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简要介绍了胶接剂的组成及其在工程中的选用原则。对实际应用中通常采用的胶接原理作了定量的说明,在此基础上对胶接前构件的表面处理工艺及表面涂胶方式进行了叙述;同时对胶接技术的使用场合及性能特点也作了说明。 相似文献
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阐述了电偶腐蚀的基本原理。针对工程结构中异类金属之间联接导致的低电位金属的电偶腐蚀现象,根据电偶腐蚀的原理,提出了应用胶封技术对低电位金属进行防腐的方法,即在相接触的两种金属之间设置胶封,使二者不能直接接触而形成腐蚀原电池,从而防止低电位金属发生电偶腐蚀。应用胶封技术对某矿钢铝混合结构罐笼主要承力铝构件进行了防腐处理,取得了明显的防腐效果。 相似文献
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为了保证电力系统安全运行,必须加强对变电设备的安全检测。现对紫外成像检测原理进行详细介绍,并分析其优势和影响因素,以期促进紫外成像技术在变电设备带电检测中进一步推广应用。 相似文献
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微电子机械系统(MEMS)技术在军用设备中的应用现状 总被引:1,自引:0,他引:1
MEMS技术的发展开辟了一个全新的技术领域和产业,并在航空、航天、军事、汽车、生物医学、环境监控等人们所接触到的几乎所有领域中都有着十分广阔的应用前景。它是未来军用武器装备中的支撑技术和关键技术。在军事领域中迅速应用MEMS技术将是保持军队技术优势、维护国家安全的重要战略。介绍了微电子机械系统(MEMS)的基本特点,并在此基础上着重讲述了MEMS技术在军用设备中的应用现状。 相似文献
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微机电系统中SU-8厚光刻胶的内应力研究 总被引:3,自引:3,他引:0
在对基片曲率法常用的Stoney公式进行必要修正的基础上,提出了适合计算SU-8胶层内应力的理论模型,并采用轮廓法直观地测量了内应力引起的基底曲率的变化.通过ANSYS仿真揭示了基片直径,胶层厚度及后烘温度三者对基片曲率的影响.仿真结果表明:后烘温度是影响胶层内应力的主要因素.实验测量了后烘温度分别为55℃、70℃和85℃三种条件下的SU-8胶层的内应力.结果表明:降低后烘温度能有效地减小SU-8胶层的内应力,实验测量值与仿真计算值基本吻合.内应力的测量为SU-8胶层内应力的定量研究奠定了基础. 相似文献
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基于BP神经网络的SU-8光刻胶工艺参数优选研究 总被引:4,自引:0,他引:4
SU-8是一种性能优异的厚胶,广泛应用于高深宽比的MEMS微结构中。本文首先用正交试验研究了前烘时间、曝光剂量、后烘时间以及显影时间对SU-8光刻胶图形尺寸精度的影响,得到了优化的工艺组合。在此基础上,运用BP神经网络对试验数据进行分析处理,预测了较正交试验分析结果更为优化的工艺组合,并用试验验证了其正确性。结果表明,经正交试验数据训练过的BP神经网络,很好地映射了工艺参数与优化指标之间的复杂非线性关系,此时应用BP神经网络对工艺参数进行优选研究能够得到更全面、准确的结果。 相似文献
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在深紫外LIGA加工中,制作高精度大高宽比的微器件是很困难的。难点在于SU-8 光刻胶对紫外光的吸收系数随着波长变短而很快变大,而且其穿透深度也相应迅速变小;同时由于紫外光的衍射效应,获得高精度的大高宽比结构并不容易。本文深入研究了影响紫外深度光刻图形转移精度的如下因素:衍射效应、曝光剂量、紫外光波长和蝇眼透镜的分布等等。建立了基于模型区域的校正系统,该校正系统采用了分类分区域的思想将掩模图形按其畸变的特点进行了分类,在校正过程中对不同的类别分别建立校正区域,在每一校正区域内进行校正优化处理和校正评价,这种基于模型的分类分区域评价思想,使得校正过程有效且实时,该校正方法不仅降低了校正的复杂性,同时提高了校正的效率。 相似文献
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基于SU-8厚胶光刻工艺的微电铸铸层尺寸精度控制新方法 总被引:2,自引:0,他引:2
以SU-8胶为微电铸母模制作镍模具时,胶模的热溶胀性使胶模变形,导致铸层线宽缩小,这是影响微电铸铸层尺寸精度的主要因素。针对密集蛇形沟道图形的镍模具微电铸工艺,以200.0μm厚SU-8胶为胶模,研究微电铸铸层尺寸精度的控制方法,提出基于SU-8厚胶光刻工艺的微电铸铸层尺寸精度控制新方法,即在图形四周增设一条封闭等间距的隔离带,用隔离带减少影响图形区域的SU-8胶模的体积,阻止电铸时该处胶模的热溶胀对图形区域的影响,进而减小铸层尺寸变化。结果表明,采用增设隔离带方法制作的镍模具,胶模线宽变化量最大值由61μm减小到31.4μm,铸层尺寸相对误差的最大值由31.3%减小到16.7%,这种方法显著提高微电铸铸层的尺寸精度。 相似文献
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纳米硬度计及其在微机电系统中的应用 总被引:15,自引:0,他引:15
微机电系统(MEMS)技术的迅速崛起,推动了对其所用材料和结构的力学性能研究。本文简要介绍纳米硬度技术的发展、理论模型和MTS公司的NanoInkdenterXP系统的配置、测量原理及功能。并根据我们的一些研究结果,说明它在微机电系统中的应用。 相似文献