介质保护膜制备参数对AC PDP放电特性的影响

以ＭｇＯ为例,对ＡＣ ＰＤＰ中电子束蒸发介质保护膜制备的工艺参数,如成膜时基板温度、沉积速率、成膜后的热处理条件等对ＡＣ ＰＤＰ工作特性的影响进行了系统的研究和分析,讨论了保护膜成分、结构、形貌等对发射特性和ＡＣ ＰＤＰ工作特性的影响,探讨了成膜的最佳工艺,并根据在放电过程中,由离子轰击产生的ＭｇＯ膜表面特性的变化和假设氧对ＭｇＯ膜表面特性的作用,对观测到的放电特性对ＡＣ ＰＣＰ板各种制造工艺参数     

介质保护膜制备参数对AC PDP放电特性的影响

以ＭｇＯ为例,对ＡＣ　ＰＤＰ中电子束蒸发介质保护膜制备的工艺参数,如成膜时基板温度、沉积速率、成膜后的热处理条件等对ＡＣＰＤＰ工作特性的影响进行了系统的研究和分析,讨论了保护膜成分、结构、形貌等对发射特性和ＡＣＰＤＰ工作特性的影响,探讨了成膜的最佳工艺,并根据在放电过程中,由离子轰击产生的 ＭｇＯ膜表面特性的变化和假设氧对 ＭｇＯ膜表面特性的作用,对观测到的放电特性对 ＡＣＰＤＰ板各种制造工艺参数的依赖性进行了解释。     

保护膜材料对AC PDP放电特性影响的实验研究

提出了用测量ACPDP(ACplasmadisplaypanel)放电特性和加速老化特性来探求保护膜发射和稳定性能的间接测量方法 ,研制了模拟ACPDP放电特性测量装置 ,为衡量保护膜特性提供了有力的工具。并利用此装置对不同材料保护膜对ACPDP放电特性的影响进行了分析讨论 ,确定了新颖膜材的选择方向 ,探索了使用高发射性能保护膜材料所必须解决的问题     

潘宁气体组成对交流等离子体显示器放电特性影响的数…

为优化彩色ＡＣ ＰＤＰ中的气体组成以提高其性能,建立了ＡＣ ＰＤＰ单元气全放电的一维模型。模型是基于对电子和离子运输的二元流体描述,事了泊松方程及一系列动力学方程。利用此模型对潘宁气体Ｎｅ＋Ｘｅ的百分含量对ＡＣ ＰＤＰ单元放电特性的影响进行了数值分析,给出了气体组成比例对ＡＣ ＰＤＰ工作电压及放电过程中产生的ＵＶ线效率的影响特性。     

潘宁气体组成对交流等离子体显示器放电特性影响的数值分析

为优化彩色ＡＣ ＰＤＰ中的气体组成以提高其性能,建立了ＡＣ ＰＤＰ单元气体放电的一维模型,模型是基于对电子和离子输运的二元流体描述,并耦合了泊松方程及一系列动力学方程。利用此模型对潘宁气体Ｎｅ＋Ｘｅ中Ｘｅ的百分含量对ＡＣＰＤＰ单元放电特性的影响进行了数值分析,给出了气体组成比例对ＡＣ ＰＤＰ工作电压及放电过程中产生ＵＶ射线效率的影响特性。计算过程中,假定放电气体处于局域平衡状态,各种粒子的反应概率     

ADC、DAC静态特性全自动测量标准装置

本文介绍一种模数、数模转换器静态特性自动测量标准装置和它的构成技术。该装置通过多个ＣＰＵ和计算机控制，可以实现全自动的测量。该装置采用组合放大器和组合ＤＡＣ技术构成２４ｂｉｔｓ标准ＤＡＣ，使之具有很小的微分线性误差、积分线性误差、零点误差和增益误差。实际测量速度为４０Ｈｚ～２５ｋＨｚ。     

ADC,DAC静态特性测量标准

本文介绍了我国ＡＤＣ、ＤＡＣ静态特性国家测量标准装置和它的测量技术。该标准装置通过多个ＣＰＵ和计算机，可以实现全自动测量并具有很小的微分线性误差、积分线性误差、零点误差和增益误差，实际测量速度为４０Ｈｚ～２５ｋＨｚ。在文章的最后给出了所达到的技术指标。     

彩色PDP的关键技术及AC PDP工作机理研究

对ＡＣＰＤＰ的基本单元在放电时的物理过程进行了探讨，指出ＰＤＰ放电单元可划分为控除、书写和维持放电。研究分析了ＡＣ ＰＤＰ在工作时任一子场中施加在Ｘ电极、Ｙ电极和Ａ电极上的电压波形与放电室壁电荷的对应关系，对各电极上的电压给予了一定的物理意义。最后讨论了目前ＰＤＰ板亟待攻克的关键技术     

InGaAsP/InP有源时分光子交换器件

自行设计并研制成功了两种有源时分光子交换器件：ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ ＥＭＰＢＨ双稳激光器ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ ＭＱＷ ＤＣＰＢＨ双稳激光器，对这两种器件的部分性能作了简要报道。     

Cargill和Dow建设大规模聚乳酸厂

Ｃａｒｇｉｌｌ公司和Ｄｏｗ公司投资 3亿美元 ,计划在Ｍｉｎ ｎｅｔｏｎｋｓ,ＭＮ新建大规模聚乳酸 (ＰＬＡ)工厂 ,生产能力 14万ｔ,预计 2 0 0 1年开工运转。聚乳酸是由玉米等天然植物性糖类物质中提炼而得的 ,可生物降解及原料再生 ,广泛用于服装、地毯等纤维制品、包装材料等一些薄膜片材方面。上述两公司各投资一半设立ＣａｒｄｉｌｌＤｏｗＰｏｌｙｍｅｒｓ(ＣＤＰ)合资公司 ,以“ＮａｔｕｒｅＷｏｒｋｓ”商标生产并销售。目前 ,ＣＤＰ在Ｃａｒｄｉｌｌ的Ｍｉｎｎｅａｐｏｌｉｓ工厂附近建有一套年产 40 0 0ｔ的ＰＬＡ装置 ,随需求不…     

1.3μmInAsP/InGaAsP应变补偿量子阱激光器

采用气态源分隔束外延方法及应变补偿生长工艺生长了ＩｎＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓＰ应变补偿多量子阱激光器材料,采用选择刻蚀和聚酰亚胺隔离工艺制成了脊波导型１．３μｍ激光器芯片并对芯片性能进行了统计测量,测量结果表明此种激光器芯片在室温下的阈值电流可小于１０ｍＡ,在２５℃至９０℃温度范围内特征温度大于９０Ｋ,并表现出较好的单纵模特性。     

反应条件对聚双环戊二烯性能的影响

以ＷＣｌ６／ＷＯＣｌ４－ＡｌＥｔ３为催化剂,采用ＲＩＭ方法完成了双环戊二烯（ＤＣＰＤ）的聚合反应,研究了催化剂的用量,反应温度对聚双环戊二烯（ＰＤＣＰＤ）性能的影响,实验结果表明,在ＤＣＰＤ／Ｗ＝１０００￣３０００／１（ｍｏｌ ｒａｔｉｏ）,Ａｌ／Ｗ＝２／１（ｍｏｌ／ｒａｔｉｏ）,反应温度为７０￣１２０℃,ＰＤＣＰＤ具有优良的性能。     

单基板彩色AC—PDP放电单元模拟及极间距离的优化计算

采用二维单基板彩色ＡＣ－ＰＤＰ数据计算模型，对放电单元的工作过程进行了模拟计算，给出了１８０Ｖ外加电压施加４μｓ后放电单元中电子和Ｘｅ激发态分子Ｘｅ（３ｐ１）的空间浓度的分布情况，通过计算不同Ｘ，Ｙ电极间距下电子和Ｘｅ（３Ｐ１）随时间变化情况，分析了进行电极距离优化设计的必要性和可能性。     

液晶共聚酯酰胺对PET/PA66共混体系的增容作用

将ＰＥＴ、ＰＡ６６和ＬＣ３０进行熔融共混，采用ＳＥＭ、热台偏光显微镜、ＤＳＣ、Ｉｎｓｔｒｏｎ３２１１型毛细管流变仪测定了共混物的形态结构、热行为和流变性能，系统地研究了热致液晶共聚酯酰胺（ＬＣ３０）对聚对苯二甲酸乙二酯（ＰＥＴ）／聚酰胺６６（ＰＡ６６）共混物的增容作用。结果表明，ＬＣ３０对ＰＥＴ／ＰＡ６６共混物的增容作用，有效地改善了ＰＥＴ／ＰＡ６６共混物的形态结构和流变性能，增强了ＰＥＴ链与ＰＡ６６链间的相互作用，使ＰＥＴ／ＰＡ６６共混物的熔点降低，结晶度提高，流变行为由原来的负偏差行为转变为正偏差行为。     

DC反应溅射时防止异常放电的电源（A^K）

日本真空技术株式会社研制的Ａ＾２Ｋ装置可以有效地抑制ＤＣ溅射中的异常放电，而这在以往的传统方式ＤＣ溅射中是做不到的。在进行易于出现异常放电的溅射成膜时，采在ＤＣ电源上加上Ａ＾２Ｋ的方法，被证明确实有效地减少了异常放电的发生。     

DC反应溅射时防止异常放电的电源（A~2K）

日本真空技术株式会社研制的Ａ２Ｋ装置可以有效地抑制ＤＣ溅射中的异常放电，而这在以往的传统方式ＤＣ溅射中是做不到的。在进行易于出现异常放电的溅射成膜时，采用在ＤＣ电源上加上Ａ２Ｋ的方法，被证明确实有效地减少了异常放电的发生。     

PANI－PVC原位复合材料的制备及性能

以聚氯乙烯（ＰＶＣ）为基体材料，吸附一定量的苯胺单体（ＡＮＩ）后，通过氧化剂使ＡＮＩ在ＰＶＣ中发生就位（ｉｎｓｉｔｕ）化学氧化聚合反应，制备了电导率高达０．２３３Ｓ／ｃｍ的聚苯胺－聚氯乙烯（ＰＡＮＩ－ＰＶＣ）原位复合材料。研究了单体用量、氧化剂种类及反应工艺条件对复合材料性能的影响，确定了合适的制备条件。ＳＥＭ观察的结果表明ＰＡＮＩ在ＰＶＣ中分散非常均匀，在ＰＡＮＩ含量较少时即能形成导电通路。     

中国测试技术研究院

ＡＤ２０２型辐射剂量仪（三维水箱自动测试装置）本装置经国家级计量部门检验认可,各项性能符合ＩＥＣ７３１号文的规定指标。它由双通道剂量仪、三维水模体、计算机、驱动器、打印机等部分构成,对医用放射治疗中心的各种加速器、钴机、Ｘ射线深部治疗机的剂量特性测试（离轴比、平坦度曲线、ＰＤＤ曲线、不同水深下的剂量分布等）和水中吸收剂量（率）的测量、空气中照射量（率）的测量等。对于Ｘ射线及γ射线,既可代替一般剂量仪作剂量检定测试（绝对量）,又可作相对比值测量。还可对各类加速器及Ｘ线刀设备剂量特性的测试和验收。Ｗ…     

含聚二甲基硅氧烷的聚醚聚氨酯膜透气性及表面性质研究

以聚二甲基硅氧烷（ＰＤＭＳ）／聚四氢呋喃（ＰＴＭＯ）为软段，４，４＇－二环己基甲烷二异氰酸酯（ＨＭＤＩ）为硬段（丁二醇ＢＤ为扩链剂）制成的多相嵌段共聚物作为基质材料，进行了气体（Ｏ２和Ｎ２）透过性试验，同时对膜材料进行了ＥＳＣＡ表面分析。结果表明，共聚物膜的透气性能取决于材料中连续相组分，随着软段中ＰＤＭＳ含量的改变而变化。当ＰＤＭＳ含量较高时，共聚物膜显示出ＰＤＭＳ均聚物的特性，具有较高的气体秀     

聚氨酯／环氧树脂互穿网络聚合物相行为与粘接剪切性能的研究

制备了一系列聚氨酯／环氧树脂互穿聚合物网络ＰＵ／ＥＰＩＰＮｓ。由ＤＳＣ、ＴＭＡ和ＤＤＶ研究表明，ＩＰＮｓ在高温区存在单一的玻璃化转变温度Ｔｇ，ＩＰＮｓ的相行为与其粘接剪切强度相关。并确认接枝共聚物的存在增强了ＩＰＮｓ的互穿效应