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常规的扩散和离子注入加热退火形成P—N结的方法,都涉及到长时间的高温处理,这会导致半导体材料的少数载流子寿命降低,产生二次诱生缺陷,对器件参数造成不良影响。在持续的高温处理过程中同时发生横向扩散及杂质再分布,这将使器件尺寸小型化、高集成度、高速应用受到限制。离子注入后施行束退火技术,较好地解决了这个问题。人们发现:在半导体材料表面沉积或涂敷一种掺杂剂,通过激光或电子束照射,也可以形成P—N结。整个照射处理时间只有几秒至几十秒钟,这是一种简单可行的方法。 相似文献
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半导体硅片退火工艺对生产硅片具有十分重要的作用,为此,本文加强对硅片的退火技术检测,希望能够控制硅片技术质量。因为自然界当中并不存在单体硅,硅主要以氧化物或者是硅酸盐的形式出现,需要通过提纯与精炼的方式才能够形成硅片。这个过程中硅需要进行退火工艺处理,消除硅片中氧施主的影响,内部缺陷也在这个过程中减少。这个工艺流程是制造半导体硅片的重要环节。退火后的技术检测则是实现硅片生产的最后一个环节,是确保硅片质量的重要基础。本文侧重对半导体硅片退火检测工艺发展情况进行具体阐述。 相似文献
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自从苏联某一研究机构最先采用激光退火技术以来,其优越的退火作用便受到了注意。当初从研究出发曾用Q开关红宝石激光器,但现在除YAG(钇石榴石)、红宝石Q开关之外,还用Ar.Kr,CO_2等的常规CW激光对经离子注入过的硅片进行退火。这样迅速进展的激光退火(LA),若从硅片的表面分辨率考虑,适用于局部的热处理。另外,对某些器件而言,有时也需要大面积一次退火,与脉冲电子束退火(EA)相比,LA也能得到几乎相同的结果。本技术的特点是:(1)LA,EA同是短时向处理;(2)LA退火的是局部面积;(3)EA的情况也可 相似文献
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王巧霞 《电子工业专用设备》1979,(2)
最近半导体的激光退火新工艺研究正在蓬勃地进行着。所谓激光退火,就是使受了离子注入等损伤、表面晶格产生了缺陷的半导体恢复成结晶性好的半导体,它不是用已往那种热退火方式,而是用激光照射的方式退火。这种方法开始试验的是苏联,其次认真研究的是美国,最近在我国(日本)也广泛地开展了这项新技术的研究工作。退火的对象不单单是离子注入的半导体,而且对在低温基片上经过真空蒸镀生成晶格尺寸与基片晶格尺寸不匹配的薄膜也进行了激光退火的试验。 相似文献
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激光辐照技术是近年来广泛用于半导体工艺中的一种行之有效的技术,已在离子注入的退火、形成硅化物和欧姆接触等方面取得了令人满意的效果。本文叙述用连续式CO_2激光器,在不同的时间内,对MO S结构进行辐照,根据c—v和c—t技术测量照射前后硅片的少数载流子寿命和氧化层中的固定电荷,实验结果表明:照射后硅片的少数载流子寿命明显降低,固定电荷增加。最后对少数载流子寿命降低的原因作了较为详细的讨论。 相似文献
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最近,热粘结应用于绝缘体上硅(SOI)工艺,引起了人们的广泛注意。热粘接(又称直接粘结)分两步进行:首先将经过抛光和彻底水解的硅和/或二氧化硅表面进行粘合;然后将其退火,以促成扩散粘结。为了制作高质量的SOI层,必须证明两硅片间的整个粘结表面无空隙存在(我们在实验中用的是 4英寸硅片)。我们发现,在用标准的硅片退火工艺进行退火之后,还必须在高温、高压下进行退火,以获得完全无空隙的界面。另外,我们还发现,为了确保热处理完成以后不留任何空隙,硅片的粘合操作,必需在可控气氛中进行。我们将提供揭示粘结界面原子结构的透射电子显微照片。我们还将给出显示粘结空隙表面本质的C型扫描声学显微照片和红外透射热成像。 相似文献
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《激光与光电子学进展》2001,(8):58
大阪电气通信大学和大阪大学的研究组用其研制的微粒子测量机测量出纳米级的硅片表面粗糙度,得到与用干涉显微镜测得的表面粗糙度的差.应用这微粒子测量机不仅可测量硅片表面的粗糙度,同时可以测量硅片的表面形状和表面微粒子分布.
这个装置是在硅片表面照射激光,一面扫描一面检测从单微粒子射出的瑞利散射光,从而测量粒径,测量精度达纳米级. 相似文献
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自从1976年国外使用激光对离子注入半导体进行激光退火取得成功以来,它已经成为应用半导体研究中最引人注目的一项课题。半导体的激光处理有以下特点:可以对离子注入后的半导体损伤得到完全恢复而不损伤衬底材料的效果。还可以利用聚焦的激光来扫描,对注入层局部选择退火,这样可大大提高集成电路的密集度。同时在消除损伤,离子注入的电激活率方面都比普通热处理方法好得多。我们于1978年在国内首先研究半导体离子注入激光退火成功,随后在GaAs 材料合金化(欧姆接触)、无定形硅的激光外延再生长,激光幅照太阳能电池提高转换效率、激光处理记忆元件(磁泡)等方面都取得了一定的结果。本文提出激光处理的实验方法、实验结果,以及探讨半导体激光处理引起无定形层再结晶、激光退火层的性质(如晶体缺陷,表面容貌、杂质分布、杂质原子晶格位置、激光退火层电性能)及器件应用等方面的问题。 相似文献
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半导体表面等离子体效应对THz波传输特性的影响 总被引：1，自引：1，他引：0
本文提出了一种利用激光照射高阻硅来控制硅片中THz波传输特性的方法.利用波长为808nm的激光照射高阻硅产生光生电导来控制硅片对THz波的吸收系数,进而控制硅片中THz波的传输特性,并测量了在光强为1.9W/cm2的激光照射下硅片对THz波的透射特性.在1.9W/cm2的激光照射下,0.07cm硅片的THz波透射量减少了20%.实验证明,利用激光控制硅片中的THz波传输是可行的. 相似文献
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在激光辐照或退火作用下 ,As2 S3非晶半导体薄膜的光学吸收边出现红移现象 ,并且随着激光功率的增大和辐照时间的延长 ,红移值增大 ,并最后达到饱和。这种红移在先经过退火处理再激光辐照的薄膜中是可逆的。从扫描电镜的形貌图中也可以看出 ,经激光辐照后 ,薄膜表面有晶相出现 ,且随着激光功率的增加 ,晶相出现增多。As2 S3非晶半导体薄膜中光致效应的产生是由于光致结构变化所致 ,对其产生原因 ,进行了机理分析 相似文献