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相似文献
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1.
我们采用中国科学院上海冶金所与我所共同研制的ECL全译码256×1组件组装的存储插件,容量为256字×16位。在模型机上地址工作方式下,取数时间达31ns。模型机的最高工作频率达到65ns。-5V 电源的工作范围可变化±10%。模型机设有较复杂的硬件自检逻辑对存储插件进行检查。存储插件在模型机上连续考验了440小时,没有出错。通过实验和考验证明,这种全译码 RAM 256×1组件及用其组装的存储插件。达到了预定的设计指标。本文对如何使用这种256×1全译码存储器作一介绍。  相似文献   

2.
设计了256×9位FIFO存贮器,该电路数据的输入、输出端口,读、写控制端口是分开的,其存储单元采用双通道RAM结构,具有同步/异步数据传输功能,在读写过程中能自动给出存储体内数据的空满标志,并同时控制数据的读写操作,用读控制信号作为三态输出的使能端。设计中利用CAD工具分别进行了逻辑、电路仿真和版图验证,设计的读写速度为10MHz,采用标准3μm硅栅CMOS工艺实现。  相似文献   

3.
4.
存储电路是数据采集系统中不可缺少的重要组成部分,存储速率直接制约采集速率的提高。文中给出一个以ECL器件为主,采用分组存储技术设计的数据存储电路,其最大存储速率可达100MHz。  相似文献   

5.
本文介绍一种4096单元准静态(Pseudostatic)MOS随机存储器,它的全部输入(包括时钟)都与射极耦合逻辑(ECL)相容。这种存储器的取数时间小于80ns,周期时间小于150 ns,维持功耗是300 mW。全译码存储器制作在204×237 mil的硅片上,并封装在22引线双列直播式陶瓷管壳里。  相似文献   

6.
本文介绍了一种TMS32010外部存储嚣扩充的接口电路。该电路中利用可编程D触发器有效地克服了TMS32010的局限性,使外扩空间达到了64K×16位,具有硬件电路简单,寻址速度快,可随意访问64K×16位存储空间等特点。进一步提高了TMS32010进行信号处理和构成独立系统的能力。这对于开发使用TMS32010芯片的用户具有一定的实用参考价值。  相似文献   

7.
随机存储器(Random^ccessMemorr,RAM)也叫生存,俗称内存(Memory),其广意指计算机中的各种内存,而RAM只是其中的一种。RAM做为组件称为内存条,它的技术、性能及容量等随着CPU的更新而不断更新与提高,以适应更快更好的CPU运行的需要。RAM一般分为两类:动态RAM(DpoamicRAM,DRAM)及静态RAM(StstiCRAM,SRAM),由于SRAM的读写速度远决于DRAM,所以PC中SRAM大都作为高速经存(Cach)使用,DRAM则作为普通的内存和显示内存使用。RAM的特点是可以随时存取数据,但是一旦断电,保存在其中的数据就会全部…  相似文献   

8.
条形码译码接口电路是条形码识别系统的核心部分。在对条形码原理进行分析的基础上,通过引入CPLD技术,实现了对条形码的完全译码。重点讨论了系统的结构和CPLD的控制逻辑。  相似文献   

9.
《计算机与网络》2006,(22):43-43
富士通微电子(上海)有限公司近日推出全新256Mbit移动快速循环随机存储器(FCRAMTM)。该移动快速循环随机存储器是一种伪静态随机存储器(PSRAM),在富士通快速循环随机存储器的核心技术的基础上带有一个静态存储器接口。可以实现高速运算和低电耗,非常适用于手机等各种移动应用。  相似文献   

10.
SVGA即Super VGA,在VGA的基础上有了很大的飞跃,支持更高的解析度、更多的颜色,如今大多数商业软件,如《暗黑破坏神》、《红色警报》等都是基于SVGA的,所以我们有必要了解SVGA的编程方法。本文即以640X480X256色PCX图像的显示程序来介绍SVGA的编程。  相似文献   

11.
在ECL电路系统组装工艺中,如问确定ECL电路组件间允许的工作温差,是系统热设计工艺控制技术中最先要解决的一个问题。 据根ECL基本门电路,可以得到ECL电路两个逻辑电平随温度变化的关系: 高电子:dV_(OH)/dT≈1.4mV 低电平:dV_(OL)/dT≈0.77mV 从ECL电路的噪声容限方面来看,高电平噪声容限:NM_(OH)=125mV,低电平噪声容限:NM_(OL)=155mV,因为NM_(OH)相似文献   

12.
引言诊断测试是在制作新设计方案时进行的一种测试。一个4096单元随机存储器芯片上的MOS管数超过13,000个,而只有22条引线的封装,然而用诊断测试就能实现对这样的芯片存取数并检验这些器件的功能是否适当。更复杂的情况是一个新的设计常常会出现在通常的电压范围内不能工作,怎样来确定这究竟是芯片上的电路问题还是器件的问题呢?这就需要进行诊断测试。为进行诊断测试,必须有正确的测试设备和适当的用法以及测试顺序。测试设备包括:存储器检验器、出错显示设备、显微探针台。  相似文献   

13.
目前传统显示器的显示方式及LED显示器体积过大且耗电量大,而液晶显示技术具有平面直角显示、低耗电量、体积小、零辐射等优点.通过对液晶显示驱动控制器ST7920和其配套的驱动器ST7921的分析研究,设计一款256×64点阵的液晶模块,全屏可以显示64个16×16点阵大小的汉字,利用汇编程序和单片机实现小尺寸液晶屏的点亮显示.控制芯片采用ST7920和与之配套的驱动芯片ST7921,实现了256×64的驱动.  相似文献   

14.
要提高数据处理机的处理能力,就要提高所用元件的性能。在最新的计算机中,中央处理器(CPU)中已使用亚毫微秒逻辑元件。但是为直接对应于从这样高速的CPU 中取数,不能说缓冲存储器原来的几十毫微秒的速度就够了。作者从上述背景提出研制取数时间小于10ns、每芯片1K 位的超高速大容量缓冲存储器用的器件。这次,完成了电路设计,试制了存储器。本文扼要地介绍了试制存储器的设计和特性1 研制的目标和存储器的组成图1为公开发表的,并具有代表性的MOS和双极半导体存储器的取数时间与功耗的关系。同时,也给出了要试制存储器的性能的目  相似文献   

15.
作为世界上最轻巧、用途最广泛的非易失性存储介质(NVRAM),闪存早已和我们的生活息息相关,无论是手机、数码相机、数码摄像机,还是电脑、闪存盘以及大型服务器,都需要这些小小的芯片。在飞速普及的闪存面前,软盘、MO盘等介质已经被彻底淘汰,甚至传统的硬盘(磁存储)和光盘(光存储)的领地也被闪存逐渐占领。很多乐观的分析人士认为,不久的将来,以闪存为代表的固态存储技术将会把硬盘和光盘请进博物馆。  相似文献   

16.
综述了铁电存储器的存储原理、电路结构及应用、尚未解决的主要铁电材料的环保问题、疲劳失效问题、信息保持力和破坏性读出等问题.  相似文献   

17.
介绍了基于模块式结构的256×32大容量中文矩阵系统的设计方法,叙述了系统的主要功能,讨论了MAX4358的性能特点及使用方法,同时概括了软、硬件设计时应注意的几个问题。  相似文献   

18.
目前采用的N-沟道硅栅工艺的新的单元的设计,使得MOS随机存储器容量更大,密度更高,可以与磁心和双极型存储器相竞争。对计算机设计者得到的好处是N-沟道比P沟道随机存储器速度较快,而与同样大小的双极型存储器一样快。特别是简化再生只用0.01%的占空比可对整个存储器全部再生,使存储器能无形再生,无需存储器占线时间,并且在某些应用中,存储器全然不需要再生;存储单元的设计,使之功耗减小到磁心或双极的一小部分,去掉了时序和控制所必需的设备,诸如寻址再生、维持控制或预充,这样,大大降低了整个系统的成本(N-沟道MOS随机存储器每位的成本与P-沟道的相同)。  相似文献   

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随机存储器技术及其产品的发展展望   总被引:1,自引:0,他引:1  
随着CPU主频超越千兆赫,存储器技术逐渐成为计算机内部体系结构性能的瓶颈。如果配置足够容量的高速存储器,较低主频的CPU的运行速度完全可以超过较高主频的CPU。本文对RAM技术及其常规产品进行了充分的研究和探讨,并将研究的注意力集中在增加动态RAM的带宽技术上。  相似文献   

20.
采用单管和一个存储电容组成的MOS动态存储器的单元面积可以在2平方密耳以下。有用的读出信号非常小,通常采用平衡读出。在确定总面积、价格、性能和测试难度的时候,这种读出放大器和芯片上除存储矩阵之外的电路就变得越来越重要了。本文讨论了一个实际的4K随机存储器(RAM)设计中所用的一些关键的外围电路,该设计着重考虑了这些因素。在组成所用的读出放大器时,设计了“边缘校验”的可能性,它可以用来测试单元的存储电平和读出放大器的偏移,以此来保证存储器中适当的信号余量。  相似文献   

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