混合微电子技术用关键材料的新进展

概述了混合微电子技术用关键材料的种类和现状，讨论了混合微电子产品对不同材料的要求，分析了各种材料的特点，列出了相关材料的详细数据，指出了这些材料的发展趋势。     

国外混合微电子技术的新进展

混合微电子技术，推动了整个电子工业的发展。从市场和技术两个方面评述这种发展态势，重点介绍先进混合集成技术。     

高密度微电子封装技术

多芯片组件(MCM)是从混合集成电路(HIC)发展而来的。HIC的发展已经有三十多年的历史了,它是把IC芯片与微型元件组装在用某种工艺制作布线的同一个基板上,封装起来,从而实现一定的功能。这种方式在系统的小型化和提高系统可靠性方面发挥了积极的作用。但是,人们在应用中也发现,无论采用何种封装技术后的裸芯片,无论是金丝球焊还是BGA,在封装后裸芯片的性能总是比未封装时要差一些。进入八     

微电子组件封装和封接技术的分析和最新进展

本文比较分析了集成电路,混合微电路和多芯片组件用的封装和封接方法,探讨最佳气密封装和高成品率熔焊以及其它传统的封接方法和焊料封接,玻璃封接和塑料封接,并着重强调了所用的材料和工艺方法,也简述了新出现的技术以及用于具体应用要求中的正确技术和材料的选择。     

从混合集成电路到多芯片组件

本首先简述厚膜混合集成电路的特点，然后介绍厚膜混合集成惯性姿态敏感器的结构及相关组件，最后提出用多芯片组件技术制造惯性姿态敏感器的技术可行性。     

SMD型混合集成电路的发展

表面组装器件（ＳＭＤ０型混合集成电路是为适应电子整机对小型、轻量、薄形化需求而发展的一种新的复合功能型表面组装器件，是混合集成电路发展的又一新动向。ＳＭＤ型混合集成电路具有体积小、重量轻、适宜整机采用表面组装技术等优点。本文重点介绍了ＳＭＤ型混合集成电路近期的发展及其前景。     

混合IC的发展方向——多芯片组件（MCM）

ＭＣＭ是９０年代兴起的在混合微电路薄厚膜技术基础上发展起来的高密度立体组装微电子组件，它以布线密度高、互连线短、体积小、重量轻和性能优良等显著特点受到世界各国电子整机厂商的重视，被广泛应用于计算机、通信、军事、航空／航天和汽车等领域。美国国防部还将Ｍ...     

MCM用的介质材料及其成膜技术

本文介绍MCM对介质材料的一般要求，不同MCM使用的介质及其成膜技术，重点介绍以聚酰亚胺为代表的有机介质材料的性能及其相关制造技术。     

MCM—C基板的设计与生产技术

介绍了高温共烧MCM－C基板的设计与生产技术,以及所解决的重点问题。     

铝阳极氧化多层布线基板在混合集成电路中的应用研究

铝阳极氧化多层布线基板是一种新型的MCM用多层布线基板，具有优良的性能。本文介绍了这种基板的特点和制作工艺原理及制作方法，并重点介绍了它在实用化电路研制过程中的设计、关键工艺技术及电路的研制情况。     

混合集成电路和多芯片组件综述

本文就国内外在混合集成电路和多芯片组件方面的发展现状进行了比较分析，指出了未来的发展趋势，较系统地介绍了多芯片组件的主要技术及其应用。     

混合集成电路用的封装材料

首先介绍混合集成电路封装技术的发展，然后讨论混合集成电路封装材料的选择及其依据，最后介绍新的混合集成电路封装材料。     

用于混合微电子封装的聚合物粘接材料

结合微电子封装技术的发展，重点叙述用于混合微电子封装的聚合物粘接材料的组成、分类及聚合物可靠性实验的研究情况。同时，介绍国外关于导电类粘接材料导电机理的研究现状及进展。     

一种混合集成12位A／D转换器

介绍了一种１２位Ａ／Ｄ转换器。就电路的工作原理、设计特点及测试结果等方面进行了探讨。电路在标准双极工艺生成单片ＩＣ的基础上，采用了陶瓷基板上的多芯片厚膜组装工艺、双层金导带布线、多芯片混合组装及大腔体管壳的储能点焊等技术，在２１ｍｍ×４１ｍｍ的陶瓷基板上混合组装了８个集成电路芯片、７个贴片电容和８个厚膜电阻。经测试，电路转换时间小于２０μｓ，最大线性误差和最大微分线性误差为０．０１２％ＦＳＲ。电路采用３２引出端双列直插全金属平底管壳（ＭＰ３２）封装，在±１５Ｖ、＋５Ｖ电源下电路总功耗低于９００ｍＷ。     

混合微电子技术的新发展

介绍了两年来国内外混合集成电路的概况,从市场和技术两个方面评述传统技术与高级技术、老产品与新产品的相互促进及其各自的优劣,重点介绍多芯片组件及其主要制造技术,意在引起有关人员的注意,重视我国混合微电子工业的发展.