金属清洗剂在塑封硅整流二极管生产中的应用

塑料封装的硅整流二极管,在塑封成形后管壳表面往往有一层甲基硅油(它用来作脱模剂),由于它的存在对喷在管壳表面上的油漆的粘附力有一定的影响,会产生漆泡、波纹状、漆层不光等现象.通常去除甲基硅油的方法是用汽油清洗.这里介绍一种用W P85—1金属清洗剂代替汽油清洗管壳表面甲基硅油的方法.此方法具有操作方便、安全可靠,无污染、材料利用率高等特点,不但提高了管壳的外观质量,而且取得了良好的经济效益,有效地治理了环境污染.     

国产与进口管壳金镍镀层质量特性分析

国产金镍体系管壳在鉴定检验中,常出现腐蚀、掉字等镀层质量问题,直接影响器件的封装可靠性。结合镀层常见质量问题,分析镀层的厚度、结构等影响因素;利用扫描电镜和能谱分析,从外观、厚度、结合力、耐热性、结构和成分六方面,进行了国产与进口管壳样品的镀层质量特性分析;选取国产与进口管壳样品各10只,开展湿热试验和盐雾试验,分析Au/Ni管壳的薄弱环节和抗腐蚀性能。结果表明,国产管壳相比进口管壳的不足,主要表现在打标方式不成熟、金层厚度较为单薄、镀层结构不够合理、材料纯度相对较低等方面;在打印标记处和平行焊缝处,管壳的抗腐蚀性能较弱。     

等静压电真空陶瓷管壳的研制与性能探讨

研究了不同氧化铝含量的电真空陶瓷管壳配方组成与性能的关系,分析了等静压工艺技术生产电真空陶瓷管壳的诸多因素,并对等静压工艺生产电真空陶瓷管壳的工艺控制、氧化铝含量与性能的关系以及对陶瓷金属化适应性进行了探讨.等静压成型工艺是提高电真空陶瓷管壳综合性能的必要手段,等静压电真空陶瓷管壳氧化铝含量对其机械性能、电性能、金属化适应性有直接影响.     

可靠性问题讲座——第七讲 设计与工艺中的可靠性考虑(上)

半导体器件可靠性的提高取决于以下因素:合理的设计方案、先进的工艺措施、严格的质量控制、适当的筛选程序、及时的失效分析及反馈等。这一讲我们讨论通过设计及工艺措施改进器件的可靠性,包括失效分析中提出的纠正措施在设计与工艺中的实施。重点涉及双极集成电路;因平面晶体管及MOS电路与其基本工艺是相同的。一、设计中的可靠性考虑 1.结构设计(包括引线的材料及方案选择、芯片到管壳的组装方法、管壳种类等) 当有缺陷的芯片已被剔除后,结构特性对器件在电应力和环境应力下的性能起着决定作用。结构设计需要考虑电学、热学及机械性能是否满足高可靠性的要求,对于小功率管和一般集成电路,功率在毫瓦范围,结温由适当的管壳散热来控制,在设计中只需要计算电参数要求,结构根据可靠性的要求适当选择即可。对于大功率器件,功率在数     

X 射线无损探伤在高频大功率器件研制中的应用

本文一般地介绍了 x 射线无损探伤的原理和方法。较详细地讨论了它在高频大功率晶体管研制中的应用。通过实验说明了,在大功率器件的管壳结构设计及工艺质量、管芯片烧结等方面,x 射线无损探伤是一种科学的简单的分析和检查方法,也是管壳制造工艺质量筛选或抽验的方法之     

电真空器件用陶瓷金属化和釉化工艺的改进

随着电力设施的迅速增长和发展 ,城乡电网的全面改造 ,真空开关管 ,特别是陶瓷外壳的真空开关管 ,以其特有的优势在电力行业的应用得到空前的发展。同时 ,推动我国陶瓷金属化、施釉及陶瓷 金属封接技术的进步。新一代的电力、电子器件的高速发展将对陶瓷管壳金属化封接技术以及陶瓷管外观提出更高的要求 ,陶瓷管壳施釉提高了电真空器件的质量 ,使其外观更美观、光亮 ,且不易吸湿和被污染 ,电性能明显改善。但电真空器件用陶瓷管壳需要经过金属化、釉化及陶瓷 金属封接、装配等多道工序 ,它们都是在高温和强还原气氛下进行 ,加上人和环境因素…     

声表器件用表贴式封装管壳的研制

本文主要阐述了某种声表器件(SSD)用表贴式封装(SMP)管壳的结构设计过程,以 及为了适应大批量生产在工艺上所作的改进及创新。     

电力电子器件用陶瓷—金属管壳

综述了最近十几年来,国内外电力电子器件用管壳的技术发展概况,提出了我国与国外电力电子器件用管壳在材料、工艺、结构和生产检验手段等多方面的对比,找出了我国陶瓷金属管壳的差距和改进实施办法。     

声表面波器件用的表面安装封装管壳

主要阐述某种声表面波(SAW)器件用的表面安装型封装管壳的结构设计过程，以及适应大批量生产的工艺改进及创新。     

一种航天用光电耦合器内部气氛含量优化控制

光电耦合器内部气氛含量过高会加速光电耦合器的失效,光电耦合器的寿命与内部气氛含量呈负指数关系,即寿命随内部气氛含量的提高而迅速降低。介绍了光电耦合器内部气氛含量的控制方法,通过优化和改进管壳除氢工艺、(管壳和芯片)清洗工艺、(内瓷片和芯片)烧结工艺、助焊剂清洗工艺、平行封焊工艺,使一种气密性陶瓷封装光电耦合器内部气氛含量得到了优化和控制。     

高功率飞秒脉冲光纤激光器的研究进展

啁啾脉冲放大技术是高功率飞秒脉冲光纤激光器采用的主流技术,但如果对激光系统中非线性效应和色散补偿控制不好,脉冲将会发生畸变,影响脉冲的进一步压缩和峰值功率的提高.以这些问题的解决为主线,介绍了近年来在高功率飞秒脉冲研制上所取得的进展,指出以光子晶体光纤等为基础的新型激光功能器件的出现,为啁啾脉冲放大技术提供了新的解决方案.     

雷达发射机监控技术的特点与发展应用

由于发射机工作在高微波辐射、强电磁干扰的环境中,而发射机监控电路又是敏感度较高的小信号电路,因此发射机监控系统的安全可靠工作至关重要。随着新型控制器件的不断问世,发射机监控技术取得了突飞猛进的进步,发射机的监控电路正在向高度智能化、集成化、自动化方向发展。文中阐述了发射机监控各种控制方式的特点,给出了应用于不同领域发射机的典型监控系统框图,并就如何从丰富发射机监控功能和使用当代新技术两方面来提升发射机监控的水平提出了一些见解。     

消除AlN陶瓷基片色斑

ＡｌＮ基片的色斑会影响外观，引起用户对基片性能的疑虑。通过ＸＰＳ、热力学分析等方法，证实了碳的金属化合物是造成氮化铝陶瓷色斑的根源；采取控制氮化铝粉质量、改进排胶和烧结工艺、疏通气路等措施，可消除色斑。     

晶圆激光切割技术的研究进展

综述了半导体领域晶圆切割技术的发展进程,介绍了刀片切割技术、传统激光切割技术、新型激光切割技术及整形激光切割技术的特点、工作原理和优缺点以及国内外使用晶圆切割技术获得的研究成果及其应用前景.与刀片切割技术相比,激光切割技术具有切割质量好、切割速度快等优点.详细介绍了以进一步改善晶圆切割质量和提高切割速度为目的的几类整形激光切割技术,包括微水导激光切割技术、隐形切割技术、多焦点光束切割、“线聚焦”切割、平顶光束切割和多光束切割等.随着技术的不断完善、切割设备的不断成熟,整形激光切割技术在未来的晶圆切割领域将具有广阔的应用前景.     

离子损伤对等离子体辅助分子束外延生长的GaNAs／GaAs和GaInNAs／GaAs量子阱的影响

研究了离子损伤对等离子体辅助分子束外延生长的GaNAs／GaAs和GaInNAs／GaAs量子阱的影响．研究表明离子损伤是影响GaNAs和GaInNAs量子阱质量的关键因素．去离子磁场能有效地去除了等离子体活化产生的氮离子．对于使用去离子磁场生长的GaNAs和GaInNAs量子阱样品,X射线衍射测量和PL谱测量都表明样品的质量被显著地提高．GaInAs量子阱的PL强度已经提高到可以和同样条件下生长的GaInAs量子阱相比较．研究也表明使用的磁场强度越强,样品的光学质量提高越明显．     

刚挠结合印制板挠性区外观不良改善研究

目前多层刚挠结合板,软板之间通常都采用不流胶PP压合,其PP在压合前需对挠性区的PP进行铣槽开窗,从而避免PP黏结片与挠性部位粘连;但不流胶PP铣槽加工极易产生PP粉,叠层时难以清洁,成品揭盖后发现挠性区覆盖膜上残留较多PP胶团,导致产品外观不良,无法满足客户产品外观质量的要求。本文提出的改进方案是利用耐高温胶带,在压合前对挠性区域覆盖膜进行保护,外层揭盖时同步去除,从而有效改善PP粉残留问题,极大提升刚挠结合板的外观良率。     

基于平行缝焊工艺的AuSn合金焊料封盖技术研究

为了解决聚合物粘结电路的质量与长期可靠性问题,提出了一种采用平行缝焊工艺对AuSn合金焊料熔封器件进行封盖的新方法。通过对平行缝焊工艺的深入研究,解决了该类器件封盖的气密性与外观质量问题,从而找到了一种有效解决熔封外壳组装的低温聚合物粘结电路水汽含量、抗剪强度、键合强度控制的新方法。     

广播电视技术发展地面数字电视传输技术分析

对地面数字电视传输技术的基本背景进行了阐述,结合显著提高音画质量、大幅扩充通信量级、兼容更多终端设备以及保有更广发展前景四个部分,分析了地面数字电视传输技术的优越效益;最后,从做好传输系统架设工作、实现传输质量持续提升以及注重技术策略优化创新三个角度入手,研究了地面数字电视技术的实践要点。     

骨架式光缆成缆结构和工艺的改进

分析了影响骨架式光缆成缆和产品质量的主要原因。通过对光缆骨架结构和成缆工艺的改进，设计了专用导入槽模片，实现了光纤精确入槽的成缆工艺，使骨架式光缆的工艺质量和产品性能得到保证，成品率和生产效率显著提高。     

可寻址集线器安装的运作与管理

有线电视可寻址收费管理系统是一项崭新的应用技术，它利用单片机可寻址功能，替代了传统的人工收费方式，解决了收费难的问题，使有线电视的收费更合理化、科学化和现代化，采用这项新技术是有线电视发展的必然趋势。初期运作与管理直接影响有线电视可寻址技术的应用和有线电视系统改造的质量，如果运作和管理都到位了，可以达到事半功倍的效果。