纳米 MOSFET/SOI器件新结构

重点介绍器件进入纳米尺度后出现的MOSFET／SOI器件的新结构，如超薄SOI器件、双栅MOSFET、FinFET和应变沟道等SOI器件，并对它们的性能进行了分析。     

SOI技术优势及制造技术

介绍SOI器件结构,SOI优点,SOI制造方法;面对未来工艺设计竞争、挑战的思考。     

SOI光电子集成

SOI（Silicon-on-Insulator)光电子集成已成为十分引人注目的研究课题，其工艺与CMOS工艺完全兼容，可以实现低成本的SOI基整片集成光电子回路。本文综述了近几年来SOI集成光电子器件的发展以及一些最新的研究进展，着重分析几种最新型光无源器件的工作原理和结构，包括SOI光波导、SOI光波导耦合器、SOI光波导开关、相位阵列波导光栅（PAWG）、基于SOI的光探测器等，并介绍了中国科学院半导体所集成光电子国家重点实验室的研究进展。     

总剂量辐射下的NMOS/SOI器件背栅阈值电压漂移模型

SOI(绝缘体上硅)器件在总剂量辐照下的主要性能退化是由于SOI器件的背栅阈值电压漂移引起的背沟道漏电。本文首先采用二维有限元方法,对辐射在SOI器件的埋氧层中的感生氧化物电荷进行模拟,然后分析此氧化物电荷对器件的外部电学特性的影响,建立了器件在最劣偏置下辐射引起的背栅MOSFET的阈值电压漂移模型,提取背栅MOSFET受辐射影响参数,以用于在SOI电路设计中准确的评估辐射对SOI电路的影响。模拟数据和试验数据具有很好的一致性。     

SOI和应变Si的将来

利用SOI衬底生长部分／完全耗尽结构的晶体管或用应变沟道提高器件性能可制备出高性能CMOS逻辑器件；这两种方法均可用于CMOS结构，也可单独用于提高器件性能。将应变用于器件沟道，可将沟道迁移率提高50％，从而提高了器件电流。SOI晶体管的好     

SOI器件中浮体效应的研究进展

SOI（Silicon On Insulator）器件中氧化埋层的隔离作用带来的浮体效应，将显著地影响器件的性能。本文阐述了浮体效应产生的原因以及它对SOI器件和电路的影响，并从体接触和工艺角度两个方面介绍了目前国际上比较优异的抑制浮体效应的几种典型器件结构。     

SOI的自加热效应与SOI新结构的研究

阐述了自加热效应产生的原因以及它对SOI电路的影响，并介绍了为克服自加热效应和满足某些特殊器件和电路的要求，国内外正在竞相探索研究的新型SOI结构，如SOIM，Silicon onAlN,GPSOI,SiCOI,GeSiOI,SON,SSOI等，结论SOI新结构制备工作，报道了SOI的自加热效应及其新结构的研究进展。     

基于BSIM3V3的部分耗尽SOI MOSFET解析模型

提出了部分耗尽SOI MOSFET物理模型,SOI MOSFET可以看作体硅MOSFET和双极晶体管的结合,模型通过详细地分析SOI器件在各工作区域的工作机理得出,并提取出了相应的模型参数.用本模型得出的模拟数据与器件模拟数据进行了对比,取得了很好的一致性.     

面向硅基光互连应用的无源光子集成器件研究进展

光互连是突破传统微电子IC性能瓶颈的重要技术手段,对推进"后摩尔时代"微电子技术的发展和高性能计算技术的实现具有关键性意义。本文在归纳总结不同层次光互连结构特点的基础上,对片上光互连(on-chip or intra-chip optical interconnects)所涉及的若干种无源光子集成器件的设计制备及性能特点进行了分析介绍,这些器件包括SOI亚波长光子线波导、SOI光子晶体波导、MMI分束/合束器、微环/微盘谐振腔滤波器、光子晶体微腔耦合滤波器、光子晶体反射镜等,是硅基片上光互连的基本构成单元。本文对这些关键性光子集成器件的国内最新研究进展进行了报道。     

基于垂直扭转梳齿驱动结构的硅微机械扭转微镜的设计加工与表征

为了改善扭转微镜的机电耦合特性和光学特性，提出了一种新的基于SOI硅片的垂直扭转梳齿静电驱动结构．通过有限元与边界元方法，对不同厚度扭转梁的机电耦合特性进行了数值模拟，得到了相应的阈值电压和吸合电压，并提出了几种新的折叠梁结构，以进一步改善器件的机电耦合特性；通过力学分析，从理论上推导了垂直扭转梳齿静电驱动方式微镜的最大扭转角度、阈值电压、扭转刚度以及固有频率，获得了结构参数对器件机电耦合特性的影响机制；最后，利用比例散射理论讨论了表面粗糙度、入射光束波长和入射角度等参数对微镜表面光学反射性能的影响，并利用原子力显微镜测量了微镜的表面粗糙度，理论模拟与实验研究表明，基于SOI硅片和垂直扭转梳齿结构的硅微机械扭转微镜可显著降低器件的驱动电压，提高器件的机电耦合特性和微镜表面的光学反射特性．