硅粉在高氮压下氮化的研究

本文对三种不同纯度的硅粉在加压氮气(～1MPa)中进行氮化研究。实验表明:在1250～1370℃1h 内硅粉可快速氮化反应生成氮化硅,主要晶相为β-Si_3N_4。硅粉快速氮化时,存在一个临界氮气压力,临界压力大小与硅粉本身表面特性有关,采用适当的工艺参数可快速制备高质量的α-SiN_4粉末。     

碳热还原氮化法制备β′-Sialon粉体的热力学过程

本文分析了以天然高岭土为原料，经碳热还原氨化反应制备β′-Sialon粉体过程中出现的化学反应，从热力学角度研究了反应温度及气体分压对产物组成的影响，通过实验结果与热力学分析相结合，寻找出制约反应进行的速度控制步骤，并讨论了获得较高β′-Sialon粉体转化率所需的温度范围．     

Ti-Si-C三元系组元化学位稳定性相图

收集并计算了Ti-SI-C三元系在1200度温度下各组元化合物的热力学数据,利用Ti-SI-C三元系在该温度下的平衡相图以及对碳化物未知热力学数据所做的估算,计算该三元系中各组元化学位并作出的相应的化学位稳定性相图。     

纳米SiC－Si_3N_4复合粉体的制备及研究

本文以炭黑和气凝氧化硅为原料，采用碳热还原氨化的方法制备纳米ＳｉＣ－Ｓｉ３Ｎ４复合粉体；复合粉中ＳｉＣ的含量由起始粉中Ｃ：ＳｉＯ２的摩尔比控制．在复合粉体的表征中用ＸＲＤ线宽法测量ＳｉＣ粒径大小．ＴＥＭ照片显示Ｓｉ３Ｎ４粒径在１００～２００ｎｍ；ＳｉＣ为纳米级．文中还对生成复合粉体的反应机理进行了探讨．同时利用这一工艺制备出单相的Ｓｉ３Ｎ４粉和ＳｉＣ粉．     

聚氮硅烷气相裂解反应制备Si—C—N复合纳米微粉的组成与结构

采用低分子聚氮硅烷气相裂解反应工艺，制备了Si-C-N复合纳米微粉。通过XRD、XPS、TEM、HREM等方法，对Si-C-N纳米微粉的组成与结构进行了分析。结果表明：Si-C-N纳米微粉为无定形结构，局部有短程有序态存在。随裂解气氛的不同，Si、C、N元素的相对含量及存在状态也不同。     

等离子增强型化学气相沉积条件对氮化硅薄膜性能的影响

等离子增强型化学气相沉积(PECVD)氮化硅技术是目前半导体器件在合金化后低温生长氮化硅的唯一方法.研究了由进口PECVD设备制备的氮化硅薄膜性质与沉积条件的关系,测定了生成膜的各种物理化学性能,详细探讨了各种沉积参数对薄膜性能的影响,提出了沉积优质氮化硅薄膜的工艺条件.     

BA-MMA-GMTS共聚物的合成及对纳米Si_3N_4的表面处理

为了使纳米氮化硅粉体能够均匀地分散在聚合物中并与聚合物具有良好的相容性,必须对其进行表面改性。本文中用BA-MMA-GMTS三元共聚物作为纳米Si3N4粉体表面改性剂,对纳米Si3N4粉体进行湿法包覆反应改性。结果表明:BA-MMA-GMTS三元共聚物包覆在纳米Si3N4粉体的表面,并与其发生了化学作用,有效地阻止了纳米Si3N4粉体的团聚,当BA-MMA-GMTS三元共聚物相对纳米Si3N4粉体质量比为10%时包覆效果最好。改性后的Si3N4粉体粒径明显减小,在有机溶剂中的分散性良好,由于相似相容原理,可以推测改性后的纳米Si3N4粉体必能与聚合物具有良好的相容性并且能更加均匀地分散在其中。     

氮对纳米硅氮薄膜品化的影响

在电容式耦合等离子体化学气相沉积系统中，用高氢稀释硅烷和氮气为反应气氛制备纳米硅氮（ｎｃ－ＳｉＮｘ：Ｈ）薄膜结果表明：当Ｎ＿２／ＳｉＨ＿４气体流量比（Ｘｎ）从１增加为４时，薄膜的晶态年从５８％降至１４％，晶粒尺寸从１０ｎｍ降至５ｕｍ，Ｎ／Ｓｉ含量比从０．０３增至０．１２．当Ｘｎ≥５，则生成非晶硅氮（ａ－ＳｉＮｘ：Ｈ）薄膜．当Ｘｎ从１增加为１０时，薄膜暗电导率从１０￣（－５）（Ωｃｍ）￣（－１）降至１０￣（－１１）（Ωｃｍ）￣（－１），具有逾渗行为，这与薄膜的晶态率紧密相关．     

氧氮玻璃连接氮化硅陶瓷的研究进展

陶瓷连接技术是结构陶瓷实用化必须解决的难题之一．氧氮玻璃与氯化硅陶瓷间良好的化学相容性,保证了连接的有效性和可靠性．本文对氧氮玻璃的性能、连接机理以及结合强度的影响因素作了简要的综述．     

氧化锑/高岭土复合阻燃微粉的湿化学法制备及特性

采用湿化学法制备了氧化锑 /高岭土复合阻燃微粉 ,用热重 (TG)、差示扫描量热法 (DSC)对其阻燃特性进行了分析 ,用SEM分析了粒子形貌 ,激光光散射粒度分布仪分析了粒子的分布情况。热分析结果表明 ,与球磨法相比 ,湿化学法制备的样品的失重量大、失重温度范围广、放热峰范围广 ;化学法制备复合微粉的反应活化能与球磨法相差不大。SEM分析及粒度分析表明 :复合微粉大多处于 0 .2 0 μm以下 ,化学法制备的样品中以锑白粉为主 ,高岭土附在锑白粉表面 ,充分与锑白粉发生物理、化学作用。同时发现 ,样品6 0 0℃热处理 2h后 ,粒子结合更加紧密     

高压氢去除钒表面碳、氮、氧杂质的热力学分析

基于钒的相关相图,分析了钒表面钒的碳化物、氮化物和氧化物可能存在的形式。采用热力学方法计算了高温和高压条件下氢与钒碳化物、钒氮化物和钒氧化物的吉布斯自由能变,分析了高压氢去除上述杂质的可能性。计算结果表明,100MPa条件下钒表面的碳化物杂质转化为甲烷需要860K以上的温度;50MPa、低于1000K温度氢不能有效去除...     

深过冷条件下均质形核的非平衡热力学探讨

本文从非平衡热力学的角度，分析了纯金属深过冷条件下的均质形核问题。导出了均质形核的驱动力和界面自由能表达式。纯铝验证计算的结果与其他人的数据接近。     

高压氢去除钒表面碳、氮、氧杂质的热力学分析

基于钒的相关相图,分析了钒表面钒的碳化物、氮化物和氧化物可能存在的形式。采用热力学方法计算了高温和高压条件下氢与钒碳化物、钒氮化物和钒氧化物的吉布斯自由能变,分析了高压氢去除上述杂质的可能性。计算结果表明,100MRa条件下钒表面的碳化物杂质转化为甲烷需要860K以上的温度;50MPa、低于1000K温度氢不能有效去除金属钒表面所有价态的钒氧化物;50MPa、298～1000K温度高压氢不能有效去除钒的氮化物。     

聚乙烯基硅氮烷微球的合成及陶瓷化

采用沉淀共聚合方法制备了聚乙烯基硅氮烷腈(PVSZ)微球。其中乙烯基环硅氮烷与二乙烯基苯为共单体,偶氮二异丁腈(AIBN)为引发剂,乙腈为溶剂。聚合反应12h制备的微球表面光滑,粒径为700 nm~780 nm,分散性良好。能量色谱(EDS)证明微球包含Si、C、N元素;红外光谱(FT-IR)表明微球化学结构是PVSZ;微球1000℃热解,陶瓷产率为35%。热解温度低于1300℃时,PVSZ微球的热解产物能完整地保持球形结构、表面光滑;X射线衍射(XRD)表明产物呈非晶态;热解温度1500℃时,球形结构破坏,产物结晶,生成了Si3N4晶粒。     

煤矸石还原氮化合成O’-Sialon及热力学研究

采用拟抛物面规则评估了O’-Sialon、X相的吉布斯生成自由能,并从热力学上分析了O’-Sialon、β-Sialon、X相的合成过程.研究了以中国山西煤矸石为原料,还原氮化合成O’-Sialon的影响因素,包括还原剂(C或者Si)的用量、氮化温度等;结果表明,以金属Si为主要还原剂时O’-Sialon的合成效果较佳,其相对含量最高可以达到80％左右,提高氮化温度有利于O’-Sialon的合成.     

气相色谱法测定氘气中痕量的氧、氮

建立了测定高纯氘气中痕量氧、氮的气相色谱法.采用5A分子筛微填充石英毛细管色谱柱(30 m× 0.32 mm×30 μm),氦气作为载气,在50 ℃条件下对氘气中痕量氧、氮进行分离,以脉冲氦离子化检测器进行定性定量分析.建立的测定高纯氘气中微量氧、氮测定方法的精密度小于15%,最低检出浓度为0.5×10-6(mol/mol).     

聚氮硅烷气相裂解反应制备Si-C-N复合纳米微粉的组成与结构

采用低分子聚氮硅烷气相裂解反应工艺 ,制备了Si C N复合纳米微粉。通过XRD、XPS、TEM、HREM等方法 ,对Si C N纳米微粉的组成与结构进行了分析。结果表明 :Si C N纳米微粉为无定形结构 ,局部有短程有序态存在。随裂解气氛的不同 ,Si、C、N元素的相对含量及存在状态也不同     

一种用于制备纳米SiC/Si_3N_4复合粉体的CVD新工艺的热力学分析(英文)

综述了SiC/Si3 N4 复合粉体的力学性能和制备方法 ,提出了一种制备纳米级SiC/Si3 N4 复合粉体的新方法 ,并通过热力学分析提出了合成条件     

聚富马酸酯的薄膜化及氧/氮透过性

本文考察了聚富马酸二烷基酯的水面展开成膜条件和积层膜的各种因素,制备出氧透过速度为3×10~(-5)cm~3(STP)/cm~2·s·cmHg,氧/氮分离系数α=2.4～4的积层复合膜。