒进行泵浦试验,工艺改进后的泵浦增益有了明显提高,泵浦功率为2.3kW时,增益提高了大约15%。     

厚膜陶瓷基片通孔填充工艺

随着厚膜电路技术的发展,混合集成电路的集成度越来越高,要求提高混合集成电路陶瓷基片布线密度,而陶瓷基片双面布线是提高集成密度的较好方式之一.双面布线需要在厚膜陶瓷基片上制作通孔,并对通孔进行导体填充,以实现陶瓷基片正反两面电性能导通和散热等功能,而制作性能良好的导体孔柱是厚膜工艺的难点.重点介绍了通过优化填孔设备压力参...     

MIC陶瓷基片金镀层回收工艺

微波集成电路(MIC)在雷达中的应用要花费不少黄金。回收陶瓷基片上的金膜,对降低MIC研制成本具有重要经济价值。因为陶瓷基片上的金膜图形互不相连,所以基片表面的黄金可采用化学法回收,回收时的工艺流程如下:     

铁氧体基片流延成型工艺的研究进展

介绍了铁氧体基片的研究现状及其流延成型工艺原理,重点分析了铁氧体粉体表面性质、浆料的稳定性以及不同流延体系的干燥机理,并对铁氧体基片流延成型的发展趋势进行了展望.     

铁氧体粉料和基片的工艺控制研究

电子系统向小型化、高性能化、多功能化发展已是目前的主要趋势，从而对系统的要求也越来越高。而对基片的要求越来越广泛。     

陶瓷基片填孔可靠性工艺研究

本文重点介绍陶瓷基片通孔金属化的工艺试验，以及如何提高陶瓷基片通孔金属化的可靠性筛选试验工艺。     

氮化铝陶瓷基片制造工艺稳定性研究

本文讨论了影响ＡｌＮ制造工艺稳定性的几个因素。得到一种具有热导率大于１００Ｗ／ｍ．Ｋ，成品率约为８５％的ＡｌＮ基片较为稳定的制造工艺。     

LTCC基片的飞针测试工艺研究

低温共烧陶瓷技术(Low Temperature Co-fired Ceramic LTCC)是近年来兴起的一种相当令人瞩目的多学科交叉的整合组件技术,广泛用于基板、封装及微波器件等领域。主要介绍当前广泛用于检测混合电路板、LTCC陶瓷基板、PCB裸板故障的飞针测试设备在陶瓷基片测试中的工艺研究。