钾7S态与基态铷原子的碰撞能量转移

在Ｋ－Ｒｂ混合蒸气中，使用Ｋ光谱灯和染料激光器，将Ｋ原子二步激发到７Ｓ态，用荧光法测量了过程Ｋ（７Ｓ）＋Ｒｂ（ＳＳ）→Ｋ（４Ｓ）＋Ｒｂ７２ＤＪ的碰撞转移截面。Ｒｂ７２ＤＪ对Ｋ７Ｓ的荧光比中含有Ｒｂ７２Ｄ能级混合的影响，第二个实验可以消除这个影响，利用Ｒｂ光谱灯和染料激光器产生Ｒｂ７２Ｄ３／２态，探测Ｒｂ７２Ｄ５／２对Ｒｂ７２Ｄ３／２的荧光比。在Ｔ＝４２５Ｋ时，得到Ｋ７Ｓ→Ｒｂ７２ＤＪ激发转移截面（１０－１４ｃｍ２单位）分别为２．０８±０．７７（＝３／２）和２．８６±１．０６（Ｊ＝５／２）。     

用高分辨电子能量损失谱和紫外光电子谱研究多孔硅的电子结构

本文首次使用分辨电子能量损失谱（ＨＲＥＥＬＳ）和紫外光电子能谱（ＵＰＳ）研究新腐蚀的多孔硅样品（ＰＳ）的电子结构．实验结果发现，从ＨＲＥＥＬＳ谱中能量损失阈值测得的多孔硅的能隙最可几值移到２．９ｅＶ左右，与文献报道的光激发谱（ＰＬＥ）的结果相近．ＵＰＳ结果发现多孔硅费米能级到价带顶的距离不同于单晶硅，结合ＨＲＥＥＬＳ和ＵＰＳ结果可以初步得出多孔硅与硅界面的能带排列．     

Ar对HF泛频激光振转能级粒子数分布的探讨

基于多体展式方法所导出的ＡｒＨＦ（Ｘ１Σ＋）的分析势能函数，用准经典的Ｍｏｎｔｅ－Ｃａｒｌｏ轨迹法研究了Ａｒ＋ＨＦ（ν′，Ｊ′）→Ａｒ＋ＨＦ（ν″，Ｊ″）振转非弹性碰撞过程。结果指出：Ａｒ对ＨＦ的振动能级的粒子分布影响不大，但对ＨＦ转动能级有弛豫作用。     

P－型HgCdTe MIS结构反型层激发态子能带结构研究

本文在４．２Ｋ下获得了Ｐ－型ＨｇＣｄＴｅ反型层有两个子能带被占据时的电容谱．基于多个子带被占据的非量子限情形，提出了一个实验模型．用该模型对实验结果进行了拟合，获得了反型层基态及激发态子能带结构，包括基态子能带能量、第一激发态子能带能量、费米能级、耗尽层厚度、反型层平均厚度以及它们随反型层电子浓度的变化关系．     

Ge_(0.4)Si_(0.6)/Si多量子阱与Ge/Si短周期超晶格样品中的深中心

用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了分子束外延生长的Ｇｅ０．４Ｓｉ０．６／Ｓｉ多量子阱与Ｇｅ／Ｓｉ应变超晶格样品中深能级中心的性质．在两种样品中都观测到两个多数载流子中心和一个少数载流子中心．在Ｇｅ０．４Ｓｉ０．６／Ｓｉ多量子阱样品中深中心Ｅ２的能级位置为ＥＣ－０．３０ｅＶ,Ｅ３的能级位置为ＥＣ－０．２２ｅＶ．并且在正向注入下随着Ｅ２峰的消失观测到一个少数载流子峰ＳＨ１,其能级位置为ＥＶ＋０．６８ｅＶ．在Ｇｅ／Ｓｉ应变超晶格中,深中心Ｈ１的能级位置为ＥＶ＋０．４４ｅＶ,深中心Ｈ２的能级位置为ＥＶ＋０．２４ｅＶ     

HF和HCl化学激光粒子数反转的原子分子机理

本文采用多体展式理论方法的势能函数对Ｈ２Ｆ和Ｈ２Ｃｌ＋体系进行了准经典轨线计算。结果表明，反应Ｆ＋Ｈ２（Ｖ＝０，Ｊ＝０）→ＨＦ（Ｖ′，Ｊ′）＋Ｈ可以产生基频与泛频的ＨＦ化学激光，且在８～４２ｋｃａｌ·ｍｏｌ－１范围内选择相对平动能时产物ＨＦ分子在Ｖ′＝２和Ｖ′＝０之间的粒子数反转较明显。放能反应Ｃｌ＋Ｈ＋２（Ｖ＝０，Ｊ＝０）→ＨＣｌ（Ｖ′，Ｊ′）＋Ｈ＋的产物ＨＣｌ分子在振动态上的分布存在粒子数反转现象，而非反应碰撞Ｈ＋＋ＨＣｌ（Ｖ＝０，Ｊ＝０）→ＨＣｌ（Ｖ′，Ｊ′）＋Ｈ＋在所计算的能量范围内没有出现粒子数反转的现象。     

交互式视频通信的发展（续）（英文）

交互式视频通信的发展（续）（英文）Ｊ．Ｄ．ＣａｌｖｅｔＳ．Ｒ．ＴｒｅｖｅｓＷ．Ｖｅｒｂｉｅｓｔ四、ＭＰＥＧ编码ＭＰＥＧ技术最有可能成为世界范围视频信号编码与压缩的标准。除了ＭＰＥＧ１标准，又制定了ＭＰＥＧＺ标准，它使图象质量进一步提高，并支持高清晰度...     

n-Hg_（1－x）Cd_xTe中复合中心

利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．４）ｐ＋ｎ结中Ｈ２（０．２９）空穴陷阱的俘获机制，发现它不满足级联复合机制或俄歇复合机制，该能级俘获截面的温度关系满足σ（Ｔ）＝σ∞ｅｘｐ（－ＥＢ／ｋＴ）形式，推测多声子无辐射复合起着决定性作用     

亚稳态He(2~3S)原子与N_2H_4分子传能产物的发光研究

本文在流动余辉装置上,研究了亚稳态Ｈｅ（２~３Ｓ）原子与Ｎ２Ｈ４分子碰撞传能,观察到了激发态产物ＮＨ（Ａ３Π→Ｘ３∑＋）、 ＮＨ（ｃ１∏→ａ１△）、 ＮＨ２（Ａ２Ａ１→Ｘ２Ｂ１）的发射光谱,由相对光谱强度求得了形成各产物的通道比;分析 ＮＨ（Ａ３∏,ｖ′＝ ０）的转动分辨谱的结果表明,ｖ′＝０能级上的转动布居是“双模”分布, 激发态产物 ＮＨ（Ａ）、 ＮＨ２（Ａ）的形成机理可能是： Ｈｅ（２～３Ｓ＋Ｎ２Ｈ４→Ｎ２Ｈ４→ＮＨ（Ａ）＋ＮＨ２（Ａ）＋Ｈ．     

Si(CH3)4的MPD与Si原子的双光子共振三光子电离

在４１０￣４０４ｎｍ的紫激光作业下,利用平行板电极装置研究了Ｓｉ（ＣＨ３）４的多光子解离（ＭＰＤ）及Ｓｉ原子的的双光子共振三光子电离。观察到了Ｓｉ（ＣＨ３）４分子经ＭＰＤ产生的、处于３＾３ＰＪ＾〃（Ｊ＾〃＝０,１,２）态的硅原子,依据４＾３ＰＪ＾〃←３＾３ＰＪ＾〃（Ｊ＾′、Ｊ〃＝０,１,２）跃迁谱线的强度,得到了Ｓｉ（ＣＨ３）４经ＭＰＤ产生的、处于３＾３ＰＪ＾〃（Ｊ＾〃＝０,１,２）态的硅原子的密     

灯泵浦Cr~(3 ):LiCaAlF晶体可调谐Q开关激光器

报道了闪光灯泵浦掺铬氟化铝钙锂（ＣｒＬｉＣＡＦ）可调谐、Ｑ开关激光器的实验结果。调谐范围为７３０～８５０ｎｍ，峰值波长为７８０ｎｍ。激光最大输出能量为１．６２Ｊ，斜率效率为０．８％，阈值为５０．４Ｊ。ＫＤ＊Ｐ晶体电光调Ｑ，单脉冲半宽度为４８ｎｓ，峰值功率为１．３×１０６Ｗ。     

双掺Cr,Nd∶ZW晶体的光性、热学和激光性能

生长出Ｃｒ３＋，Ｎｄ３＋：ＺｎＷＯ４（Ｃｒ，Ｎｄ：ＺＷ）单晶，尺寸为２５ｍｍ×５０ｍｍ，研究了Ｃｒ，Ｎｄ：ＺＷ晶体的光学性质、热学性质，测定了其吸收和发射截面，激发态寿命和激光性能。结果表明，双掺有效地改善了激光性能，室温下获得０．９５μｍ单脉冲激光能量输出１．６２ｍＪ，斜效率为０．７９％。     

快速生长法创造晶体尺寸新记录

美国Ｉｎｒａｄ公司宣布第一个采用快速生长技术的全尺寸生长的梨形ＫＤＰ晶体,尺寸约为５６ｏｎ。ｘ５０ＣｍＸ５９Ｃｍ,重量为２７０ｋｇ．来自劳伦斯·利佛莫尔国家实验室（ＬＬＮＬ）和Ｉｎｒａｄ公司的联合研究小组仅仅花了５４天的时间就为该实验室的国家点火装置（ＮＩＦ）生长出该晶体。ＮＩＦ预计２００３年完成,其装置将花费１２亿美元,设计ｉｇ２束激光系统以产生１．ＳＭＪ的激光能量,从而达到惯性靶点火融合的要求．该梨形ＫＤＰ晶体和它的市化物（Ｋ“Ｐ）既要求完全孔径的Ｐｏｃｋｅｌｓ单晶,又要求把ＩＰｍ基波的红外…     

掺钬硼酸钙氧钆晶体的光谱分析

首次生长了新型激光晶体掺钬硼酸钙氧钆（ＧｄＣＯＢ：Ｈｏ）,测量了它的透过谱,分析并标定了Ｇｄ＾３＋离子和Ｈｏ＾３＋离子的能级跃迁对应的峰值。计算了Ｈｏ＾３＋离子在晶体中的吸收截面。由积分吸收截面的公式及Ｊｕｄｄ－Ｏｆｅｌｔ理论计算的振子强度ＰＪ,Ｊ拟合出唯象强度参量Ωｔ。     

Ge0.4Si0.6／Si多量子阱与Ｇe／Si周期超晶格样品中的深中心

用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了分子束外延生长的Ｇｅ０．４Ｓｉ０．６／Ｓｉ多量子阱与Ｇｅ／Ｓｉ为超晶格样品中深能级中心的性质,在种样品中都观测到两个多数载流子中心和一个少数载流子中心,在Ｇｅ０．４Ｓｉ０．６／Ｓｉ多量子阱样品深中心Ｅ２的能级位置为ＥＣ－０．３０ｅＶ,Ｅ３的能级位置为Ｅｃ－０．２２ｅＶ,并且在正向注入下随着Ｅ２峰的消失到一个少数载流子峰ＳＨ１,其能级位置为ＥＶ＋０．６８ｅＶ,在Ｇｅ／     

元器件快讯

元器件快讯日立公司推出超低导通电阻（４．５ｍΩ）的功率ＭＯＳＦＥＴ２ＳＫ２５５４２ＳＫ２５５４为Ｎ沟道功率ＭＯＳＦＥＴ，它的击穿电压为６０Ｖ，它的特点就是导通电阻很小，典型值为４．５ｍΩ（２ＳＫ２５８６的导通电阻为７ｍΩ），可在４Ｖ电压下工作。２ＳＫ...     

关于多孔硅发光的研究进展

关于多孔硅发光的研究进展ＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｓｉｎＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔＰｏｒｏｕｓＳｉＫ．Ｈ．Ｊｕｎｇ等曾有研究表明，多孔硅层（ＰＳＬ）在４．２Ｋ的温度下具有可见的光致发光（ＰＬ）特性。近期对ＰＳＬ的观察表明在室温下也有一定强度的ＰＬ现象，这一特...     

大电流(直流)冲击试验对-族氮化物异质结深电子态的影响

利用电流电压（ＩＶ）、电致发光（ＥＬ）和深能级瞬态傅里叶谱（ＤＬＴＦＳ）技术研究ⅢⅤ族氮化物基异质结深电子态．观察到大电流（直流）冲击引起电流电压和电致发光特性的弛豫．ＤＬＴＦＳ研究表明,电流冲击之前,样品存在一个位于导带下１１ｅＶ处深能级（Ｅ１）,它具有２７×１０１３ｃｍ－３浓度和５×１０－１４ｃｍ２俘获截面．经电流冲击（７７Ｋ,２００ｍＡ和４０ｍｉｎ）后,Ｅ１浓度为４２１×１０１３ｃｍ－３,约增加了２倍．实验结果表明Ｅ１浓度的增加与样品ＩＶ、ＥＬ特性弛豫是一致的     

New Semiconductor Thin-Film Microcavity Surface Emiters

ＮｅｗＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＴｈｉｎＦｉｌｍＭｉｃｒｏｃａｖｉｔｙＳｕｒｆａｃｅＥｍｉｔｅｒｓＲ．Ｘ．Ｊｉｎ１Ｄ．Ｂｏｇｇａｙａｒａｐｕ２Ｍ．Ｓ．Ｔｏｂｉｎ１Ｒ．Ｐ．Ｌｅａｖｉｔ１Ｈ．Ｍ．Ｇｉｂｂｓ３Ｇ．Ｋｈｉｔｒｏｖａ３Ｆ．Ｊａｈｎｋｅ４Ｓ．...     

Si(5,5,12)——一个大元胞的稳定表面

利用常规的ＬＥＥＤ和高分辨率的ＳＰＡ－ＬＥＥＤ技术研究了标称（３３７）的Ｓｉ表面原子结构．经过反复的离子轰击（７００ｅＶＡｒ＋）和１３００Ｋ退火之后的这种表面形成稳定的（５，５，１２）晶面，即结构周期为（３３７）＋（２２５）＋（３３７）的有序的原子排列．这一事实说明：Ｓｉ（５，５，１２）是比Ｓｉ（３３７）更为稳定的晶面．ＬＥＥＤ和ＳＰＡ－ＬＥＥＤ图像证实，稳定的Ｓｉ（５，５，１２）表面为（２×１）原子再构，即沿［１１０］方向的周期是体内结构周期的两倍，而沿［６６５］方向的周期与体内结构周期相同．