交流漏电流断路器跳开故障分析与排除

针对部分移动基站的组合电源开通时，出现交流漏电流断路器跳开的现象，以DMA14－48／50风冷开关电源模块为例，分析了开关电源的漏电产生原因，并对其漏电流值进行了计算和测试。交流漏电流断路器经常跳开的主要原因是交流线路传输压降过大，为此提出了解决问题的办法。     

节能灯电容器老练工艺的研究

研究了老练工艺对节能灯电容器漏电流的影响，通过不同条件（温度、电压、时间）下进行老练的试验，表明温度是影响漏电流及其稳定性的最主要因素。指出了保证节能灯长寿命、高可靠工作的三个因素：电容器在高温（１０５℃）下漏电流小；常规测试漏电流稳定；损耗小，阻抗频率特性好。     

BST薄膜的Sol-Gel法制备及其电学性能的研究

应用溶胶-凝胶（Sol-Gel)工艺制备了组分为r（Ba:Sr)=0.65:0.35的BST薄膜，研究了BST薄膜的显微结构、介电特性和漏电流特性，实验结果表明：BST薄膜经650℃热处理后，巳形成完整的立方钙钛矿结构，薄膜经900℃热处理后，其表面光滑、致密、无裂纹、无针孔，圆球形的小颗粒均匀分布。当偏置电压为0时，BST薄膜的介电常数和损耗因子分别为542和0.035。漏电流特性分析结果表明：采用RuO2作为底电极，在1.5V的偏压下BST薄膜的漏电流密度为0.52μA/Cm^2，该值比Pt/RuO2混合底电极上制备的BST薄膜的漏电流密度（72nA/cm^2)大1个数量级，因此，Pt/RuO2混合底电极既克服了RuO2底电极漏电流大的缺点，又解决了Pt底电极难以刻蚀的困难，是制备大规模动态随机存取存储器的电容器列阵的最低底电极材料。     

整流二极管的IR对HTRB工作寿命的影响

整流器件在工作中的可靠性往往与其漏电流特别是在高温下的漏电流有密切关系,然而对高温下的漏电流往往关注不够。通过对常温与高温漏电流的对比测试,发现两者并没有一致的对应关系;通过对高温漏电流有较大差别的两组样品的高温反偏寿命试验表明:高温漏电流越大,高温反偏寿命越短,说明高温漏电流对高温反偏寿命有重要影响。依据此结果提出了通过对高温漏电流进行测试,实现对高温反偏寿命进行分档、筛选的设想。介绍了利用正向脉冲电流对二极管的pn结进行瞬态加热以实现对高温反向漏电流的快速测试的具体方法。     

PIC单片机在漏电流保护器中的应用

本文叙述由电流互感器、PIC单片机、运算放大器等组成的智能漏电流保护器及其硬软件设计。智能漏电流保护器具有大漏电流和小漏电流控制,实现报警与保护作用,并具有缺相保护功能。     

漏电流检测基本原理以及在电动汽车充电桩中漏电流保护方法的选择

一、漏电流的产生分类一般漏电流分为四种,分别为:半导体元件漏电流、电源漏电流、电容漏电流和滤波器漏电流1、半导体原件漏电流PN结在截止时流过的很微小的电流。D-S正向偏置,G-S反向偏置,导电沟道打开后,D到S才会有电流流过。但实际上由于自由电子的存在,自由电子的附着在SIO2和N+、导致D-S有漏电流。     

栅结漏电流对GaAsMMIC中平面肖特基二极管C—V特性的影响

构造了考虑栅结漏电流影响的平面肖特基二极管电容计算模型，并用此模型对同一结构不同漏电流的肖特基二极管作了计算分析，计算结果显示，所构造模型与实验结果符合得很好，同时揭示出栅结漏电流对Ｃ－Ｖ特性克有影响。这种影响表现为，在一定的栅压范围内，随着栅结电流的增大，Ｃ－Ｖ曲线明显上抬，文中还与其它未考虑栅结漏电流影响的模型作了对比。     

50V—1μF铝电解电容器漏电流行特性分析及工艺改进

５０Ｖ－１μＦ铝电解电容顺为小型铝电解电容器系列产品之一，使用于彩色电视机上。为满足电视机厂调试时流水线速度要求，开机后帧电路中使用的５０Ｖ－１μＦ漏电流值必须很小。据分析，电容器充电３秒后，漏电流值要小于３μＡ，才能满足使用要求。而按电容器现行技术标准及检测条件，很难达到这个要求。即使将检测合作的电容器经过严格筛选，如果经过长时间贮存，漏电流值也会随着贮存时间的延长而变大。为此，必须对其漏电流特     

老练条件的变化对铝电解电容器质量的影响

铝电解电容器的老练直接影响产品的质量。老练条件的变化对铝电解电容器的电容量、漏电流有一定的影响。在额定老练电压、＋ ９０℃５ｈ 条件下老练， 能更好地改善产品质量， 提高产品合格率。采用脉冲老练可以缩短老练时间， 但漏电流回升速度快     

功率器件漏电流的PEM定位和分析

光发射显微镜(PEM)系统是应用于微电子器件漏电流定位和分析的有效工具。利用PEM系统的激光光束诱导阻抗变化(OBIRCH)功能和光发射(EMMI)功能,从正面可直接对功率器件大的漏电流进行定位观察。利用PEM的EMMI功能,还可从背面对器件微弱的漏电流进行定位和分析。介绍了PEM系统对功率器件芯片不同量级的漏电流进行定位与分析的应用,为分析功率器件漏电流失效提供依据。     

基于ATMEL20c51的漏电流检测仪的设计与实现

介绍基于ATMEL20c51MCU的漏电流检测仪的原理，该检测仪可用于检测固体放电管在经受冲击电压的情况下，其漏电流大小；也可用于其它漏电流的检测，着重介绍了漏电流检测仪的硬件结构和软件实现方案及其强大的优越性。     

浮空层结构的分析

分析了REBULF LDMOS的实验结果，由击穿电压的测试结果验证了模拟仿真中发现的漏电流增加源于n+浮空层的作用，但暴露于表面的n+p结的漏电流使击穿电压降低. 为了解决这个问题，文中分析了具有部分n+浮空层的REBULF LDMOS结构，此结构不但具有降低体内电场的REBULF效应，而且终止于源端体内的n+p结解决了文献［10］中的大漏电流问题. 分析结果表明，击穿电压较一般RESURF LDMOS结构提高60%以上.     

一种考虑漏电流最低损耗的控制器电子模块设计与实现

漏电流损耗占电路能耗的大部分,属于实时变化的动态过程,传统控制器采用堆栈方法,通过对输入信号的控制实现对漏电流损耗的控制,无法适应漏电流的动态变化,不能实现最低损耗控制。为此,设计一种考虑漏电流最低损耗的控制器电子模块,通过模拟电路与CPLD相结合的方法对漏电流最低损耗控制器电子模块进行设计,给出设计的总体结构。通过霍尔传感器对漏电流进行检测,利用比较器将检测的实际漏电流与参考漏电流进行比较,用CPLD形成对应的斩波驱动信号,发送至电压控制器,通过电压控制器对主开关器件的导通和断开进行控制,实现漏电流最低损耗的控制。软件设计中,设计一个调试软件,给出电流最低损耗控制程序和交替斩波程序。实验结果表明,所设计控制器电子模块的漏电流损耗很低,且运行效率高。     

注F MOSFET漏电流的辐照和退火行为

分析研究了不同偏置辐照和退火条件下，Ｐ沟和Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ的漏电流变化特性。结果表明，ＰＭＯＳＦＥＴ的辐射感生漏电流与栅偏压的依赖关系类似于辐照陷阱电荷的栅偏压关系；注ＦＰＭＯＳＦＥＴ的辐射感生漏电流增长小于未注Ｆ样品；ＮＭＯＳＦＥＴ辐照后漏电流随时间的退火呈现下降、重新增长和趋于饱和的特征，注Ｆ对退人过程中漏电流的重新增长有一定的抑制作用。     

退火温度对ZrO_2高介电薄膜电学性能的影响

利用反应磁控溅射法沉积了ZrO2介电薄膜,研究了退火温度对ZrO2介电薄膜电学性能的影响,并对漏电流最小的样品的漏电流机制进行了分析。结果表明,随着退火温度的升高,漏电流先减小后增大,退火温度为300℃时所制备薄膜的漏电流最小,当所加电压为–1.4 V时,漏电流密度为8.32×10–4 A/cm2。当所加正偏压为0-0.8 V和0.8-4.0 V时,该样品的漏电流主导机制分别为肖特基发射和直接隧穿电流;当所加负偏压为–1.7-0 V和–4.0-–1.7 V时,其主导机制分别为肖特基发射和空间电荷限制电流。     

铝电解电容器漏电流回升现象的研究

漏电流回升是铝电解电容器常见的早期失效。研究其失效机理后发现,除工艺等方面的因素外,国内许多公司在产品老练分选中对漏电流内控过宽是造成这一早期失效的重要原因。在产品可靠性研究的基础上提出了严格内控减小漏电流回升的措施。     

0.25 μm栅长GaAs pHEMT栅极高温及关态应力退化机理

GaAs赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)的关态栅极漏电流取决于温度与电应力环境。研究了高温与电应力对0.25 μm GaAs pHEMT肖特基特性的影响。该pHEMT的反向偏置栅极漏电流主要受陷阱辅助发射机制和隧穿电流机制的影响。建立模型,对不同温度下栅极漏电流曲线进行拟合,结果表明,栅极漏电流在常温下由隧穿电流机制主导,在高温下由陷阱辅助发射机制主导。在高温关态应力下对栅极漏电流随应力时间变化的过程进行表征,从时间层面再次验证了两种机制在不同温度下发生转变的过程。     

纳米级CMOS电路的漏电流及其降低技术

随着CMOS工艺的进一步发展,漏电流在深亚微米CMOS电路的功耗中变得越来越重要.因此,分析和建模漏电流的各种不同组成部分对降低漏电流功耗非常重要,特别是在低功耗应用中.本文分析了纳米级CMOS电路的各种漏电流组成机制并提出了相应的降低技术.     

基于漏电流补偿技术的超低漏电模拟开关

为满足各种现代设备控制系统的超高精度信号采集需求,基于新型PN结漏电补偿技术设计了一种超低漏电模拟开关电路。该电路在传统CMOS模拟开关的基础上创新性地引入了新型全温区PN漏电采样和补偿电路,对CMOS模拟开关输入、输出漏电流进行全温区漏电补偿,大幅降低了输入、输出端口漏电流,实现亚纳安级端口漏电流。基于40 V高压CMOS工艺进行电路设计和仿真验证,实测结果显示,在-55～125℃,输入、输出端口漏电流不大于0.75 nA,温漂约为6 pA/℃。     

高-k介质材料改善MOS器件栅极漏电流专利技术综述

随着MOS器件尺寸的缩小,栅氧化层厚度不断减小,导致栅极漏电流迅速增加,因此如何改善栅极漏电流成为了当前研究的热点问题,本文将从减少MOS栅极漏电流的几类方式进行分析.本文从国内、国外的专利申请量、申请人分布等多方面进行统计分析,总结了与减少MOS栅极漏电流相关的国内和国外专利的申请趋势、主要申请人分布以及重点技术的发展路线进行了梳理.