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单模光纤偏振模色散的测试 总被引:5,自引:1,他引:4
偏振模色散在近年来成为光纤光缆的一个重要特性参数。本文着眼于PMD测试的原理和方法,首先指出注重PMD的统计特性是进行PMD测试的一个重要原则;绾而按频域和时域对测试PMD的方法进行分类,并分析了目前常用的几种PMD测试方法,例如JME,WSEC,PSP,IF,WSFFT和POTDR法,讨论了它们各自的优缺点。最后对这些测试方法进行了有益的比较。 相似文献
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用于协议一致性测试序列生成的状态规范化算法 总被引:3,自引:0,他引:3
这篇论文提出了一种方法,把EFSM描述协议的广泛性和FSM测试序列生成方法的成熟性有机的结合起来,较圆满地解决了测试序列的可执行性、观察性、控制性问题,同时兼顾了数据流和控制流的全面测试。这种方法是基于两边靠拢的思想,一方面将非确定性的EFSM向确定性的DFSM规范化,另一方面修改FSM的测试序列生成算法,使之能够同时测试数据流,也即能够处理输入、输出原语的参数问题。在本文中讲述了第一步的工作,提出了由EFSM到DFSM的规范化算法和其概念的严格定义,建立了用于算法描述和实现的EFSM向图概念。同时选择了一个较能完全体现EFSM特点的Q.921协议讲述了其实现 相似文献
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分析研究了不同偏置辐照和退火条件下,P沟和N沟MOSFET的漏电流变化特性。结果表明,PMOSFET的辐射感生漏电流与栅偏压的依赖关系类似于辐照陷阱电荷的栅偏压关系;注FPMOSFET的辐射感生漏电流增长小于未注F样品;NMOSFET辐照后漏电流随时间的退火呈现下降、重新增长和趋于饱和的特征,注F对退人过程中漏电流的重新增长有一定的抑制作用。 相似文献
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1 目的与背景为了满足目前与未来通讯系统日益急剧增长的需要,康宁公司最近规定了更为严格的LEAFR○、SMF-28TM和SMF-D型光纤的偏振模色散(PMD)指标,并增加了这几种单模光纤的PMD链路值指标。把PMD纳入系统设计的考虑之中。在过去的数字系统中,尤其是当再生器之间的距离相对较短、数据传输速率较低时,PMD的影响并不显著。近来随着光纤系统的改进,例如,WDM系统和光放大器的使用,PMD已日益成为长距离、多信道高速率系统潜在的限制因素。在目前的10Gbit/s和新一代的40Gbit/s传… 相似文献
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掺HCI栅氧化对MOS结构电特性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了栅氧化时掺HCl的硅栅MOSFET的DDS-VGS特性,阈电压和界面态。结果发现,HCl掺入栅介质,可使IDS-VGS曲线正向漂移,PMOSFET阈电压绝对值减小,NMOSFET阈电压增大,Si/SiO2界面态密度下降,采用氯的负电中心和Si/SiO2界面硅悬挂键的键合模型对实验结果进行了解释。 相似文献
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研究了栅氧化时掺HCl的硅栅MOSFET的DDS-VGS特性、阈电压和界面态.结果发现,HCl掺入栅介质,可使IDS-VGS曲线正向漂移,PMOSFET阈电压绝对值减小,NMOSFET阈电压增大,Si/SiO2界面态密度下降。采用氯的负电中心和Si/SiO2界面硅悬挂键的键合模型对实验结果进行了解释。 相似文献
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为了满足目前与未来通讯系统日益急剧增长的需要,康宁公司最近推出了更为严格的LEAF、SMF28TM和SMFD型光纤的偏振模色散(PMD)指标,并增加了这几种单模光纤的PMD链路值指标。它为工程技术人员在系统设计时将PMD纳入考虑之中提供了一种更好的方法。 相似文献
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SIOFM-5FW软X射线底片与Kodak101-05和Ilford-Q板曝光特性的比较 总被引:2,自引:0,他引:2
在相同的曝光和显影条件下,用D-19和Phenisol两种显影液定性比较了SIOFM-5FW底片、Kodak101-05和Ilford-Q板在100.0nm以下的软X射线和XUV波段范围里的曝光特性.比较实验表明,SIOPM-5FW底片对波长大于10.0nm的辐射的响应介于Kodak101-05和IIford-Q板之间;对于10.0nm以下的短波长区,SIOPM-5FW比Kodak101-05灵敏,而且有较高的饱和光密度值和动态范围,但存在明显的碳K吸收边结构。讨论了所用的两种显影液对底片曝光特性的影响。 相似文献
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EDFA对不同波长的光产生的增益不同,在EDFA级联的WDM 系统中,这种增益不平坦(不同)的特性严重地影响着系统的性能,所以EDFA的增益均衡显得尤为重要。文中介绍了WDM 光纤通信中对EDFA增益的不平坦进行均衡的几种方法,并对其进行了比较 相似文献
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本文较为详细地介绍了能有效地改善SOS材料结晶质量的双固相外延DSPE工艺,给出了优化的工艺条件.通过比较用DSPE及普通SOS材料制作的CMOS/SOS器件和电路的特性可以看出,采用DSPE工艺能显著改善SOS材料的表面结晶质量,应用DSPE工艺在硅层厚度为350nm的SOS材料上成功地研制出了沟道长度为1μm的高性能CMOS/SOS器件和电路,其巾NMOSFET及PMOSFET的泄漏电流分别为2.5pA和1.5pA,19级CMOS/SOS环形振荡器的单级门延迟时间为320ps. 相似文献
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WDM+EDFA+DCF光纤传输系统中色散补偿方案的分析 总被引:4,自引:0,他引:4
由于在WDM+EDFA光纤传输系统中使用常规单模光纤(SMF)在1550nm窗口的大色散限制了传输距离,采用色散补偿光纤(DCF)进行色散补偿是上前一种较为理想的方法。本文基于光纤WDM+EDFA+DCF的长距离传输系统,讨论了DCF色散补偿对光纤非线性效应交叉相位调制和四波混频(FWM)的影响,提出了采用DCF集总、后置、非完全补偿的色散补偿方案,这种方案可合系统具有更佳的传输性能。 相似文献
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阐述了功率GaAsMESFET器件热阻测试中温敏参数VGSF和测试电流Im的选取,给出了1~5W器件典型温敏参数的温度测试系数M与测试电流Im的关系。讨论了测试延迟时间tmd对△VGSF测量值的影响和三种校正方法。 相似文献
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对溶亚微米器件,由于工作电压下降,要求重新确定LDD和常规MOSFET在VLSI中的作用。本文从基本器件数理方程发出,对深亚微米常规及LDD MOSFET的器件特性、热载流子效应及短沟道效应进行了二维稳态数值模拟,指出了常规和LDD MOSFET各自的局限性,明确了在深亚微米VLSI中,LDD仍然起主要作用。 相似文献
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介绍了掺饵光纤放大器(EDFA)的原理、组成结构和所用元器件,阐述了EDFA的增益、噪声和增益谱特性,并对EDFA应用于波分复用(WDM)系统中带来的增益谱平坦问题进行了讨论。 相似文献
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通过对绝缘栅双极晶体管(IGBT)直流参数温度特性的测试分析并与VDMOSFET进行比较,从中得出IGBT能够承受更大的电流密度,其导通压降在高温下较之VDMOSFET有较大的优势。 相似文献