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PrasadVenkatraman 《电子设计应用》2003,(5):71-73
功率MOSFET常用于便携和无线产品中,其应用包括电池保护、负载管理和DC-DC转换等。对于这些应用,功率MOSFET最重要的特性便是其漏极-源极导通电阻Rds(on)。Rds(on)较小的功率MOSFET能够延长电池寿命,提高功率转化效率。同时,便携产品(如手机以及PDA等)的尺寸也在缩小,因此需要减小功率MOSFET的封装尺寸。近年来,为同时减小Rds(on)和封装尺寸,生产这些功率MOSFET的硅技术有了很大的改进,功率MOSFET是典型的立式器件,漏极位于芯片的底部,源极和栅极位于上部表面。功率MOSFET经两次扩散过程制成,先进行一次体… 相似文献
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文章完成了对功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)闽值电压和通态阻抗在77K-300K范围内的实验测试,并结合上述两个参数宽温区的数学模型进行了相应的分析.从实验结果中.我们发现阀值电压随温度的降低略有升高;而通态阻抗随温度的降低则下降得非常明显。通态阻抗是影响功率MOSFET开关损耗的重要参数,所以在低温下功率MOSFET的开关损耗将大幅度下降。 相似文献
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MOSFET器件是功能电路中的常用器件,同时也是在过流或过压情况下最易损坏的器件。文中介绍了多种电压箝位式功率MOSFET器件和智能型自保护功率MOSFET的特性参数和内部结构,给出了它们的电路连接方法。 相似文献
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本文主要针对低压功率开关管的功耗进行了理论分析,并在此基础上分别对两种典型结构槽栅MOSFET和e-JFET在不同工作频率 下的功耗分布和总功耗进行了定量的仿真计算和对比。通过研究发现,在一定工作条件下,常闭型e-JFET比目前常用的沟槽栅型MOSFET仅开关功耗就降低约24%,总功耗则降低约30%,将其运用于CPU电源电路中的开关功率管的制造,在高频领域有着极好的应用前景。 相似文献
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介绍了功率MOSFET器件的UIS(非钳位感应开关)测试原理及重要性,通过实际案例,解释UIS与产品质量之间相互关系,分析影响UIS能力的因素,提出改善功率MOSFET器件的3种方法,即改善contact工艺、减小RR,改变设计。实际案例中的两种MOSFET器件A和B应用了这3种方法的组合,使功率MOSFET器件的UIS能力和测试合格率有了很大的提升。 相似文献
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大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术 总被引:1,自引:0,他引:1
《今日电子》2003,(2):51-52
功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点,因而非常适合用作开关电源(switch-mode power supplies,SMPS)的整流组件,不过,在选用MOSFET时有一些注意事项。功率MOSFET和双极型晶体管不同,它的栅极电容比较大,在导通之前要先对该电容充电,当电容电压超过阈值电压(VGS-TH)时MOSFET才开始导通。因此,栅极驱动器的负载能力必须足够大,以保证在系统要求的时间内完成对等效栅极电容(CEI)的充电。在计算栅极驱动电流时,最常犯的一个错误就是将MOSFET的输入电容(CISS)和CEI混为一谈,于是会使用下面这个公… 相似文献
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浅析MOSFET高速驱动器电路设计 总被引:2,自引:0,他引:2
通过对MOSFET转换过程的分析,得出高速转换过程对驱动电路的要求。通过对转换过程中功率损耗的计算和驱动电流计算的注意事项,得出了在设计高速驱动MOSFET电路过程中的要点。这对用开关电源设计MOSFET的高速驱动电路有参考价值。 相似文献
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基于固体开关器件的“过”驱动技术研究 总被引:1,自引:0,他引:1
为了提高功率MOSFET的开关速度,从功率MOSFET的开关机理加以分析,通过用仿真与电路实验相结合的方法,研究出了功率MOSFET栅极的“过”驱动技术,大大加快了功率MOSFET的开关速度。 相似文献
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MOSFET功率开关器件的散热计算 总被引:3,自引:0,他引:3
文中介绍了以MOSFET为代表的功率开关器件功率损耗的组成及其计算方法,给出了功率器件散热器的热阻计算方法和步骤.简要说明了在采用风冷散热时应遵循的一般准则。 相似文献
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安森美公司生产的NCP5181单片JC是一种高压功率MOSFET驱动器,被用作驱动半桥配置中两个N沟道功率MOSFET。NCP5181的应用领域主要是大功率电源管理、半桥功率变换器、互补驱动变换器(非对称半桥、有源钳位)、全桥变换器及UPS系统桥式变换器等。 相似文献
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一种高精度功率MOSFET参数测试系统 总被引:1,自引:0,他引:1
功率MOSFET的参数如寄生电容,转移特性,输出特性,门限电压等对功率MOSFET的应用及其仿真建模具有重要的影响。本文从工程角度设计了一套功率MOSFET参数测试系统,通过器件Datasheet,供应商实测结果与本测试系统实测结果的对比,证明了本系统测试精度高,十分便于工程领域的应用。通过原有参数和本测试参数所建模型与实测结果的对比,证明本系统对MOSFET的准确建模具有重要意义。 相似文献