125毫米硅片的离子注入和快速退火

为了提高集成电路的生产率必须继续采用大面积硅片。本文给出了硅片尺寸对离子注入设备的设计、生产率、掺杂均匀性和注入时硅片温度控制影响的比较结果。采用散射光源的单片退火炉对大直径硅片进行退火比炉子退火具有若干独特的优点。本文还给出了100mm和125mm硅片注入后硅片平整度和薄层电阻均匀性的比较。     

CW CO_2激光退火后离子注入硅片的性质研究

当激光功率、束斑直径和硅片预热温度一定时,存在一临界扫描速度。当激光扫描速度小于此临界位时,CW CO_2激光退火具有和热退火相同的载流子浓度、方块电阻、折射率、消光系数和反射率,但激光退火后少子扩散长度要比热退火的大几倍。     

大面积电子束对硼离子注入硅片快速退火的研究

本文介绍了一种采用冷阴极大面积电子束对硼离子注入硅片快速退火的实验方法。测试分析结果表明:本法与常规退火方法相比,除了有相同的电激活和晶格恢复之外,还具有快速、低温和杂质再分布影响小等特点。     

离子注入硅片的CWCO_2激光退火固相外延模型

本文把部份线性化和隐格式方法运用于数值求解非线性非齐次热传导方程,得到相应的差分方程,从而把数值求解热传导方程从目前所能计算的ns级Q开关脉冲激光退火过程推广到 ms级以上的 CW CO_2激光退火过程.在计算中,提出了近似计算径向热传导散热的准静态模型,井考虑了硅的热传导率和吸收系数随温度的变化.计算获得了各退火参数间的一系列关系.对于再结晶厚度和激光扫描速度间的关系,理论计算和实验结果基本相符.     

砷化镓中的离子注入

在半导体器件制造工艺中,离子注入技术日益广泛地得到应用。特别是在硅器件中,利用离子注入制作MOS器件和双极晶体管以及MOS集成电路等都已投入大量生产。预计在1975～1980年将实现全注入MOS及双极大规模集成电路。在化合物半导体中的离子注入技术也在进行广泛研究,特别是在砷化镓方面的研究已取得较大成果,正逐步应用于器件制造中。     

硅片加工中的光刻技术

光刻是在半导体、金属及其他精密的表面加工中常用到的一种技术。尤其是在半导体工业中,为了制造二极管、晶体管、集成电路(IC)和大规模集成电路(LSI),采用光刻的方法,把非常复杂和精细的图形做在硅片上。     

离子注入中的沟道效应控制

离子注入中的沟道效应使注入离子在深度上的控制变得很困难，并使SHEET值的均一性恶化，本文借助计算机模型。对注入剂量，注入能量，硅片基板方位，硅片表面薄膜氧化层厚度变化时，研究分析了注入沟道效应的相应变化。     

硅中的砷离子注入

关于高速双极型集成电路和高频晶体管的发射极、金属-氧化物-半导体大规模集成电路的源和漏等所需的在硅中形成浅的高浓度的n型杂质层的方法,最引人注目的是砷的离了注入法。作为砷扩散通常有砷烷的汽相扩散法、将含有砷的溶液涂于片子表面的涂敷扩散法、掺杂氧化物源法以及重掺杂的硅的固-固扩散法等,但从各种方法的试验情况来看,特别对于微细图形浅结的控制和器件制造工艺过程的共通性方面而言,看来最优越的方法要算砷的离子注入法。与上述各种热扩散法相比,砷的离子注入法耗源量少,操作也比较容易,从防护措施上来说也是一个好方法。如以前所指出的那样,砷之     

硅片焊接机拾起硅片时序测定方法

目的 通过对硅片焊接机在拾起硅片时焊接头与顶针的时序进行分析,以了解设备的状况,解决在焊接过程中出现的品质问题,如:硅片漏焊接、焊接后角度偏差、硅片表面裂及硅片背面顶裂。(以下以NEC焊接机CPS-500SP予以说明)     

硅片抛光

本文侧重介绍了硅片抛光工艺与抛光机理以及硅片抛光剂和硅片抛光表面损伤特性与检测等.     

硅片研磨机

<正> 在一般情况下,片子从晶锭上切下来之后需进行两面研磨→化学处理(酸、碱等)→镜面抛光等加工(参看图1)。在切片加工中,通常使用的机械有:多片带锯、钢丝锯、金刚刀片等。用多片带锯或者钢丝锯切割时,要给非常薄的金属刀片或极细的钢丝往复运动的机构供给浆状磨料,利用磨料(平均粒径为15～     

现代硅片加工过程中的沾污控制

随着器件尺寸的不断缩小，沾污控制变得日趋关键，就目前的技术水平而言，只能在硅片的净化间存放、传递及加工环境等方面进行治污控制。为满足将来的需要，ＭＭＳＴ工程研制了一种专门的微环境，用来进行硅片处理。硅片的传递在一封闭的容器中进行，人们称之为“真空载体”，它既可封闭于真空状态或大气状态，亦可封闭于惰性气体环境中。在设计上使该载体可用于作为常规设备承片台上的花兰，也可用于设备的真空锁。它的真空容量可对     

化学机械抛光中的硅片夹持技术

目前半导体制造技术已经进入0.1 3μm时代,化学机械抛光(CMP)已经成为IC制造中不可缺少的技术.本文描述了下一代IC对大尺寸硅片(≥300mm)局部和全局平坦化精度的要求,介绍了目前工业发达国家在化学机械抛光加工中硅片夹持技术方面的研究现状,分析了当前硅片夹持技术中存在的问题,并指出了未来大尺寸硅片超精密平坦化加工中夹持与定位技术的发展趋势.     

硅片传输中的预对准方法

本文叙述了硅片自动传输中片子位置精度的预对准方法。并汇集了常见的具有代表性的十几种典型的预对准结构,介绍了其实现的途径和特点。     

硅片键合过程中的接触面积

给出了估计硅片在键合过程中实际接触面积的理论模型．模型描述了硅片表面的凸起分布及其弹性形变对接触面积的影响．对于满足键合条件的硅片表面，荷载压力和表面吸附是促使接触面积增加的主要因素．