低频率射频辉光放电的研究

辉光放电电离源可用来检测固态、液态及气态样品,目前主要用于无机固体样品的元素分析和定量检测。本研究将低频率射频辉光放电（Lf-RFGD）与飞行时间质谱仪（TOF MS）联用用于分析液体和气体样品。研究了电离腔真空度、进样管尺寸、辅助气压力、放电频率及电极板压差对电离效率的影响。最优分析条件为：电离腔真空度约30 Pa,进样管长150 mm、内径0.25 mm,辅助气压强约1.0 MPa,放电频率2 MHz,电极板压差约100 V。在此条件下,放电功率约20 W,对液体样品的检出限约0.1 pg、对挥发性样品的检出限约20 mg/m³,检测半峰分辨率约3 000（FWHM）。将Lf-RFGD TOF MS应用于实际药品溶液和挥发性有机物（VOCs）的检测。本仪器对药品溶液的检测灵敏度与常用检测仪器相比无优势,但对挥发性有机物的检测效果较好,为开发低成本的VOCs检测仪器提供了有吸引力的选择。     

便携式辉光放电重金属检测仪的设计

为了解决用于重金属检测的大型实验室仪器体积大、功耗高、维护费用高以及检测实时性差的缺点,设计了一种基于辉光放电法的便携式重金属检测仪。介绍了仪器的工作原理,设计了以STC12C5A60S2单片机为核心的下位机,包括工作参数检测电路、控制电路、预电离及直流放电电路、串口通信电路和光谱元件光谱仪等,以及人机化的上位机软件,包括串口通信子程序、仪器控制子程序和数据处理子程序。实验结果表明,仪器可以准确地采集特征光谱,能够为重金属检测和分析提供可靠的数据支持。     

辉光放电光谱的应用新进展

本文对近年来辉光放电光谱(GD-OES)在铸铁、高合金、多基体样品的成分分析及纳米级薄膜材料、复杂涂镀层的深度分析上新的应用进展进行了阐述。同时,分别介绍了辉光放电光谱应用标准方面的动态和针对工艺过程应用推出的特定新仪器。     

辉光放电质谱计的进展

本文详细评述和总结了辉光放电质谱计从历史原型到现代商品仪器在结构上的变化和发展,展示了这种新型仪器分析方法的发展过程和前景。     

国内辉光放电光谱仪的研制

本文介绍了辉光放电光谱仪（GD—OES）的结构与基本原理。分别对仪器各部件（如辉光放电光源、直流恒流供能源、光学系统、自动控制系统、数据采集处理系统）的研制进行了详细地阐述。采用研制的辉光放电光谱仪分别对样品进行了成分分析和深度分析,取得了很好的分析结果。所研制的辉光放电光谱仪在光学系统的PMT负高压、直流恒流供能源、光源不同部位的不同抽速等多方面都有相应的技术创新。     

铝合金中微量元素辉光放电质谱定量分析研究

以辉光放电质谱法对牌号为6063铝合金标样(E421a)中9个元素进行测定,获得每个元素的灵敏度因子(RSF),并考察了辉光放电电流、放电氩气流速以及离子源冷却温度对RSF值的影响。实验结果表明,辉光放电电流和氩气流速对RSF值有明显的影响,离子源冷却温度对其没有影响。以获得的RSF值对6063铝合金标样另一个点(E422a)进行测定验证,测定值与标示值的相对误差在0.5%~5.6%之间,精密度(RSD)小于5%;以同样方法测定了一个7系铝合金样品中的相应元素,并与ICP-AES测定结果对比,结果的准确度和精密度良好。     

短间隙真空弧放电电极活跃现象的实验研究

真空弧离子源可以为微纳卫星提供推力,已成微纳卫星推进领域关注的热点.然而真空弧推进装置存在推力小的局限性,如何提高真空弧离子源的推力是真空弧推进领域需要解决的问题.近几年短间隙真空弧放电引起广泛关注,本文通过实验研究了短间隙真空放电的物理过程,通过高速相机获得了清晰的阴极斑和阳极斑图像,并分析了短间隙电流活跃阳极现象产...     

辉光放电质谱法中干扰峰的分析研究

As a direct solid sampling technique, glow discharge mass spectrometry(GD-MS) has been widely applied to the trace and ultra trace element analysis of conductors and semi-conductors. By the use of various kinds of the information of the interferences in the analyzing solid sample, combining with the working principle of GD-MS. we analyzed and recognized matrix in the tested sample messages to obtain more complete sample signals and more reliable analyzing results.     

辉光放电质谱仪Element GD的应用

A newest high resolution glow discharge mass spectrometer (HR-GD-MS) was developed by Thermo Electron Bremen Manufactory. Combine of a glow discharge ion source with a successful high resolution mass spectrometer, Element GD become the ultimate tool for direct analysis of conductive materials. Every part of Element GD: GD ion source, mass spectrometer, detection system and software are designed for high throughput analysis: measure 50 elements at less than 10-9 within 5 minutes. Application in microelectronics, aerospace, medical/pharmaceutical/food and nuclear will be shown.     

辉光放电质谱法相对灵敏度因子影响因素研究

本工作研究了辉光放电气体流速、放电电压和放电电流3个主要因素对辉光放电质谱法（GDMS）相对灵敏度因子（RSF）的影响。结果显示,在恒定的放电电流或放电电压下,重元素的RSF随放电气体流速的增大而增大,轻元素的RSF随放电气体流速的增加略微减小或不变;在恒定的放电气体流速下,多数元素的RSF基本不随放电电流和放电电压改变。在400 mL/min放电气体流速下,分别测定了Fe、Co、Ti、Ni、Zn、Sn、Pb 7种不同基体标准物质部分元素的RSF,结果显示,同一元素在不同基体条件下RSF的差异较小,基体效应不明显。将进一步得到的不同基体下的平均RSF应用于2种铜锌合金标准物质元素组分的测定,其主要元素的测定值与标准值的相对百分差均不超过30%。     

辉光放电质谱仪的历史现状与未来

本文介绍辉光放电（ＧｌｏｗＤｉｓｃｈａｒｇｅ，ＧＤ）作为质谱仪离子源的发展过程，叙述了多种形式的辉光放电离子源的特性及应用，并就辉光放电质谱仪做为分析手段与其他分析方法进行了比较，对该领域的杰出人士及辉光放电商品仪器进行了介绍，最后根据专家们的分析，探讨了辉光放电质谱仪的未来工作方向。     

在辉光放电中制取钛的扩散涂层的研究

<正> 1.引言在钢件上制取的钛扩散涂层,具有耐磨性好和硬度高的特点。制造均匀的TiC 扩散涂层的最有利的条件是气体钛化工艺过程的可控制性。通常应用四氯化钛(TiC14)及甲烷,氢和氩等添加物作为处理气氛。由于原材料有毒,必须应用耐火材料和高温炉,以及程序控制中所遇到的困难,目前仍在限制气体钛化在工业中的应用。波兰华沙工学院材料工程科学研究所在辉光放电的等离子区内对钛化过程进行了试验研究。其结果表     

辉光放电光谱仪的基本原理及在钢铁分析中的应用

本文主要介绍了辉光放电光谱仪的分析原理、分析特点以及在钢铁分析中的两个主要应用,差板分析和深度剖面分析。本文着重介绍了深度同分析在宝钢板表面分析的应用情况,最后展望了辉光谚电光谱技术的应用前景。     

辉光放电光源在分析应用上的改进及展望

介绍了Grimm型辉光放电光源的结构和特性。对辉光放电光源在分析应用中的改进措施作了较详细的综述，包括采用不同的放电方式、光源结构的改造、与光源增强技术结合和改变放电气体等。展望了辉光放电光源发展的前景。     

大气压氦气同轴双气隙介质阻挡辉光放电研究

为进一步探究大气压流动环境中生成均匀等离子体的条件和机理,本文针对一种新型的针-管同轴双气隙介质阻挡放电结构,采用高频高压交流电源,在大气压下,对流动的氦气进行了气体放电实验。利用高速相机记录了放电演化过程图像,利用示波器测量了电流电压波形,利用光谱仪测量了放电发射光谱,分析了氦气的大气压辉光放电过程。实验结果表明,在该种介质阻挡放电结构中,氦气可实现大气压辉光放电。电流波形在正负半周期存在明显的不对称性,放电主要发生在正半周期。放电产生了激发态的He原子。     

半导体硅电极多通道放电机理研究

为了实现电火花加工同一时刻形成多个放电通道蚀除工件,克服现有放电加工理论中同一时刻仅有一个放电通道蚀除工件的限制,提出了采用半导体材料作为电极进行放电加工的新方法。首先,通过试验证明以半导体硅为电极加工金属可以形成多通道放电;其次,建立了半导体电极单通道放电等效电路模型,发现半导体电极在放电加工时不是一个等势体,并进行了电势差分布试验,验证了多通道放电形成的原因是远离放电点处的电势较高,可以同时形成击穿产生放电;最后,进行了半导体硅电极单脉冲放电试验及成型加工试验。试验结果显示,半导体硅电极通过1次脉冲放电同时形成多个放电通道,有效地分散放电能量,相较于金属电极,每个放电坑的直径和深度都显著减小。在相同放电参数下,对比钢电极,用硅电极进行电火花加工的表面粗糙度值下降71.7%。     

高纯碲中杂质的辉光放电质谱分析

VG9000辉光放电质谱(GDMS)高的灵敏度和全元素覆盖的本领是其他分析手段无法比拟的,其检测限可达到10×10-15的量级,并且,VG9000 GDMS的一次分析即可得到包括常、微、痕、超痕量元素分析在内的全部测试结果.无疑,GDMS是高纯固体材料多元素分析的最强有力的手段之一.有研究表明:在其制备过程中有可能引入致命杂质.比如用垂直布里奇曼方法生长碲锌镉单晶[1],由于生长温度很高,石英容器中的Cu会向CZT中扩散,现已通过石英管内壁熏碳和镀BN的工艺有效地抑制了容器杂质的扩散[2].本工作拟对Ⅱ～Ⅵ族化合物半导体主要的原材料Te中杂质进行辉光放电质谱测试,并对相关结果进行了讨论.     

高纯钽的辉光放电质谱多元素分析

采用辉光放电质谱法(GD-MS)同时测定了高纯钽样品中76种元素,比较了两种不同构造放电池的影响。大多数元素的常规分析检测限在1~5 ng.g-1,主要金属杂质含量与采用ICP-MS法定量分析的结果一致,这表明GD-MS对高纯钽样品无需标样的快速分析有较高的准确度。