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恒定电流下在酸碱预处理后的铝箔表面电沉积微量Zn,得到电沉积改性预处理铝箔,对其进行直流电化学腐蚀。使用EDS能谱分析电沉积Zn铝箔表面元素;利用金相显微镜与扫描电镜从断面、表面观察样品铝箔腐蚀形貌;利用极化曲线、失重率、减薄率观测样品铝箔的腐蚀电位、腐蚀效果,研究不同预处理工艺对高压阳极铝箔电解腐蚀行为的影响。结果表明:电沉积Zn预处理后,由于沉积在铝箔表面的Zn和Al存在电位差,形成Al-Zn微电池促进铝箔腐蚀发孔,其腐蚀电位由酸碱预处理铝箔的-0.83 V下降到-0.87 V,铝箔腐蚀后隧道孔数量较多,分布更加均匀,减薄率下降,失重率上升,得到了比表面积更大的铝电解电容器用阳极腐蚀箔。 相似文献
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为了准确检测铝箔表面的穿孔、污点、亮斑和刮痕等各种缺陷,提出了一种基于低秩稀疏分解的铝箔图像表面缺陷检测方法。铝箔材料生产过程中表面出现缺陷的概率较小,同时一幅铝箔图像中缺陷占整幅图像的比例较小,即铝箔图像背景之间是线性相关的,可近似视为处于同一低秩子空间中,同时图像表面缺陷是近似稀疏的。采用RPCA(Robust Principal Component Analysis)算法对铝箔图像序列组成的观测数据矩阵进行低秩稀疏分解,得到低秩的背景图像和稀疏的缺陷图像。分别对单幅铝箔图像以及由多幅铝箔图像组成的图像序列进行低秩稀疏分解实验,在铝箔图像表面缺陷检测应用中验证所提方法的有效性。实验结果表明,提出方法检测到的缺陷清晰、完整,处理一幅大小为880×540的铝箔图像平均耗时不超过0.7秒,能够实现铝箔表面缺陷的实时检测。同时,算法具有较好的扩展性,能够方便地应用到其他产品的表面缺陷检测中。 相似文献
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通过合理选用原材料、正确设计零部件、开发高稳定工作电解液、使用负极贴箔技术,配合极片与导针间接触电阻的控制、芯包铝箔粉尘的清除以及浸渍和装配的特殊工艺措施,研制出耐高温、耐大纹波电流、长寿命(130℃,2 000 h或105℃,8 000 h)铝电解电容器,满足高品质绿色照明用产品的要求。 相似文献
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高压电极铝箔腐蚀孔洞模型的探讨 总被引:1,自引:0,他引:1
利用SEM、TEM观测了高压腐蚀铝箔表面和横截面的形貌,介绍了3种高压电极铝箔的腐蚀孔洞模型:圆孔、方孔、条状凹槽;通过对当前市场上国内、日本的高压高比容电极箔腐蚀孔洞的实际形貌特征进行对比分析,发现:具有实际意义的理想腐蚀孔洞应当具有介于条状凹槽和圆孔之间的形状;通过改进电蚀技术来提高高压电子铝箔的比电容还有相当大的空间;在电蚀过程中抑制簇状并孔发生并促进线状并孔发生以使得腐蚀孔洞呈现条状沟槽形状是今后高压电极箔制造技术的改进与发展方向之一。 相似文献
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本文论述了退火温度对铝箔微观结构的影响;并通过对低压软、硬箔电化学腐蚀试验结果的分析,讨论了腐蚀液的组成和浓度、腐蚀电流密度及退火温度对铝箔腐蚀系数的影响;探讨了提高铝箔腐蚀系数的途径。 相似文献
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PA-Cap简介 PA-Cap聚合物固体片式铝电解电容器,在材料和核心工艺上有重大创新.它在研究聚吡咯薄膜电聚合生长规律基础上,开发了在复杂多孔的绝缘体表面原位均匀生长高电导率聚吡咯膜技术,解决了聚合电解液长期使用过程中的自聚合难题;提出并实现了铝箔阳极阴极隔离阻断工艺、引入补形成过程新技术,保证了PA-Cap产品的优异电气特性. 相似文献
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应用X射线对晶体织构度进行分析的技术和X射线极图测定方法,从金属材料的角度出发,研究了多种进口铝箔的再结晶织构,并与国产冷轧铝箔的再结晶织构进行系统的对比,研究了产生高立方织构度的铝箔热处理工艺。其次,在研究铝箔的再结晶晶粒生长时,发现国产LG5Y铝箔的异常晶粒长大,为铝箔生产厂改进轧制工艺提供了分析依据。最后,在铝箔腐蚀理论的分析基础上,结合SEM检测手段,经过大量试验对比,找到了两种较佳的高压箔腐蚀工艺。当形成电压为375V时,达到了0.45μF/cm~2的较高比容值。 相似文献
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《电子元件与材料》2018,(2):39-45
为研究加微量金属离子对铝箔腐蚀的影响因素及其作用机理,探讨腐蚀液中添加微量金属离子的作用,采用HCl-H_2SO_4直流腐蚀体系,通过对腐蚀铝箔减薄率和失重率进行分析,用金相显微镜(OM)和扫描电镜(SEM)对腐蚀铝箔形貌进行检测。结果表明:由于存在占据侵蚀位点效应、微电池效应、离子间竞争的相互协调过程,随金属离子或金属氧化物添加浓度的增大,铝箔减薄呈先减小、后增大、再减小趋势,铝箔失重率变化较复杂;低浓度的金属离子添加具有缓蚀效应,使得铝箔减薄率和失重率最大下降约59.7%和13.5%;金属离子或金属氧化物添加后,产生的隧道孔较整密,Cl~–的无用腐蚀减少,铝箔比表面积增大,比容最大增加约17.1%。 相似文献
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通过测试极化曲线和浸泡腐蚀实验,对比分析了最佳沉积工艺下制备的TiCxN1-x涂层铝箔与腐蚀化成法制备的铝箔的耐蚀性能。结果表明,在酸性腐蚀溶液中,TiCxN1-x涂层铝箔的自腐蚀电位Ecorr比腐蚀化成铝箔高50mV,而电流密度低0.914×10-3A/cm2,说明TiCxN1-x涂层铝箔的耐腐蚀性能明显优于腐蚀铝箔,同样,在浸泡9h后腐蚀铝箔样片已出现腐蚀贯穿,而TiCxN1-x涂层铝箔没有明显变化。 相似文献
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光铝箔热处理对腐蚀箔比容的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
中高压铝电解电容器用阳极箔的制取是一项综合技术,成品箔技术特性的好坏有赖于光铝箔的制箔技术、热处理(退火)技术和腐蚀技术等是否合理的应用。通过对国产箔两年的研制,我们认为以上诸种技术是互为补充、互相制约的,某一环节技术的失调将造成整个制箔技术水平跌落。本文仅就光铝箔退火技术进行探讨。 相似文献
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为了满足高密度阵列薄膜微流控芯片在使用过程中,当反应液离心进入微反应腔室后需要进行独立密封的要求,研制了一种机械密封装置。微流控芯片由铝箔盖片、聚丙烯(PP)基片和PP支架组成。通过采用密封装置对微流控芯片进样主通道进行密封来实现微反应腔室的隔绝密封。通过实验发现,机械密封装置刀头的结构与尺寸会对密封结果产生较大影响。通过增加刀头厚度和使用圆刀头,不仅能大大降低对铝箔盖片的破坏,而且可以避免产生空腔现象。实验结果表明,改进刀头后,铝箔通道底端粗糙度平均值降低了38.7%,通道最低处的铝箔厚度破坏量减少了85%。 相似文献
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