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正索尼和住友电气工业试制出了绿色半导体激光器,振荡波长为530 nm,连续振荡时可实现100 mW以上的光输出功率。2009年住友电工曾发表振荡波长为531 nm的绿色半导体激光器,但当时只是脉冲振荡。此次试制品的光电转换效率为8%以上。此次的绿色半导体激光器是在GaN(氮化镓)基板的半极性面上生成GaN类半导体结晶制成的,活性层采用InGaN,GaN基板由住友电工制造。 相似文献
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日亚化学工业公司成功地使用GaN系材料制作的蓝紫色半导体激光器,进行了室温脉冲振荡。该器件使用InGaN多重量子阱结构为其激活层。该半导体激光器的脉冲宽为1μs,占空比0.001条件下接通电流时,开始产生电流密度为4kA/cm2的振荡。最大脉冲功率为几+mW,发光光谱的半值宽为1nm~3nm。目前传统开发中的蓝色半导体激光器采用ZnSe系材料。这次开发采用GaN系材料是对短波长半导体激光器在选材上的有力补充。该公司已开发的GaN系蓝色发光管亮度为2.5cd,绿色发光管亮度为12cd。GaN系材料的蓝紫色半导体激光器@孙再吉… 相似文献
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蓝光半导体激光器室温脉冲振荡首次成功眼下,用1-VI族半导体的蓝一绿光激光器室温振荡的探索研究竞争激烈,开发范围不断扩大,索尼公司用以Znse为基础的!-VI族半导体激光器,在世界首次获得振荡波长为498.sum的蓝光激光的室温振荡。脉冲驱动时的峰值... 相似文献
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《光机电信息》2005,(10)
18W全固体绿激光器相干公司最近研制成功一款18W全固体绿激光器———Verdi-V18。该产品的振荡波长为532nm,输出>18W,最适于那些需要高功率绿色连续光的研究领域。(No.20)高功率半导体激光器相干公司最近隆重推出一款高功率半导体激光器——LightStoneTM80W型(波长:808nm,连续振荡)。这种条型半导体激光器的最大特点是经重叠纵横两个方向,可以实现数千瓦的功率,因此可用于直接加工或激光激励等。(No.21)C O2激光打标机SUNX公司销售的LP-400型CO2激光打标机是一种高质量的打标机。该打标机装有高速电扫描器,每秒可打700多个文字,打… 相似文献
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为了降低半导体抽运固体激光器的弛豫振荡噪声,提高其输出功率的稳定性,采用光电负反馈的方法来抑制半导体抽运的固体激光器的强度噪声,并对激光器强度噪声的理论特性进行了分析。根据理论分析结果设计了比例-积分-微分反馈控制电路,通过运用该反馈电路对激光器进行强度噪声抑制实验,得到了比较理想的实验数据,即当抽运功率为700mW、弛豫振荡峰频率为300kHz时,弛豫振荡峰值处和低频区域强度噪声分别降低了45dB和15dB;当抽运功率为550mW、弛豫振荡峰值为250kHz时,弛豫振荡峰值处和低频区域强度噪声分别降低了40dB和10dB。结果表明,该反馈控制电路能够有效地降低半导体抽运固体激光器的强度噪声,提高激光器输出功率的稳定性。 相似文献
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赵伯林 《激光与光电子学进展》1986,23(8):23
波长630~670 nm、室温(300 Κ)连续振荡的半导体激光器的研究很活跃。用于取代氦-氖气体激光器(波长632.8 nm)的半导体激光器已不再是幻想了。日本电气公司已试制了671 nm连续振荡的半导体激光器。索尼、日本电信电话、立石电机、上智大学、工学院大学和东芝等公司也相继研制波长630~670 nm室温连续振荡的半导体激光器。 相似文献
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盛柏桢 《固体电子学研究与进展》1993,(1)
<正>据日本《电子材料》1992年第3期报道,日本三洋电机公司已制成高可靠150mW级的半导体激光器。该产品采用①大输出功率横模控制技术。②高可靠技术等的新技术。具有以下特点: (1)采用SHG器件的蓝邑激光器的振荡波长为860nm.采用YAG单晶和SHG器件制成绿色激光器,最佳振荡波长为809nm,已得到光输出功率为150mW。应用于各种光盘、成像系统的830nm激光器,也实现了光输出功率150mW。 相似文献
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1 医用微型激光器图1展示了一种采用普通石英光纤将波长3μm左右的激光照射在任意地方的新型激光器系统.该系统将近红外半导体激光用石英光纤导光,前端部位有与激光振荡部分集成为一体的微型团体激光器,故很容易地把目标波长激光照射在人体内.要实现该激光器,需利用半导体激光激励波长3μm.左右的激光产生振荡,并且要在光纤前端安装毫米大小的固体激光器,但是这种激光器 相似文献
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日本研制成将双谐振器结构制作在晶体内,以纵向模稳定振荡的可见光半导体激光器,振荡波长为0.78μm.该激光器在相同纵向模由温度引起的波长变化约为0.07mn,和分布反馈型激光器一样.新研制的激光器是按VSIS(衬底内开条纹式V型沟道)结 相似文献
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《半导体光电》1986,(2)
日本电气光电子研究所,索尼中央研究所和东芝综合研究所研制出波长670~680nm的AlGaInP可见光半导体激光器,并成功地实现了室温连续振荡。三个公司于1985年9月底在轻井沢召开的第12届砷化镓及其相关化合物专题讨论会上口头发表了这些成果。AlGaInP半导体激光器具有在580~680nm(黄~红)振荡的可能性,要实现在He—Ne激射波长(630nm)的振荡,这种半导体激光器是最有希望的。可是,用液相生长法不能制得好晶体。这次三个公司都用MOCVD(金属有机化学汽相淀积)法制成了,可与GaAs衬底晶格匹配。三个公司在这次会议上发表的器件,有源层不掺Al,因而,这种半导体激光器的最长振荡波长是670~680nm。日本电气的半导体激光器 相似文献
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超高速半导体激光器组件调制带宽的研讨 总被引:1,自引:1,他引:0
本文叙述了影响超高速半导体激光器组件调制带宽的各种因素:激光器芯片的驰豫振荡频率;芯片及组件的寄生参量以及激光器匹配驱动电路的频率特性。文中还讨论了超高速半导体激光器组件的最佳设计。最后,讨论了进一步提高组件调制带宽的可能性。 相似文献
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日立制作所成功地开发出有可能实现每秒千兆比特(bit)大容量光传输的半导体激光器。半导体激光器超高速化的必要条件是实现这样的元件结构,其中①用单色性好的光使激光器振荡,②当对激光器的注入电流进行超高速调制时,激光器发出的光跟着受超高速调制。半导体激光器的高速性能由其调制频带表示,它越高调制速度就越高。半导体 相似文献
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