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日本物质材料研究机构(NIMS)纳米陶瓷中心成功试制出适用于液晶显示器背光源的白色LED。目前使用的部分背光源用LED是蓝色LED和黄色光合成的白色,因此只能发不自然的蓝白色光。NIMS利用以前开发的材料技术(红、绿荧光体)与蓝色LED组合,试制成功由红、绿、蓝三原色构成的白色LED。由于三原色以外的成分较少,与滤色器组合可获得纯度较高的三原色,并可提高液晶显示器颜色的再现范围。 相似文献
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金刚石作为自然界中热导性最好的材料,在半导体行业的应用越来越广泛。随着LED行业的不断发展,金刚石芯LED也崭露头角。综述了自20世纪50年代以来,金刚石材料作为衬底和外延材料在半导体光电子领域的研究进展。主要从两个方面展开论述:金刚石作为衬底外延GaN的研究进展;以及金刚石本身作为外延材料制备成p-n结、p-i-n结、异质结等半导体器件的研究进展。这些研究充分体现了金刚石材料应用在LED产品中的可行性和优越性,以及应用在大功率LED芯片中的巨大潜力。 相似文献
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1 前言LED是一种能直接将电能转换成光能的半导体发光器件,具备结构简单、节能、寿命长、环保、发光效率高、色彩鲜艳等优势,成为一种新型的照明技术.LED密封胶的性能对LED器件的亮度、发光效率和使用寿命有着重要的影响.随着LED技术的不断进步和完善,对LED灌封胶的性能提出了更严苛的要求.有机硅LED封装材料由于具有高折射率、高透光率、耐冷热冲击的特点,其应用越来越广泛.加成型液体硅橡胶将含乙烯基的硅氧烷与含氢硅氧烷通过硅氢加成反应进行固化成型,得到有机硅LED封装材料,具有硫化过程中无副产物、收缩率低以及能深层次固化等优点,在LED领域得到快速发展.然而,加成型硅橡胶由于分子本身呈非极性,在作为封装材料使用时,固化后呈高饱和状态,表面能低,与金属基材和非金属基材存在粘接性较差的问题,直接影响器件的使用寿命.考虑到实际应用过程中粘接基材的多样性及对粘接性要求的不断提高,具有更优性能的增粘剂新品种的开发成为这个领域的研究热点. 相似文献
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Ⅲ族氮化物半导体材料AlN单晶可应用于蓝色、紫外发光元件和耐高压、高频元件,作为宽带隙化合物半导体材料在市场潜力巨大的蓝色、紫外和白色LED和耐高压、高频电源IC等方面应用前景非常好。[第一段] 相似文献
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综述了采用计算机模拟方法研究芯片衬底材料及厚度、键合材料及厚度、热沉材料及厚度、透镜材料、散热肋片结构、榆入功率、空气对流换热系数、外加热管等对大功率LED散热性能影响的现状.芯片的结温随衬底材料、热沉材料热导率的升高呈先快速降低而后缓慢降低的趋势,选用热导率高的键合材料会对降低芯片结温起到一定作用,而透镜材料对LED散热性能的影响较小.LED的输入功率与芯片结温呈正比关系,散热器结构与散热方式会时LED散热性能有不同的影响.此外,还指出了提高大功率LED散热能力的途径. 相似文献
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日本京都大学和日亚化学公司,利用晶体生长形成的GaN微结构,开发出无荧光体多色LED,在全球率先实现了LED包括白色在内的多种颜色发光。 相似文献
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LED具有高效、节能和环保等优势,广泛应用于照明领域,提高LED的发光效率一直是该领域的研究难点与热点。为了降低GaN材料与空气界面的全反射现象,提高光提取效率,本研究探讨了类阳极氧化铝AAO(Anodic aluminum oxide)纳米结构LED器件的制备和性能。通过电感耦合等离子体(Inductively coupled plasma, ICP)刻蚀工艺的调控,在p-GaN层表面制备了大面积有序孔洞纳米结构阵列,可获得孔径250~500nm,孔深50~150nm的准光子晶体结构,从而大幅提高了LED的发光强度,其中孔径400 nm、深度150 nm的纳米阵列LED相比于没有纳米阵列的LED发光强度提高达3.5倍。 相似文献
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大功率LED灯在发光效率、使用寿命和光输出定向性等技术参数方面的性能均优于常规高压钠灯,因此被广泛应用于多个领域,尤其是在道路照明领域的应用非常普遍。散热性能差是大功率LED非常突出的一个问题,并且灯具的散热性能在一定程度上也会影响灯具的使用寿命,因而要使大功率LED灯具得到更广泛的应用,就必须解决散热问题。本文将在结构、材料等方面提出可行的设计方案,旨在优化大功率LED的散热性能,降低其应用约束条件。 相似文献