共查询到20条相似文献,搜索用时 0 毫秒
1.
2.
为了提高集成电路的生产率必须继续采用大面积硅片。本文给出了硅片尺寸对离子注入设备的设计、生产率、掺杂均匀性和注入时硅片温度控制影响的比较结果。采用散射光源的单片退火炉对大直径硅片进行退火比炉子退火具有若干独特的优点。本文还给出了100mm和125mm硅片注入后硅片平整度和薄层电阻均匀性的比较。 相似文献
3.
4.
5.
6.
离子注入硅片的CWCO_2激光退火固相外延模型 总被引:1,自引:0,他引:1
本文把部份线性化和隐格式方法运用于数值求解非线性非齐次热传导方程,得到相应的差分方程,从而把数值求解热传导方程从目前所能计算的ns级Q开关脉冲激光退火过程推广到 ms级以上的 CW CO_2激光退火过程.在计算中,提出了近似计算径向热传导散热的准静态模型,井考虑了硅的热传导率和吸收系数随温度的变化.计算获得了各退火参数间的一系列关系.对于再结晶厚度和激光扫描速度间的关系,理论计算和实验结果基本相符. 相似文献
7.
8.
光刻是在半导体、金属及其他精密的表面加工中常用到的一种技术。尤其是在半导体工业中,为了制造二极管、晶体管、集成电路(IC)和大规模集成电路(LSI),采用光刻的方法,把非常复杂和精细的图形做在硅片上。 相似文献
9.
离子注入中的沟道效应使注入离子在深度上的控制变得很困难,并使SHEET值的均一性恶化,本文借助计算机模型。对注入剂量,注入能量,硅片基板方位,硅片表面薄膜氧化层厚度变化时,研究分析了注入沟道效应的相应变化。 相似文献
10.
关于高速双极型集成电路和高频晶体管的发射极、金属-氧化物-半导体大规模集成电路的源和漏等所需的在硅中形成浅的高浓度的n型杂质层的方法,最引人注目的是砷的离了注入法。作为砷扩散通常有砷烷的汽相扩散法、将含有砷的溶液涂于片子表面的涂敷扩散法、掺杂氧化物源法以及重掺杂的硅的固-固扩散法等,但从各种方法的试验情况来看,特别对于微细图形浅结的控制和器件制造工艺过程的共通性方面而言,看来最优越的方法要算砷的离子注入法。与上述各种热扩散法相比,砷的离子注入法耗源量少,操作也比较容易,从防护措施上来说也是一个好方法。如以前所指出的那样,砷之 相似文献
11.
13.
<正> 在一般情况下,片子从晶锭上切下来之后需进行两面研磨→化学处理(酸、碱等)→镜面抛光等加工(参看图1)。在切片加工中,通常使用的机械有:多片带锯、钢丝锯、金刚刀片等。用多片带锯或者钢丝锯切割时,要给非常薄的金属刀片或极细的钢丝往复运动的机构供给浆状磨料,利用磨料(平均粒径为15~ 相似文献
14.
15.
16.
17.
18.
19.
20.
给出了估计硅片在键合过程中实际接触面积的理论模型.模型描述了硅片表面的凸起分布及其弹性形变对接触面积的影响.对于满足键合条件的硅片表面,荷载压力和表面吸附是促使接触面积增加的主要因素. 相似文献