HCTF系列：热熔断器

Vishay推出具有55A高电流，可在＋160℃高温下工作1000小时而不会出现意外故障的的热熔断器。这款VishayBeyschlagHCTF系列中的新器件通过AEC—Q200认证，能够安全地分断高电流汽车应用中的电源。     

Vishay发布用于汽车和工业应用的新款SMD透射式光传感器

Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出用于汽车和工业应用的新款通过AEC-Q101认证的表面贴装透射式光传感器——单通道TCPT1350X01和双通道TCUT1350X01。这些器件针对恶劣环境而设计,可在-40～+125℃宽温条件下工作。今天发布的Vishay半导体的传感器尺寸只有5.5×4×4 mm,典型输出电流为1.6 mA。采用3.0 mm气隙宽度,这两款器件可以与各种材料配套使用,与气隙较小的传感器相比,对机械公差的要求更宽松,是汽车和工业应用的理想之选。     

EKX系列径向铝电容器

Vishay推出EKX系列径向铝电容器,这些器件可实现＋105℃的高温运行,且具有低阻抗值以及高电容值及纹波电流。     

Vishay推出新型超高精度轴向Z箔电阻VSA101

日前,Vishay推出新型VSA101轴向BulkMetalZ箔电阻,旨在为满足在高可靠性应用中对超高精度电阻的需求。这款新型器件在0℃～+60℃以及55℃～+125℃(+25℃参考温度)的温度范围内分别具有±0.05ppm/℃及±0.2     

Vishay发布18款FRED Pt Hyperfast和Ultrafast整流器

Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出18款采用TO-252AA(D-PAK)功率塑料SMD封装、正向电流为4～15 A的200 V和600 V的FRED Pt Hyperfast和Ultrafast整流器。这些器件兼具极快的恢复时间、低正向压降和反向电荷,其中包括业界首个采用此种封装且正向电流大于10A的600V整流器。其发布的200 V整流器具有4 A、8 A和10 A的正向电流,600 V器件具有5 A、6 A、8 A、12 A和15 A正向电流。12 A电流的VS-12EWH06FNx-M3和15A电流的VS-15A WL06FNx-M3、VS-15EWL06FNx-M3、VS-15EWH06FNx-M3和VS-15EWX06FNx-M3在此类采用TO-252AA封装的器件当中具有最高的正向电流。4～6 A器件适用于照明应用(镇流器)中的缓冲二极管,8～15 A适用于电信和桌面电源中的PFC升压和输出二极管。由于具有高功率密度,Vishay的这些新款整流器可以取代这些应用中更大的SMD器件,例如采用TO-263AB(D2PAK)封装的整流器。     

Vishay推出1500μF新型ECL系列SMD铝电容器

Vishay Intertechnology,Inc．宣布推出新系列表面贴装铝电容器,这些器件可实现＋105℃的高温运行,具有低阻抗值以及高电容值及纹波电流。     

Vishay的新款高可靠性栅极电阻具有6.5kW的高功率和+400℃工作温度

正Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新系列高功率、大电流栅极电阻---GRE1。Vishay Milwaukee GRE1器件具有6.5 kW的高功率和+400℃的工作温度,以及稳健的设计,可直接替换竞争的解决方案。发布的栅极电阻在+40℃下的功率为1~6.5 kW,适用于机车、谐波滤波器、可再生能源以及工业系统里的电容器预充电和放电、电阻制动、负载测试、加热器和中性点接地应用。器件的电阻值为0.1~24Ω,公差为±10%,电感为5~40μH。     

Vishay固体钽电容器芯片

Vishay Intertechnology，Inc．推出新型Tantamount Hi—Rel COTS T95系列固体钽电容器芯片。这些新型T95电容器主要面向安全性至关重要的航空及军事应用。日前推出的这些器件属于Vishay Tantamount钽电容器系列，它们的电容值范围介于0．1μF～680μF，电压范围介于4V～50V。这些器件提供了低ESR值选择，在＋25℃、100kHz时，ESR值低至0．055。T95系列中的器件工作范围介于-55℃～＋125℃。     

vishay发布通过美国和加拿大UL认证的新系列径向引线PTC热敏电阻

该器件具有4110ppm/K温度系数、小于2s响应时间和-55℃～+150℃温度范围的优异性能。Vishay Intertechnology,Inc. (NYSE股市代号:VSH)宣布, 推出新系列采用径向引线的正温度系数(PTC)热敏电阻---TFPTL。该系列器件具有镍薄膜芯体和+4110ppm/K正温度系数,响应时间小于2 s,在-55℃～+150℃的宽温范围内具有高稳定性。发布的热敏电阻有两种尺寸,引脚节距为     

Vishay新款螺丝接头功率铝电容器具有超长使用寿命

日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出用于拖动和重载应用的新系列螺丝接头的功率铝电容器—110 PHT-ST系列。Vishay BCcomponents 110 PHT-ST系列中的器件在＋85℃下的寿命长达1万小时,＋85℃下的纹波电流达19.76 A,采用76 mm×146 mm和76 mm×220 mm大外形尺寸。今天发布的电容器的圆柱形铝外壳与蓝色套筒和密封圆盘里的压力释放口绝缘,使用寿命长,在250-450 V电压范围内的容量高达6000μF。Vishay还可根据客户要求提供其他容量和电压。这些器件具有-10%/＋30%的严格公差,     

Vishay发布新型超高容量系列液钽电容器

日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布推出采用特殊密封的新型超高容量系列液钽电容器——T18系列——适用于航空和航天应用,采用D外形尺寸,在75 V下的容量高达1 000μF。Vishay的T18钽壳电解电容器具有该公司SuperTan誖系列器件的全部优点,在+85℃下的反向电压为1.5 V,可经受300     

Vishay推出业内首款采用0406小外形尺寸的宽接头薄膜片式电阻

Vishay Intertechnology,Inc.推出新的专业和精密系列宽接头薄膜片式电阻——MCW 0406 AT,这些电阻是首批采用0406小外形尺寸的此类器件。Vishay的MCW 0406 AT专业和精密电阻可在恶劣和高温应用中提供稳定的性能表现。专业系列器件可在175℃的高温     

Vishay发布用于商业应用的低外形SMPD封装的新款TMBS~整流器

Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出16个新款45 V、50 V、60 V、100 V和120 V器件,扩充其TMBS~Trench MOS势垒肖特基整流器产品。器件具有10~60 A的电流等级和极低的正向压降,针对商业应用。这些器件采用低外形SMPD封装,封装的占位与D2PAK(TO-263)一致,且典型高度更薄,只有1.7 mm。今天推出的Vishay General Semiconductor双片整流器在15 A下的正向压降只有0.4 V,在高频DC/DC转换器、开关电源、     

Vishay推出用于直接IGBT安装的镀金属聚丙烯膜缓冲电容器

日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新款高性能镀金属聚丙烯膜缓冲电容器———Vishay Roederstein MKP386M,该器件可直接安装在绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块上,容量从0.047μF到10μF,可在+105℃高温下工作,有700 VDC～2 500     

Vishay推出新款高性能、小尺寸反射光传感器

Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出采用小型SMD封装并带有晶体管输出的反射光传感器——TCNT2000。该器件的尺寸为3.4 mm×2.7 mm×1.5 mm,探测距离0.2～5 mm,可用于消费、工业和计算机类应用。TCNT2000使用了Vishay的高效940nm发射器芯片,典型CTR为4%,超过同类器件2倍。借助高CTR,器件使设计者能够增加探测距离,或是用更低的电流驱动器件,在不损失性能的前提下降低功耗。     

Vishay推出其最小的IHLP器件

Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出采用1212外形尺寸的新款IHLP小尺寸、高电流电感器---IHLP-1212BZ-11。IHLP-1212BZ-11是迄今为止Vishay最小的IHLP器件,具有3.0mmx3.6mm的占位、     

EKX系列径向铝电容器

Vishay推出新系列径向铝电容器——EKX系列器件,这些器件可实现＋105°C的高温运行,且具有低阻抗值以及高电容值及纹波电流。     

模拟与混合信号

使用无铅回流焊工艺的SMD LED Vishay Intenechnology推出可使用无铅(Pb)回流焊工艺的高强度SMD LED,这些产品可直接替代Vishay TLM系列中的器件。新型VLM系列中的器件主要用于以下方面的应用：汽     

Vishay Siliconix推出新款通过AEC-Q101认证的40VN沟道TrenchFET~功率MOSFET

日前,Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE)宣布,推出新款通过AEC-Q101认证的40 V N沟道TrenchFET功率MOSFET——SQM200N04-1m1L。该器件特别针对"重型"汽车应用,是Vishay采用兼具低电阻和高电流等级的7脚D2PAK封装的首款功率MOSFET。通过高密度TrenchFET技术,器件在10 V和4.5 V下实现了1.1 mΩ和1.3 mΩ的超低最大导通电阻,将传导损耗最小化,并能在更低的温度下工作。此外,器件的连续漏极电流达200 A,帮助工程师设计出更具鲁棒性的产品,为关键的安全应用提供额外的安全余量。     

Vishay推出其最小的IHLP~器件

Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出采用1212外形尺寸的新款IHLP~小尺寸、高电流电感器---IHLP-1212BZ-11。IHLP-1212BZ-11是迄今为止Vishay最小的IHLP器件,具有3.0mmx3.6mm的占位、