聚对苯乙炔发光二极管的研究

本文通过分析ＰＰＶ薄膜不同侧面的发光光谱和强度和ＰＰＶ薄膜制备过程对聚合程度的影响，得出ＰＰＶ薄膜的光致发光主要源于下层薄膜附近的区域；而二极管的电致发光区域主要集中在钙电极附近，并且随偏压的增加而向钙膜移动。同时还研究了Ａｌ膜在防止Ｃａ膜的氧化和提高二极管寿命方面的作用。     

有机发光二极管矩阵显示技术的研究

在得到稳定的绿色有机薄膜电致发光器件的基础上 ,对矩阵显示屏及动态显示技术进行了研究。得到了面积为 4 8mm× 30mm、分辨率为 2线 /mm的 96× 60像元矩阵显示器 ,其中单位像元的有效发光面积为 0 .4mm× 0 .4mm ,单元间隙为 0 .1mm。设计了有效的驱动和控制电路 ,实现了无“交叉效应”、高清晰度的动态图形显示。显示器在 1/ 64的驱动占空比下的显示亮度大于 10 0cd/m2 ,屏的功耗为 0 .6W。     

掺氧氮化硅发光二极管的发光特性研究

采用等离子体增强化学气相沉积方法低温制备非晶氮化硅薄膜,在低温下以氧气为气源,等离子体氧化非晶氮化硅薄膜,以这层薄作为有源层制备电致发光器件。实验结果表明以此方法制备的器件在正向偏置电压下可观测到强烈的黄绿光,发光峰位于540 nm,而且电致发光开启电压低,仅为6 V,功耗小。光致发光谱和电致发光谱测量表明发光来自同一种发光中心,即与Si-O相关的发光中心。     

两种不同结构及掺杂的白色有机发光二极管

白色有机发光器件由于在其上加彩色滤光片可容易地达到全彩效果而备受关注,本文通过两种不同结构及掺杂的器件,实现了白色有机电致发光,一种为具有空穴锁定层并在其中掺杂的器件;另一种为蓝色染料和红色染料分别加在发光层与电子传输层中的普通3层结构器件。结构分别为ITO／NPB／TPBi;Rubrene/Alq/Mg;Ag和ITO/NPB/DPVBi;Perylene/Alq :DC JTB/Mg:Ag。具有空穴锁定层的器件和普通型器件的最大亮度、最大流明效率、色度分别为8635cd/m^2、0.851m/W、（x=0.31,y=0.32)10倍,空穴锁定层的器件寿命远小于普通型的。此文对此差异进行了分析。     

Gaq3有机薄膜电致发光器件

首次报道了采用８－羟基喹啉镓螯合物作为发光层制备有机薄膜电致发光器件，器件的结构为：ＩＴＯ导电玻璃／ＴＰＤ／Ｇａｑ３／Ａｌ。研究了Ｇａｑ３薄膜的光致发光和器件的电致发光机理，同时测量和研究了器件的电流密度－－电压（Ｊ－Ｖ）特性和发光亮度－电压（Ｂ－Ｖ）特性。结果表明器件的电致发光峰值波长为５４０ｎｍ，在２０Ｖ直流电压驱动下的最大发光亮度约２５００ｃｄ／ｍ＾２明显高于上同结构和工艺参数制备的Ａｌｑ３     

纳米硅薄膜的电致发光和光致发光

对用ＰＥＣＶＤ方法控制生长条件制备的纳米硅薄膜材料的发光性质进行了初步研究．在膜的纵向加直流偏压，暗场环境下可清楚地看到材料的电致发光现象．在同一套测量系统中分别测量了纳米硅材料的电致发光光谱和光致发光光谱，并用Ｌａｍｂｄａ９紫外／可见／近红外分光光度计测量了样品的透射谱，从而得到样品的Ｔａｕｃ曲线和光能隙Ｅ     

微腔有机发光二极管

设计了由分布布拉格反射镜（ＤＢＲ）和金属反射镜面形成的微腔结构。利用８－羟基喹啉铝（Ａ１ｑ３）作为电子传输层兼作发光层,ＴＰＤ作为空穴传导层,了有机发光二极管（ＯＬＥＤ）和微腔有机发光二极管（ＭＯＬＥＤ）。发现ＭＯＬＥＤ的光谱工比ＯＬＥＤ的窄得多,而光密度则得到了增强,对腔长进行调节,ＭＯＬＥＤ光谱峰出现移动。实验结果与理论计算基本符合。     

电极材料对有机薄膜电致发光性能影响的研究

分别采用两种不同功函数的电子注入电极A1,Ca和三种不同功函数的空穴注入电极ITO,AZO(ZnO:A1),Au,制备出ITO/PPV/A1,Ca和ITO,AZO,Au/PPV/A1两个系列的电致发光器件.实验发现,采用不同的电极材料可使器件的J-V和B-V特性产生一定差异.我们还对其产生这种差异的原因进行了分析.     

被动驱动有机发光二极管矩阵屏老化性能的研究

对102×64点阵的单色被动驱动的有机电致发光(OLED)矩阵屏进行了老化研究。矩阵屏的结构为ITO/CuPc/NPB/Alq3∶C545/LiF/Al。测量了老化前后矩阵屏的电流-电压-亮度曲线,以及电致发光(EL)和光致发光光谱(PL)。比较发现,老化后的器件在同样恒电流的情况下表现出更高的驱动电压,更小的漏电流,以及在阴极和有机层界面上电致发光和光致发光的光谱强度减弱。矩阵屏在老化17 h后,电致发光和光致发光的强度分别降低到初始值的75.6%和81.4%,分析认为,这是因为老化过程中部分发光材料分解,从而造成对矩阵屏的永久损伤。     

有机电致发光材料和器件

本文简要介绍了目前已实用化的有机电致发光材料及有机电致发光显示器件的结构，原理和发展动态。     

八羟基喹啉金属配合物的发光特性的研究

合成了八羟基喹啉铝和八羟基喹啉锌．测量了粉末和薄膜的荧光光谱．并分析了从粉末到薄膜发射峰红移的原因。制备了单层和双层的器件，从载流子注入平衡的角度分析了器件的救率变化的原因。     

有机电致发光薄膜的电流输运机理的分析

用TPD作空穴传输层、8－羟基喹啉锌作发光层,制备了有机薄膜器件,测量了其电致发光特性。分析了该器件的电流输运机理,认为该有机薄膜器件在电致发光时流过器件的电流受热电子注入效应、空间电荷限制效应、隧穿效及器件电阻效应的影响。     

阻挡层结构的蓝色有机发光二极管

制备了ITO／CuPc/NPB/TPBi/Alq3/MgAg有机发光二极 管,由于阻挡层TPBi对空穴的阻挡作用,器件的电致发光为NPB特征光谱,实现了蓝色发光。器件最大亮度和最大流明效率分别为3700cd/cm^2和0.78 lm/W,CIE色坐标为x=0.110 ,y=0.085,色度纯正。然而器件显现出较差的稳定。利用器件的能级结构,分析了器件的光学特性和影响稳定性的因素。     

有机薄膜电致发光的研究及现状

有机薄膜电致发光（OTFEL）由于具有许多独特的优点而成为当今发光领域研究的热点，具有十分诱人的应用前景。本文从其发展过程、发光原理、发光材料、器件结构等几个方面作了概括和论述。     

新型交流薄膜电致发光器件的研究

本文介绍了根据加速电子,激发中心在空间上分开,利用低场预热和高场加速的设想,设计并研制的一种新型交流薄膜电致发光器件。     

稀土有机配合物电致发光器件的研究进展

概述了稀土有机配合物电致发光薄膜器件的材料、结构、发光机理以及目前研究的状况、出现的问题和研究的发展趋势.     

Hybrid White Light Emitting Diode Based on Silicon Nanocrystals

A novel design of white light emitting diodes (WLEDs) emerges to meet the growing global demand for resource sustainability while preserving health and environment. To achieve this goal, a facile method is developed for the chemical synthesis of a luminescent silicon nanocrystal (ncSi) with a large Stokes shift between absorption and emission. The WLED is prepared by a simple spin‐coating method, and contains a hybrid‐bilayer of the ncSi and luminescent polymer in its device active region. Interestingly, a well‐controlled ultrathin ncSi layer on the polymer makes possible to recombine electrons and holes in both layers, respectively. Combining red and blue‐green lights, emitted from the ncSi and the polymer layers, respectively, produces the emission of white electroluminescence. Herein, a hybrid‐WLED with a sufficiently low turn‐on voltage (3.5 V), produced by taking advantages of the large Stokes shift inherent in ncSi, is demonstrated.     

Ultra Thin Film Encapsulation of Organic Light Emitting Diode on a Plastic Substrate

We have carried out the fabrications of a barrier layer on a polyethersulfon (PES) film and organic light emitting diode (OLED) based on a plastic substrate by means of atomic layer deposition (ALD). Simultaneous deposition of 30 nm AlO_x film on both sides of the PES film gave a water vapor transition rate (WVTR) of 0.062 g/m²/day (@38°C, 100% R.H.). Further, the double layer of 200 nm SiNx film deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) and 20 nm AlOx film by ALD resulted in a WVTR value lower than the detection limit of MOCON. We have investigated the OLED encapsulation performance of the double layer using the OLED structure of ITO / MTDATA (20 nm) / NPD (40 nm) / AlQ (60 nm) / LiF (1 nm) / Al (75 nm) on a plastic substrate. The preliminary life time to reach 91% of the initial luminance (1300 cd/m²) was 260 hours for the OLED encapsulated with 100 nm of PECVD‐deposited SiNx and 30 nm of ALD‐deposited AlO_x.     

有机电致发光显示器件的研制及产品开发现状

阐明了有机电致发光（ＥＬ）显示器件的基本结构和工作机理,对比了无源矩阵和有源矩阵两种有机ＥＬ器件驱动方式,总结了有机ＥＬ器件的制作工艺。展示了现有的有机ＥＬ产品和各大研究机构的最新成果,并且对有机电致发光现象发现以来的专利情况做了图表式总结。     

高发光亮度高效率的异质结聚合物电致发光器件

成功制备了可溶性的空穴型聚合物 PDDOPV [poly （2,5-bis （dodecyloxy）-phenylenevinylene）]与电子型聚合物 PPQ [poly（phenyl quinoxaline）]构成的异质结有机薄膜发光二极管。异质结器件的最高亮度是其本身最低亮度的106倍,是 PDDOPV单层器件的 365倍,而最高效率则是 PDDOPV单层器件的 336倍。异质结器件在正向、反向以及交流驱动下均可获得发光,但在正向和交流驱动下的发光来自PDDOPV,而反向驱动下的发光既有来自 PDDOPV的,也有来自 PPQ的。反向偏压下器件获得发光的原因是高场强使得能带高度倾斜,高度倾斜的结果使得载流子的注入势垒变得足够薄从而被载流子隧穿,从而导致载流子的注入和复合。