工艺因素对厚膜电阻器性能的影响

本文主要介绍了厚膜混合集成电路中电阻器在生产过程中影响其性能的主要工艺因素。其中主要介绍了陶瓷基片对电阻器性能的影响,印制工艺对电阻器性能的影响,烧结工艺对电阻器性能的影响以及激光调阻工艺对电阻器性能的影响。     

函数电阻发生器及其应用

本文以余弦函数电阻器、正弦函数电阻器为中心、对函数电阻器设计、误差试验及应用进行了介绍。着重介绍用函数电阻器设计函数电路,给出了几种实用电路。     

双功能熔断电阻器

系统扼要地介绍在线路中对过负荷起保护作用，且具有通用电阻器功能的熔断电阻器的类型和要求，并提出熔断电阻器的发展方向。     

片式电阻器生产增长价格下降小型款式受宠

片式电阻器已成为电阻器市场的主流产品,尽管短期内它还不能取代传统的引线电阻器,但它在电阻器中所占的份额却在急速上升,1996年,日本固定电阻器中片式电阻器已占了86%。厚膜、薄膜、金属膜、金属箔等不同电阻芯子的低阻片式电阻器也纷纷上市。市场对高阻、低阻和高压片式电阻器的需求在扩大,电阻器的尺寸也在不断缩小。继1×0.5mm产品商品化后,0.6×0.3mm款式也已上市,并将进入批量生产。由2、4、8个1005型片式电阻器构成的电阻网络也已有市售产品。目前,制造商已在开发阻值高达10MΩ的1005     

镍-磷（Ni—P）电阻器的电阻变化的定量分析

在PCB上镀复形成电阻器的电阻性镍-磷（Ni-P）合金可以制造嵌入电阻器。这样沉积的Ni-P合金电阻器具有不良的电阻公差,要求采用旨在满足规格的昂贵的激光修整进行调节。如果无须激光调整即可降低公差,则可降低电阻器成本。本文中,变化影响图形精度、镀层和薄膜电阻率的一组参数,以评价它们对化学镀Ni-P电阻器的电阻公差的影响。还表征了基材对薄膜电阻率变化的影响。还讨论了无须激光调整可以获得低公差的Ni-P电阻器的设计指南。     

影响表贴式电阻器重用可靠性的工艺问题

介绍了《WEEE指令》及《废弃电器电子产品回收处理管理条例》中关于电子产品环保设计的要求,环保设计实施的一个重要方面就是元器件的重用;由于表贴电阻器的使用量大和更新换代周期长,因此这类器件具备重用的特点;分析了影响表贴电阻器重用寿命的几个工艺问题,如机械应力与热应力对重用电阻器可靠性的影响;环境腐蚀对重用电阻器可靠性的影响;金属间化合物IMC生长对重用电阻器可靠性的影响。同时给出了这些问题造成电阻器失效的模式以及针对这些问题的分析和判断方法。     

环形压敏电阻器及其研发现状

介绍了环形压敏电阻器的形体结构,电极形状,导电模式及其消噪原理;分析了环形压敏电阻器的应用及研发现状;比较了各种环形压敏电阻器的优劣。正处于研究阶段的TiO2系环形压敏电阻器有望弥补SrTiO3系环形压敏电阻器和ZnO系压敏电阻器存在的不足之处。     

无损耗电阻器用于实现负阻性电路系统的稳定

对无损耗电阻器的特性和功能作了分析和探讨，建立了无损耗电阻器的数学模型及应用补偿算法。由于无损耗电阻器可由理想开关阵列和电路储能元件组成，所以损耗极小。利用无损耗电阻器可节省能源的牧场生，将无损耗电阻器代替电阻器用于负阻性电路系统中，实现了负阻性电路系统的稳定，减少了电路中的能量损耗，并可控制系统的响应时间。实验结果验证了特性分析和补偿算法的正确，说明无损耗电阻器可用于实现具有不稳定极点的各类电系统和自动控制系统的稳定。     

片式膜电阻器的典型失效模式、机理及原因分析

首先,对片式膜电阻器的结构和工艺流程进行了简单的介绍;然后,对片式膜电阻器典型的失效模式和失效机理进行了总结;最后,通过案例,对片式膜电阻器两种典型的失效现象的原因进行了分析,对于相关工作人员了解片式膜电阻器的失效原因和机理,从而改善其工艺过程具有一定的参考价值.     

熔断电阻器瞬态特性仿真分析

为了简单有效地改进熔断电阻器的性能,采用有限元分析软件ANSYS建立了熔断电阻器的模型,对其在过电流状态下的瞬态温度场变化过程进行了数值模拟,并进行了实验验证。通过对熔断电阻器的热电耦合模拟,得到了不同电流下的熔断时间和温度分布云图。熔断时间的实验结果和模拟结果误差率为5%左右,这为熔断电阻器的设计和生产提供了方法和理论依据。     

Nb掺杂ZnO压敏电阻器的缺陷模型

对ＺｎＯ压敏电阻器高价Ｎｂ掺杂的缺陷模型进行了分析，据此模型对ＺｎＯ压敏电阻器的性质进行了讨论。     

五种通用元件发展的新动向

一、电阻器 当前全球电阻器市场发展的动向是:(1) 2001年全球电阻器市场疲软,2002年有望复苏。2001年由于蜂窝电话、计算机外设和PDA市场的走软,导致全球电阻器市场不景气、库存积压、价格下跌和产能过剩,各电阻器制造商通过裁员、减少投资和压缩研发经费来渡过难关。据iSuppli公司分析,2001年全球片式厚膜电阻器市场为10.4亿美元,比上年下降7.1％。薄膜电阻器库存积     

在高端音频应用中电阻器的选择

在高端音频设备中,慎重地选择电阻器是避免或将信号路径中的噪声和失真降至最低的最佳方法之一。本文描述了使用各种现有电阻器技术制造的电阻器中噪声的生成情况,并且对每种类型的典型噪声插入进行了量化。     

电阻器标称阻值的制定原则和选用方法的探讨

论述电阻器标称阻值的制定原则。对工信部颁布的标称阻值提出质疑并给出个人的修正意见。最后指明电阻器阻值的选用方法。     

压敏电阻器的电阻值

压敏电阻器是一种限压型非线性电阻器,主要用于抑制浪涌过电压。通常不用电阻值而用电压(压敏电压、限制电压)或电流(漏电流、最大脉冲电流)来描述它的特性。但是,在有些问题中,例如在压敏电阻器的冲击电流试验中,要考虑它与冲击电流发生回路的匹配问题,这时用电阻值这个参数就更为方便。根据作者在研制压敏电阻器测试仪器中所进行的实验,对压敏电阻器的电阻值这个参数作一些讨论。     

低压压敏电阻器的研究进展

综述了目前国内外研究最多的低压压敏电阻器(ZnO系)、电容–压敏双功能压敏电阻器(SrTiO3系、TiO2系)及新型压敏电阻器(WO3系)的基本组分、掺杂种类、制备工艺、性能及主要应用的研究进展。讨论了在低压压敏电阻器研究和生产方面存在的问题,并对其发展方向进行了展望。     

厚膜电阻例行可靠性实验噪声特性研究

厚膜电阻器是混合集成电路中最重要的元件之一。厚膜电阻器以其价格低廉、性能稳定和可靠性高而备受电路设计者的青睐。但是，厚膜电阻器的噪声大是不争的事实。为了能够在精密电路中应用，必须测量和控制电阻器的噪声。近年来，国内外学者发现厚膜电阻器的噪声与厚膜材料结构和质量有密切关系。本文通过厚膜电阻器例行可靠性实验中噪声测量和分析，与常规测量参数对比，探索噪声用于厚膜电阻器例行可靠性实验表征的可行性。     

SiO_2对ZnO压敏电阻器性能的影响

实验研究了ＳｉＯ２对ＺｎＯ压敏电阻器性能的影响，在ＺｎＯ陶瓷中，添加适量的ＳｉＯ２可以提高压敏电阻器的α值和电压梯度，降低漏泄电流，提高通流量，能够制造出性能优异的ＺｎＯ压敏电阻器。     

片式叠层压敏电阻器及其应用

用流延工艺把电极层和半导体陶瓷交错排布，经烧结而成的片式叠层压敏电阻器，其结构类似多层陶瓷电容器。通过与氧化锌压敏电阻器及其他压敏电阻器比较表明，片式叠层压敏电阻器具有优良的性能。并论述这类压敏电阻器在ＩＣ保护、ＣＭＯＳ器件保护、汽车电路系统保护等方面的应用。     

Nb_2O_5掺杂量对ZnO压敏电阻器性能的影响

通过掺杂微量Nb2O5制备了ZnO压敏电阻器,运用扫描电子显微镜(SEM)和电性能测试手段分析了Nb2O5掺杂对ZnO压敏电阻器微观结构和电性能的影响,测量了晶界势垒高度φH,并探讨了其对ZnO压敏电阻器性能的影响。结果表明:掺杂适量的Nb2O5可以明显改善ZnO压敏电阻器的微观结构和电性能;当Nb2O5的掺杂量为摩尔分数0.10%时,所制ZnO压敏电阻器的晶粒尺寸最大,且压敏电压V1mA、非线性系数α和φH值分别为174V,30和0.463 eV。