单模光纤偏振模色散的测试

偏振模色散在近年来成为光纤光缆的一个重要特性参数。本文着眼于ＰＭＤ测试的原理和方法，首先指出注重ＰＭＤ的统计特性是进行ＰＭＤ测试的一个重要原则；绾而按频域和时域对测试ＰＭＤ的方法进行分类，并分析了目前常用的几种ＰＭＤ测试方法，例如ＪＭＥ，ＷＳＥＣ，ＰＳＰ，ＩＦ，ＷＳＦＦＴ和ＰＯＴＤＲ法，讨论了它们各自的优缺点。最后对这些测试方法进行了有益的比较。     

VDM+EDFA系统中光纤非线性效应影响的研究

系统分析了光纤非线性效应对光纤主干网ＷＤＭ＋ＥＤＦＡ扩容的影响，在信道间隔相等的条件下，得出了光纤非线性响应影响下的阈值功率，信道数，信道间隔和ＥＤＦＡ级联数等之间的关系。结果表明，在信道数和信道间隔不同时，ＦＷＭ，ＸＰＭ和ＳＲＳ分别起不同作用；为实现ＷＤＭ＋ＥＤＦＡ技术，每个信道的输入功率必须小于一定值。     

深亚微米PESD MOSFET特性研究及优化设计

本文对多晶抬高源漏（ＰＥＳＤ）ＭＯＳＦＥＴ的结构作了描述，并对深亚微米ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ的特性进行了模拟和研究，看到ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ具有比较好的短沟道特性和亚阈值特性，其输出电流和跨导较大，且对热载流子效应的抑制能力较强，因此具有比较好的性能．给出了ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ的优化设计方法．当ＭＯＳＦＥＴ尺寸缩小到深亚微米范围时，ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ将成为一种较为理想的器件结构     

深亚微米PESD MOSFET特性研究及优化设计

本文对多晶抬高源漏（ＰＥＳＤ）ＭＯＳＦＥＴ的结构作了描述，并对深亚微米ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ的特性进行了模拟和研究，看到ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ具有比较好的短沟道特性和亚阈值特性，其输出电流和跨导较大，且对热载流子效应的抑制能力较强，因此具有比较好的性能．给出了ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ的优化设计方法．当ＭＯＳＦＥＴ尺寸缩小到深亚微米范围时，ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ将成为一种较为理想的器件结构     

用于协议一致性测试序列生成的状态规范化算法

这篇论文提出了一种方法，把ＥＦＳＭ描述协议的广泛性和ＦＳＭ测试序列生成方法的成熟性有机的结合起来，较圆满地解决了测试序列的可执行性、观察性、控制性问题，同时兼顾了数据流和控制流的全面测试。这种方法是基于两边靠拢的思想，一方面将非确定性的ＥＦＳＭ向确定性的ＤＦＳＭ规范化，另一方面修改ＦＳＭ的测试序列生成算法，使之能够同时测试数据流，也即能够处理输入、输出原语的参数问题。在本文中讲述了第一步的工作，提出了由ＥＦＳＭ到ＤＦＳＭ的规范化算法和其概念的严格定义，建立了用于算法描述和实现的ＥＦＳＭ向图概念。同时选择了一个较能完全体现ＥＦＳＭ特点的Ｑ．９２１协议讲述了其实现     

注F MOSFET漏电流的辐照和退火行为

分析研究了不同偏置辐照和退火条件下，Ｐ沟和Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ的漏电流变化特性。结果表明，ＰＭＯＳＦＥＴ的辐射感生漏电流与栅偏压的依赖关系类似于辐照陷阱电荷的栅偏压关系；注ＦＰＭＯＳＦＥＴ的辐射感生漏电流增长小于未注Ｆ样品；ＮＭＯＳＦＥＴ辐照后漏电流随时间的退火呈现下降、重新增长和趋于饱和的特征，注Ｆ对退人过程中漏电流的重新增长有一定的抑制作用。     

单模光纤的偏振模色散

１　目的与背景为了满足目前与未来通讯系统日益急剧增长的需要,康宁公司最近规定了更为严格的ＬＥＡＦＲ○、ＳＭＦ－２８ＴＭ和ＳＭＦ－Ｄ型光纤的偏振模色散（ＰＭＤ）指标,并增加了这几种单模光纤的ＰＭＤ链路值指标。把ＰＭＤ纳入系统设计的考虑之中。在过去的数字系统中,尤其是当再生器之间的距离相对较短、数据传输速率较低时,ＰＭＤ的影响并不显著。近来随着光纤系统的改进,例如,ＷＤＭ系统和光放大器的使用,ＰＭＤ已日益成为长距离、多信道高速率系统潜在的限制因素。在目前的１０Ｇｂｉｔ／ｓ和新一代的４０Ｇｂｉｔ／ｓ传…     

掺HCI栅氧化对MOS结构电特性的影响

研究了栅氧化时掺ＨＣｌ的硅栅ＭＯＳＦＥＴ的ＤＤＳ－ＶＧＳ特性，阈电压和界面态。结果发现，ＨＣｌ掺入栅介质，可使ＩＤＳ－ＶＧＳ曲线正向漂移，ＰＭＯＳＦＥＴ阈电压绝对值减小，ＮＭＯＳＦＥＴ阈电压增大，Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态密度下降，采用氯的负电中心和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面硅悬挂键的键合模型对实验结果进行了解释。     

掺HCl栅氧化对MOS结构电特性的影响

研究了栅氧化时掺ＨＣｌ的硅栅ＭＯＳＦＥＴ的ＤＤＳ－ＶＧＳ特性、阈电压和界面态．结果发现，ＨＣｌ掺入栅介质，可使ＩＤＳ－ＶＧＳ曲线正向漂移，ＰＭＯＳＦＥＴ阈电压绝对值减小，ＮＭＯＳＦＥＴ阈电压增大，Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态密度下降。采用氯的负电中心和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面硅悬挂键的键合模型对实验结果进行了解释。     

美国康宁公司单模光纤的偏振模色散(PMD)指标

为了满足目前与未来通讯系统日益急剧增长的需要,康宁公司最近推出了更为严格的ＬＥＡＦ、ＳＭＦ２８ＴＭ和ＳＭＦＤ型光纤的偏振模色散（ＰＭＤ）指标,并增加了这几种单模光纤的ＰＭＤ链路值指标。它为工程技术人员在系统设计时将ＰＭＤ纳入考虑之中提供了一种更好的方法。     

SIOFM－5FW软X射线底片与Kodak101－05和Ilford－Q板曝光特性的比较

在相同的曝光和显影条件下，用Ｄ－１９和Ｐｈｅｎｉｓｏｌ两种显影液定性比较了ＳＩＯＦＭ－５ＦＷ底片、Ｋｏｄａｋ１０１－０５和Ｉｌｆｏｒｄ－Ｑ板在１００．０ｎｍ以下的软Ｘ射线和ＸＵＶ波段范围里的曝光特性．比较实验表明，ＳＩＯＰＭ－５ＦＷ底片对波长大于１０．０ｎｍ的辐射的响应介于Ｋｏｄａｋ１０１－０５和ＩＩｆｏｒｄ－Ｑ板之间；对于１０．０ｎｍ以下的短波长区，ＳＩＯＰＭ－５ＦＷ比Ｋｏｄａｋ１０１－０５灵敏，而且有较高的饱和光密度值和动态范围，但存在明显的碳Ｋ吸收边结构。讨论了所用的两种显影液对底片曝光特性的影响。     

EDFA增益均衡技术

ＥＤＦＡ对不同波长的光产生的增益不同,在ＥＤＦＡ级联的ＷＤＭ 系统中,这种增益不平坦（不同）的特性严重地影响着系统的性能,所以ＥＤＦＡ的增益均衡显得尤为重要。文中介绍了ＷＤＭ 光纤通信中对ＥＤＦＡ增益的不平坦进行均衡的几种方法,并对其进行了比较     

双固相外延技术及高性能1μmCMOS／SOS器件的研究

本文较为详细地介绍了能有效地改善ＳＯＳ材料结晶质量的双固相外延ＤＳＰＥ工艺，给出了优化的工艺条件．通过比较用ＤＳＰＥ及普通ＳＯＳ材料制作的ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件和电路的特性可以看出，采用ＤＳＰＥ工艺能显著改善ＳＯＳ材料的表面结晶质量，应用ＤＳＰＥ工艺在硅层厚度为３５０ｎｍ的ＳＯＳ材料上成功地研制出了沟道长度为１μｍ的高性能ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件和电路，其巾ＮＭＯＳＦＥＴ及ＰＭＯＳＦＥＴ的泄漏电流分别为２．５ｐＡ和１．５ｐＡ，１９级ＣＭＯＳ／ＳＯＳ环形振荡器的单级门延迟时间为３２０ｐｓ．     

WDM+EDFA+DCF光纤传输系统中色散补偿方案的分析

由于在ＷＤＭ＋ＥＤＦＡ光纤传输系统中使用常规单模光纤（ＳＭＦ）在１５５０ｎｍ窗口的大色散限制了传输距离,采用色散补偿光纤（ＤＣＦ）进行色散补偿是上前一种较为理想的方法。本文基于光纤ＷＤＭ＋ＥＤＦＡ＋ＤＣＦ的长距离传输系统,讨论了ＤＣＦ色散补偿对光纤非线性效应交叉相位调制和四波混频（ＦＷＭ）的影响,提出了采用ＤＣＦ集总、后置、非完全补偿的色散补偿方案,这种方案可合系统具有更佳的传输性能。     

功率GaAs MESFET的热阻测试

阐述了功率ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ器件热阻测试中温敏参数ＶＧＳＦ和测试电流Ｉｍ的选取，给出了１～５Ｗ器件典型温敏参数的温度测试系数Ｍ与测试电流Ｉｍ的关系。讨论了测试延迟时间ｔｍｄ对△ＶＧＳＦ测量值的影响和三种校正方法。     

Field Emission From Diamond and Silicon Carbide coated Silicon Field Emitters

ＦｉｅｌｄＥｍｉｓｓｉｏｎＦｒｏｍＤｉａｍｏｎｄａｎｄＳｉｌｉｃｏｎＣａｒｂｉｄｅｃｏａｔｅｄＳｉｌｉｃｏｎＦｉｅｌｄＥｍｉｔｔｅｒｓＪ．Ｌｉｕ，Ｖ．Ｖ．Ｚｈｉｒｎｏｖ；Ａ．Ｆ．Ｍｙｅｒｓ；Ｇ．Ｊ．Ｗｏｊｆｏｒ；Ｗ．Ｂ．Ｃｈｏｉ；ａｎｄＪ．Ｊ．Ｈｒｅ...     

深亚微米MOSFET二维数值模拟的若干结果

对溶亚微米器件，由于工作电压下降，要求重新确定ＬＤＤ和常规ＭＯＳＦＥＴ在ＶＬＳＩ中的作用。本文从基本器件数理方程发出，对深亚微米常规及ＬＤＤ ＭＯＳＦＥＴ的器件特性、热载流子效应及短沟道效应进行了二维稳态数值模拟，指出了常规和ＬＤＤ ＭＯＳＦＥＴ各自的局限性，明确了在深亚微米ＶＬＳＩ中，ＬＤＤ仍然起主要作用。     

掺饵光纤放大器及其在波分复用系统中的应用

介绍了掺饵光纤放大器（ＥＤＦＡ）的原理、组成结构和所用元器件，阐述了ＥＤＦＡ的增益、噪声和增益谱特性，并对ＥＤＦＡ应用于波分复用（ＷＤＭ）系统中带来的增益谱平坦问题进行了讨论。     

绝缘栅双极晶体管直流电参数高温性能的测试与分析

通过对绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）直流参数温度特性的测试分析并与ＶＤＭＯＳＦＥＴ进行比较，从中得出ＩＧＢＴ能够承受更大的电流密度，其导通压降在高温下较之ＶＤＭＯＳＦＥＴ有较大的优势。     

测试精品廊

ＡｇｉｌｅｎｔＥ７４９５Ａ基站测试仪安捷伦科技的便携式基站测试仪ＡｇｉｌｅｎｔＥ７４９５Ａ(如图１所示 ) ,提供ＣＤＭＡ、ＧＳＭ、ＴＤＭＡ及ＵＭＴＳ等无线通信系统基站关键测试。结合所有最常用的ＢＴＳ测量 :功率表、ＣＷ及ＣＤＭＡ反向链路信号发生器、ＣＤＭＡ空中接口测试工具、天馈线故障分析仪、频谱分析仪、Ｔ１／Ｅ１测试仪、ＣＤＭＡ／ＵＭＴＳ／ＴＤＭＡ／ＧＳＭ的ＴＸＲＦ测试、ＣＤＭＡ／ＵＭＴＳ的ＴＸＲＦ调制分析、内置ＧＰＳ接收机。该基站测试仪具有以下特点 :·使用简便 :单一的硬键／软键接口设计和内置式辅助…