美国国家半导体产品概览：高压电源管理产品

高压电源供麻系统只要采用模拟技术，便可提供不只一个直流输出电压，而且更确保所输出的电压可高达数百以至数千伏。生产电信设备及高压系统的厂商都希望产品的供电系统能发挥更高的能源效益。美国同家半导体洞悉这个发展趋势，勇于面对这个挑战，不但充分利用先进的高压工艺技术、CSP封装及专有电路，而且更在这个基础上作进一步的技术集成，成功开发多种不同的解决方案，确保电源供应系统更稳定可靠、性能更高、而且更具成本效益。这些电源管理解决方案的应用范围非常广泛，最适用于通信结构、无线手机及其他便携式电子产品、服务器以及个人电脑等。     

美国国家半导体推出全新DVGA

美国国家半导体公司近日宣布推出两款四通道和双通道数字可变增益放大器(DVGA),以实现更高性能的宽带无线系统。四通道LMH6522和双通道LMH6521 DVGA在较宽的频率范围内提供了极佳的线性性能,因此也成为了最具挑战性的多通道宽带无线系统的一个理想解决方案。其目标应用包括中频     

美国国家半导体两款全新温度传感器

美国国家半导体公司推出两款型号为LM88及LM26的温度传感器,适用于笔记本型计算机、台式计算机、工作站与服务器以及以电池供电的便携式系统等应用方案。     

ARRIS携全新解决方案亮相

正作为一家专注于IP、视频及宽带技术领域的老牌全球公司,ARRIS在国内外市场均拥有不错的业绩,2013年收购摩托罗拉家庭事业部后,其有什么新的动作及产品?ARRIS全球销售及营销总裁Ron Coppock介绍,收购摩托后,ARRIS主要发生了以下两大变化:一是销售额高达50亿美元,在全球30多个国家拥有直接分支机构,国际业务比重达到32%,由一家北美公司演变成了一家全球化的公司;二是主要客户群由原来的Comcast和时代华纳,变为Comcast和美国最大的移动电视运营商Verizon。接下来我们的工作是如何将全球的     

美国国家半导体产品概览——高压电源管理产品2006年4月简介

高压电源供应系统只要采用模拟技术，便可提供不只一个直流输出电压，而且更确保所输出的电压可高达数百以至数干伏。生产电信设备及高压系统的厂商都希望产品的供电系统能发挥更高的能源效益。美国国家半导体洞悉这个发展趋势，勇于面列这个挑战，不但充分利用先进的高压工艺技术、CSP封装及专有电路，而且更在这个基础上作进一步的技术集成，成功开发多种不同的解决方案，确保电源供应系统更稳定可靠、性能更高、而且更具成本效益。这些电源管理解决方案的应用范围非常广泛，最适用于通信结构、无线手机及其他便携式电子产品、服务器以及个人电脑等。     

美国国家半导体推出全新高亮度LED驱动器

美国国家半导体公司（National Semiconductor Corp．）近日宣布推出全新高集成度线性LED驱动器LM3466,可简化街灯等大功率大型照明灯具的设计。仅需几个无源组件,LM3466便能提供一个完整系统,可实现在现有任一款的AC／DC恒流源基础上驱动每个LED灯串。现今的LED驱动器通常需要多个组件,才能正确地驱动一个LED灯串,     

美国国家半导体推出全新立体声耳机放大器

美国国家半导体公司宣布推出一款全新的PowerWise立体声耳机放大器,其特点是静态电流典型值低至0．9mA。智能型电话、多功能移动电话及便携式音乐播放器采用该款放大器,可将音频系统的播放时间延长一倍。     

美国国家半导体推出两款全新温度传感器

<正> 美国国家半导体公司近日推出两款型号分别为LM88及LM26的温度传感器。LM88是双远程二极管温度传感器芯片,可支持三个数字比较器输出。LM88芯片内含△-∑模拟数字转换器,可降低来自远程二极管的注入噪音。这款芯片具有降低噪音干扰的能力,进行远程温     

基于ToPSWich的新型高压直流电源

TopSWitch器件及特性 TopSwitch是美国PowerIntegrations公司从1994年起推出的开关电源新器件,它把脉宽调制(PWM)控制器与耐压700V的功率开关管MOS-FET合二为一集成到一块芯片上,大多采用TO220三脚封装,通过漏极D、源极S和控制极C与外电路相连,如图1.     

一种用于半桥功率IC的新型高压电平位移电路

In order to reduce the chip area and improve the reliability of HVICs,a new high-voltage level-shifting circuit with an integrated low-voltage power supply,two PMOS active resistors and a current mirror is proposed.The integrated low-voltage power supply not only provides energy for the level-shifting circuit and the logic circuit,but also provides voltage signals for the gates and sources of the PMOS active resistors to ensure that they are normally-on.The normally-on PMOS transistors do not,therefore,need to be fabricated in the depletion process.The current mirror ensures that the level-shifting circuit has a constant current,which can reduce the process error of the high-voltage devices of the circuit.Moreover,an improved RS trigger is also proposed to improve the reliability of the circuit.The proposed level-shifting circuit is analyzed and confirmed by simulation with MEDICI,and the simulation results show that the function is achieved well.     

A new channel-doping technique for high-voltage depletion-mode power MOSFET's

A new channel-doping technique for high-voltage depletion-mode double-diffused MOSFET (DMOSFET) is demonstrated. The technique that is used is channel doping performed at the surface of the laterally diffused body region in a self-aligned manner. Decrease of the breakdown voltage due to decrease of the threshold voltage is successfully prevented by using the new technique. A 1050-V DMOSFET was experimentally fabricated with a negative threshold voltage of -2 V.     

高速高密度PCB设计面临新挑战

随着电子产品功能的日益复杂和性能的提高,印刷电路板的密度和其相关器件的频率都不断攀升,工程师面临的高速高密度PCB设计所带来的各种挑战也不断增加.除大家熟知的信号完整性(SI)问题,Cadence公司高速系统技术中心高级经理陈兰兵认为,高速PCB技术的下一个热点应该是电源完整性(PI)、EMC/EMI以及热分析.     

Low-temperature power device: a new poly-Si high-voltage LDMOS with excimer laser crystallization

A new low-temperature polysilicon high-voltage LDMOS (LTPS HVLDMOS) using excimer laser crystallization has been proposed for the first time. However, in order to enhance LTPS HVLDMOS characteristics, there are two starting points: 1) integrate the thin-film technology with the power device, and 2) clarify the requirement of excimer laser treatment for low-temperature power devices. As the result, the on/off current ratio after laser treatment is improved over 106 times than that before laser treatment at L/sub drift/ = 15 /spl mu/m and V/sub ds/ = 25 V. The LTPS HVLDMOS after laser treatment also demonstrates the better tradeoff between the specific on resistance and breakdown voltage against the previous high-voltage thin-film transistors (HVTFTs) by solid-phase crystallization - such as semi-insulating (SI), metal field-plated, and offset-drain HVTFTs.     

一种新型的静电除尘用脉冲高压电源设计

高压电源是静电除尘设备的关键电气部分,对提高除尘效率和减少电能消耗具有重要作用。本文提出了一种新型脉冲高压电源设计方法,采用高压直流叠加高压脉冲构成电源系统;之后,着重研究了高压脉冲电路的建模与分析,并通过理论分析公式得到设计参数。本文的设计已用于指导实际产品的研发。     

The planar 6H-SiC ACCUFET: a new high-voltage power MOSFETstructure

A novel planar accumulation channel SiC MOSFET structure is reported in this paper. The problems of gate oxide rupture and poor channel conductance previously reported in SiC UMOSFETs are solved by using a buried P⁺ layer to shield the channel region. The fabricated 6H-SiC unterminated devices had a blocking voltage of 350 V with a specific on-resistance of 18 mΩ.cm² at room temperature for a gate bias of only 5 V. This measured specific on-resistance is within 2.5× of the value calculated for the epitaxial drift region (10¹⁶ cm^-3, 10 μm), which is capable of supporting 1500 V     

电源管理的一些新方案

随着移动电话、笔记本电脑、数码相机、摄录像机、MP3播放机等便携装置的迅速发展，对电源和电源管理提出了更高的要求。电源系统面对：     

Meeting the service management challenge with omnipoint

OMNIPoint is the industry's way of reducing customer and vendor risk in integrated management by fostering cross-sector agreements, by testing those agreements against user requirements and by encouraging the development of critical enabling technologies.