氧化铝陶瓷金属化工艺的改进

针对影响氧化铝陶瓷活化钼锰法金属化的工艺因素，在配方、原料处理、涂敷方式、烧结等方面进行改进，提高工艺水平，保证质量稳定性、一致性。     

透明氧化铝陶瓷金属化与封接实验研究

本文采用传统的活化Mo-Mn法对透明氧化铝陶瓷进行了金属化与封接实验。结果表明,传统的活化Mo-Mn法可以实现透明氧化铝的金属化,并能够获得气密、可靠的陶瓷-金属封接件。金属化层与陶瓷之间的结合主要来源于金属化层中的玻璃态物质对陶瓷表面良好的润湿性。     

印制电路孔金属化

印制电路是电子工业重要部件,印制电路金属化孔要有良好的机械韧性和导电性,孔金属化涉及生产全过程,特别是钻孔,活化,化学镀铜尤为重点,必须做到孔内无钻屑,胶体色活性好,化学镀铜层为红棕色,才能生产出高质量优孔的印制板。     

镁铝尖晶石陶瓷的高温Mo-Mn金属化机理研究

采用活化Mo-Mn法对镁铝尖晶石陶瓷进行了金属化封接实验,并通过对镁铝尖晶石陶瓷金属化层的显微结构及金属化层中元素在金属化层与陶瓷中分布情况的分析,探讨了镁铝尖晶石陶瓷的Mo-Mn金属化机理。研究发现,镁铝尖晶石瓷的金属化机理与目前较成熟的95%氧化铝瓷的金属化机理存在很大不同。镁铝尖晶石瓷金属化时,Mn元素沿晶界实现固相扩散迁移,固溶于瓷中,与镁铝尖晶石形成Mn:Mg Al2O4尖晶石相;同时,Mg元素沿晶界析出进入金属化层的玻璃相,填充于Mo海绵骨架中。     

无铅焊膏用松香型助焊剂活化点的研究

论述了无铅焊膏用松香型助焊剂活化点研究的重要性,探讨了活化点的物理意义及其影响因素.实验结果表明,无铅焊膏用松香型助焊剂的活化点就是松香树脂酸在有机溶剂中电离溶解平衡常数的升温曲线的拐点,松香种类对其活化点没有影响,决定其活化点的影响因素是松香本身的物理化学性质、溶剂以及有机酸的电离常数.     

99％氧化铍陶瓷活化Mo-Mn金属化机理研究

采用活化Mo-Mn法对99％氧化铍陶瓷进行了金属化实验和抗拉强度实验.封接强度实验结果表明,活化Mo-Mn法适合99％氧化铍陶瓷金属化封接,其焊接强度与氧化铝陶瓷相当.通过对99％氧化铍陶瓷金属化层的显微结构及金属层中的元素在金属层及陶瓷中的分布情况分析,探讨了99％氧化铍陶瓷Mo-Mn金属化机理.研究发现,99％氧化铍陶瓷金属化时,在氧化铍陶瓷和Mo海绵骨架中间形成了一层约3μm的过渡层,金属化层的Mo海绵骨架结构通过过渡层与氧化铍陶瓷基体紧密连接.     

关于砷化镓活化电镀金的研究

描述了在活化的半绝缘砷化镓（Ｓ、Ｉ、ＧａＡｓ）衬底上直接活化电镀金的毫米波集成电路（ＭＭＩＣ）热沉制造工艺，活化剂由ＰｄＣｌ２和ＨＣｌ组成，根据ＧａＡｓ（１００）面的微观结构，讨论了经过程中ＧａＡｓ表面同Ｐｄ＾２＋离子的作用机理，业已表明，活化中生成的Ｐｄ／ＧａＡｓ结构与一般非金属材料活化不同，是一种很化学结合。     

硅片直接键合中表面活化的研究

本文提出在直接键合前用等离子体活化硅片表面的方法。经活化后表面硅悬挂键明显增加,从而对羟基进行有效的化学吸附。低压气体放电等离子体主要通过离子轰击对硅表面赋能与活化,其活化效果与气体种类无关。温度通过热能对氧化硅表面有赋能与钝化作用,表面活化处理时温度不能超过临界点。850℃等离子体处理6分钟可得满意结果。已成功实现3英寸直径硅片之直接键合。所制成的高压MOS器件及0.8—3μm CMOS器件证实键合质量良好,未引入沾污及附加应力。     

陶瓷-金属封接缺陷——瓷件“光板”原因的探讨

采用金相、扫描电镜、能谱等分析手段,对陶瓷-金属封接的严重缺陷——瓷件"光板"的产生原因进行了分析、探讨,并提出防止光板缺陷的措施。结果表明:焊料向金属化层的严重渗透以及金属化层玻璃相的缺少,均是导致光板的主要原因。通过改进金属化工艺,保证致密的金属化层显微结构,防止焊料渗透,可以避免光板缺陷。     

活化Mo—Mn法金属化机理—MnO.Al2O3物相的鉴定

本文研究了活化Mo-Mn法陶瓷金属化机理,确定了活化剂中MnO≥40%(wt)时金属化层中以及界面上存有MnO·Al_2O_3物相,而MnO≤30%时则难以发生。由于MnO·Al_2O_3本身强度较差,因而在配方设计时应防止它的产生。     

硅圆片等离子表面活化直接键合工艺研究

利用等离子轰击硅圆片表面,可提高其表面能,实现直接键合。在严格控制好工艺参数的情况下,用等离子体对硅圆片表面进行活化,能大大的提高键合强度,产生极少的空洞或空隙,得到一个较好的键合效果。本文针对等离子表面活化的工艺特点,选择了合理的参数,得到了较优化的工艺,试验结果证明此工艺能够实现无明显界面缺陷的直接键合。     

在p~+GaAs体单晶材料上进行的NEA活化实验

NEA活化实验是利用体单晶材料进行的,未经任何外延或真空解理手续。为确立活化工艺,特别是表面清洁处理规范,作了相应AES分析。借助于测量样品附近高纯Al的熔点以校准及控制样品表面的温度。在不太好的本底真空(2×10~(-7)—6×10~(-7)Pa)条件下,活化好的GaAs样品之白光光电灵敏度可达1000μA/lm以上。     

微波加热法制备电极材料活性炭

以煤为原料,KOH为活化剂,采用微波辐射加热法和电阻炉加热法制备出双电层电容器用活性炭。对比研究了两种工艺下KOH用量、活化时间对活性炭比电容量的影响,考察了活性炭双电层电容器的充放电特性。结果显示:微波活化时,ζ(KOH∶煤)为3∶1,起电弧时间5min,比电容为283.67F/g;电阻炉活化时,ζ(KOH∶煤)为4∶1,保温时间为1h,比电容为235.55F/g。经过100次循环充放电后,微波法和电阻炉法所得的活性炭的比电容分别保持在98.10%和91.04%。     

在p+GaAs体单晶材料上进行的NEA活化实验

NEA活化实验是利用体单晶材料进行的,未经任何外延或真空解理手续。为确立活化工艺,特别是表面清洁处理规范,作了相应AES分析。借助于测量样品附近高纯Al的熔点以校准及控制样品表面的温度。在不太好的本底真空(2×10^-7—6×10^-7Pa)条件下,活化好的GaAs样品之白光光电灵敏度可达1000μA/lm以上。     

用于聚合物基微流体MEMS的等离子体活性晶圆键合技术

Lab-on-chip或μ-TAS(micro-totalanalysissystems)结合流体处理、检测及数据分析,是一种便携式的低成本高效器件。在微流体应用中,聚合物具有比硅或玻璃器件更明显的优势,它包括:宽泛的材料选择性,成本低、效率高,使用任意性,生物兼容性,抗化学品和工艺灵活性。为了实现采用这类材料制备小型集成化系统,我们发展了新的制备与封装技术。这项工作着眼于运用等离子体活化低温直接键合技术实现纳/微结构聚合物在低温条件下进行封装。由纳米压印光刻制作的纳/微结构的聚合物器件,可能是异质(聚合物与玻璃或硅)或同质(聚合物与聚合物)键合。为了改进键合材料的物理和化学熔合,键合工序通常在接近聚合物的玻璃化转变温度的高温下进行。但遗憾的是,高温损伤了微细图形,特别是对于高深宽比结构。在EVG810LT 等离子体反应室里,我们采用软射频频率等离子体表面处理,来进行聚合物的等离子体活化,它能在不改变聚合物体特性的前提下清洗和活化聚合物顶层。最终结果是,在EVG501晶圆键合机上,两个活化的表面在低温下通过施加一个适中的、均匀的接触压力而连接在一起,保证了空腔密封并防止了小结构的破坏和变形。键合工艺条件为:真空条件为从大气到200~1000Pa、接触压力为2～5kN、温度从室温到80℃。RR     

聚四氟乙烯组合馈源罩的胶粘

介绍了聚四氟乙烯材料胶粘的表面活化处理方法,及应用于天线组合馈源罩的胶粘成型工艺.采用这种胶粘技术有助于提高天线馈源罩的使用寿命.     

面向三维集成的等离子体活化键合研究进展

三维集成技术已成为促使半导体芯片步入后摩尔时代的重要支撑。晶圆直接键合技术无需微凸点和底充胶填充工艺,依靠原子间相互作用力即可实现高密度与高强度互连,是三维集成发展的重要研究方向之一。其中等离子体活化作为一种高效的表面处理手段,是晶圆低温键合的关键。针对等离子体活化低温键合技术在半导体芯片同质或异质键合中的研究进展进行了综述,主要介绍了等离子体活化在硅基材料直接键合及金属-介质混合键合中的作用机理和键合效果,进而对该技术的未来发展趋势进行了展望。     

活化烧结钨粉的扩散和镍掺对钨粉压缩和颗粒长大的影响

最早发现掺杂镍对钨粉烧结具有活化作用是在五十年代末，尽管对这一作用做过许多研究，但是有关镍的影响作用的诸多论点至今尚未解释清楚。     

表面活化处理在激光局部键合中的应用

为了研究低热应力键合工艺,提出了一种将表面活化直接键合与激光局部键合相结合的键合技术。首先采用RCA溶液对键合片进行表面亲水活化处理,并在室温下成功地完成了预键合。然后在不使用任何夹具施加外力辅助的情况下,利用波长1064nm、光斑直径500μm、功率70W的Nd:YAG连续式激光器,实现了激光局部键合,并取得了6.3MPa~6.8MPa的键合强度。结果表明,这种以表面活化预键合代替加压的激光局部键合技术克服了传统激光键合存在的激光对焦困难,以及压力不匀易损害键合片和玻璃盖板等缺点,同时缩短了表面活化直接键合的退火时间,提高了键合效率。     

NH4Cl对机械活化Al粉燃烧合成AlN的控制

添加NH4Cl到经由高能球磨制得的机械活化铝粉中后,铝粉在空气中于室温下即可发生自燃反应.本研究通过含有不同量NH4Cl的机械活化铝粉的自燃制得了Al2O3-AlN疏松粉末,并研究了NH4CL添加量对燃烧产物成分和结构的控制.结果表明:NH4Cl不仅控制了产物的形貌,而且改变了铝粉的氮化初理.在NH4Cl添加量为3%～...